“ＭＲＡＭ”とは

Magnetoresistive Random Access Memoryの略で、「磁気抵抗メモリ」と呼ばれています。

待機電流が不要で何度でも書き換えが可能な点が特徴です。

NEC、東芝、ソニー、ルネサステクノロジなどが開発を進めています。次世代不揮発メモリとして有望視されています。実用化は2009年頃と見られています。