エネルギーと環境 70

彦根藩二代当主である井伊直孝公をお寺の門前で手招き雷雨から救ったと
伝えられる招と、井伊軍団のシンボルとも言える赤備え（戦国時代の井伊
軍団編成の一種、あらゆる武具を朱りにした部隊編成のこと）と兜（かぶ
と）を合体させて生まれたキャラクタ－

21世紀は光・量子の時代と言われ．自動運転・ロボットの自動走行，スマ
ートフォンの高度顔認証等を可能とする光センシング(LiDAR)技術，スマー
ト製造を可能とするレーザ技術，太陽光（熱）エネルギーの高度利用，さ
らには量子情報処理にいたるまで，光・量子が担う役割はますます重要と
なっている．
21世紀を支える“光・量子”を自由自在に操ることを目的として，
「フォトニック結晶」「フォトニックナノ構造」をキーワードに，自在な
光・量子制御技術の開発を行う．物理的基礎から応用まで研究を行い，様
々な革新的な光・量子技術を実現し，エネルギー，環境，光製造（ものづ
くり），高度情報・通信技術に寄与し，Society 5.0（超スマート社会）の
実現に貢献することを目指す。

京都大学と三菱電機は，フォトニック結晶レーザー（PCSEL）において，こ
れまでの半導体レーザー素子単体では実現が困難であった高い出力と狭い
固有スペクトル線幅の両立を実現した（ニュースリリース）。

研究グループはこれまで，直径250μmのPCSELにおいて，70kHzという狭
い固有スペクトル線幅と，宇宙空間における自由空間通信方式への適用可
能性を実証している。今回，PCSELの高出力・高ビーム品質をそのままに
，より狭い固有スペクトル線幅を実現するため，面積を250μmから1mmに
拡大したPCSELを設計，開発した。

Demonstration of high-power photonic-crystal surface-emitting
lasers with 1-kHz-class intrinsic linewidths (1kHz級固有線幅高出力フォ
トニック結晶レーザーの実現)　　
DOI　10.1364/OPTICA.505406

【関連特許最新技術】
1.特開2024-165246　表示装置及び表示装置の製造方法　株式会社ジャパ
ンディスプレイ⓷
【要約】
下図9のごとく、一実施形態によれば、表示装置は、基板と、前記基板の上
方において、画像を表示する表示領域及び前記表示領域よりも外側の周辺
領域に亘って配置された有機絶縁層と、前記表示領域において、前記有機
絶縁層の上に配置された下電極と、前記下電極の上に配置され、発光層を
含む有機層と、前記有機層の上に配置された上電極と、前記周辺領域に配
置され、第１下部と、前記第１下部の上に配置され前記第１下部の側面か
ら突出した第１上部と、を有する第１隔壁と、前記周辺領域に配置され、
前記有機絶縁層の開口に重なる金属層と、を備え、前記第１隔壁は、前記
開口に配置されてことで、信頼性の低下を抑制する。

図9.　周辺領域ＳＡまたは余白部ＭＰにおけるパッド領域の他の構成例を
示す平面図
【符号の説明】
  ＤＳＰ…表示装置  １０…基板　  ５…無機絶縁層  ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３…
開口　  ６…隔壁  ６１…下部  ６２…上部　  ７…隔壁  ７１…下部  ７２…
上部ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３…副画素  ２０１、２０２、２０３…表示素子
（有機ＥＬ素子）  ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３…下電極  ＵＥ１、ＵＥ２、Ｕ
Ｅ３…上電極  ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３…有機層  ＤＡ…表示領域  ＳＡ…周
辺領域  １００…表示装置用マザー基板  ＰＰ…パネル部  ＭＰ…余白部  ＰＤ
…パッド  ＭＴ…金属層  ＩＬ…有機絶縁層  １２…絶縁層  １１４…絶縁層
【詳細説明】
【００９４】図１７Ａは、他の構成例を示す断面図である。  図１７Ａに示
す構成例は、図１６Ａに示した構成例と比較して、無機絶縁層５に開口が
存在しない点で相違している。隔壁７は、有機絶縁層ＩＬの上方及び開口
ＯＰ１において、無機絶縁層５の上に配置されている。

【００９５】  図１７Ｂは、他の構成例を示す断面図である。  図１７Ｂに
示す構成例は、図１７Ａに示した構成例と比較して、有機絶縁層ＩＬの上
方の隔壁７を省略した点で相違している。隔壁７は、開口ＯＰ１において
無機絶縁層５の上に配置されている。

【００９６】  図１７Ｃは、他の構成例を示す断面図である。  
  図１７Ｃに示す構成例は、図１７Ａに示した構成例と比較して、開口ＯＰ１
における隔壁７を省略した点で相違している。隔壁７は、有機絶縁層ＩＬ
の上方において無機絶縁層５の上に配置されている。

【００９７】 《第３グループ》
【００９８】図１８Ａは、第３グループの一構成例を示す断面図である。
  図１８Ａに示す構成例は、図１４Ａに示した構成例と比較して、階段状
の断面を有する有機絶縁層ＩＬが絶縁層１２の単層体である点で相違して
いる。絶縁層１１４は、存在しない。絶縁層１２は、開口ＯＰ１を有して
いる。
【００９９】図１８Ａに示す構成例は、図１４Ａに示した構成例と比較し
て、階段状の断面を有する有機絶縁層ＩＬが絶縁層１２の単層体である点
で相違している。絶縁層１１４は、存在しない。絶縁層１２は、開口ＯＰ
１を有している。
【０１００】有機絶縁層ＩＬの厚さＴ１は、絶縁層１１３の上面から絶縁
層１２のほぼ平坦な上面１２１Ａまでの第３方向Ｚに沿った長さに相当す
る。有機絶縁層ＩＬの厚さＴ２は、金属層ＭＴの上面から絶縁層１２のほ
ぼ平坦な上面１２２Ａまでの第３方向Ｚに沿った長さに相当する。厚さＴ２
は、厚さＴ１より小さい。上面１２２Ａは、上面１２１Ａと開口ＯＰ１と
の間に位置し、また、上面１２１Ａよりも下方に位置している。

【０１００】有機絶縁層ＩＬの厚さＴ１は、絶縁層１１３の上面から絶縁
層１２のほぼ平坦な上面１２１Ａまでの第３方向Ｚに沿った長さに相当す
る。有機絶縁層ＩＬの厚さＴ２は、金属層ＭＴの上面から絶縁層１２のほ
ぼ平坦な上面１２２Ａまでの第３方向Ｚに沿った長さに相当する。厚さＴ
２は、厚さＴ１より小さい。上面１２２Ａは、上面１２１Ａと開口ＯＰ１
との間に位置し、また、上面１２１Ａよりも下方に位置している。
【０１０１】無機絶縁層５は、絶縁層１２を覆い、金属層ＭＴを露出する
開口ＯＰ２を有している。
【０１０２】隔壁７は、有機絶縁層ＩＬの上方及び開口ＯＰ１において、
無機絶縁層５の上に配置されている。図示した例では、隔壁７は、上面１
２１Ａの上方に配置される一方で、上面１２２Ａの上方には配置されてい
ない。但し、隔壁７が上面１２２Ａの上方に配置されてもよい。
【０１０３】このような絶縁層１２は、例えば、以下のような手法で形成
可能である。すなわち、金属層ＭＴが形成された表示装置用マザー基板１
００の全面に、例えばポジ型の有機材料により絶縁層を形成する。
その後、絶縁層を露光する。この露光工程では、開口ＯＰ１の露光量は最
大に設定され、開口ＯＰ１から外側に向かうにしたがって露光量は段階的
に減少するように設定されている。その後、露光された絶縁層を現像する。
その後、絶縁層を焼成する。    これにより、上記の断面形状を有する絶縁
層１２が形成される。

【０１０４】  図１８Ｂは、他の構成例を示す断面図である。図１８Ｂに
示す構成例は、図１８Ａに示した構成例と比較して、有機絶縁層ＩＬの上
方の隔壁７を省略した点で相違している。隔壁７は、開口ＯＰ１において
無機絶縁層５の上に配置されている。

【０１０５】図１８Ｃは、他の構成例を示す断面図である。図１８Ｃに示
す構成例は、図１８Ａに示した構成例と比較して、開口ＯＰ１における隔
壁７を省略した点で相違している。隔壁７は、有機絶縁層ＩＬの上方にお
いて無機絶縁層５の上に配置されている。

【０１０６】図１９Ａは、他の構成例を示す断面図である。図１９Ａに示
す構成例は、図１８Ａに示した構成例と比較して、無機絶縁層５に開口が
存在しない点で相違している。隔壁７は、有機絶縁層ＩＬの上方及び開口
ＯＰ１において、無機絶縁層５の上に配置されている。
【０１０７】図１９Ｂは、他の構成例を示す断面図である。図１９Ｂに示
す構成例は、図１９Ａに示した構成例と比較して、有機絶縁層ＩＬの上方
の隔壁７を省略した点で相違している。隔壁７は、開口ＯＰ１において無
機絶縁層５の上に配置されている。

【０１０８】図１９Ｃは、他の構成例を示す断面図である。図１９Ｃに示
す構成例は、図１９Ａに示した構成例と比較して、開口ＯＰ１における隔
壁７を省略した点で相違している。隔壁７は、有機絶縁層ＩＬの上におい
て無機絶縁層５の上に配置されている。


【０１０９】次に、図２０乃至図２５を参照して、表示装置ＤＳＰの製造
方法について説明する。なお、図２０乃至図２５においては、絶縁層１２
よりも下方の図示を省略している。


【０１１０】まず、図２０に示すように、表示領域ＤＡにおいて、絶縁層
１２を形成した後に、絶縁層１２の上に、副画素ＳＰ１の下電極ＬＥ１、
副画素ＳＰ２の下電極ＬＥ２、副画素ＳＰ３の下電極ＬＥ３を形成する。
その後、無機絶縁層５を形成する。絶縁層１２及び無機絶縁層５は、表示
領域ＤＡのみならず、周辺領域ＳＡ及び余白部ＭＰにも形成される。
周辺領域ＳＡ及び余白部ＭＰにおける絶縁層１２を含む有機絶縁層ＩＬの
形成手法は、例えば、図１４Ａなどを参照して説明した通りであり、有機
絶縁層ＩＬを形成する工程は、金属層ＭＴに重なる開口ＯＰ１を形成する
工程を含んでいる。  
その後、表示領域ＤＡにおいて、無機絶縁層５の上に位置する下部６１と、
下部６１の上に位置する上部６２と、を有する隔壁６を形成する。このと
き、周辺領域ＳＡ及び余白部ＭＰにおいては、下部７１及び上部７２を有
する隔壁７も、隔壁６と同時に形成する。隔壁７は、図７などに示したよ
うに、有機絶縁層ＩＬの上に形成し、また、図１０などに示したように、
開口ＯＰ１に形成する。
 その後、無機絶縁層５に開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３を形成する。開口Ａ
Ｐ１は副画素ＳＰ１の下電極ＬＥ１に重なり、開口ＡＰ２は副画素ＳＰ２
の下電極ＬＥ２に重なり、開口ＡＰ３は副画素ＳＰ３の下電極ＬＥ３に重
なる。なお、開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３の形成工程は、隔壁６の形成工
程より前に行ってもよい。無機絶縁層５に開口ＡＰ１等を形成するのと同
時に、パッドＰＤの開口ＯＰ２も形成する。
【０１１１】続いて、表示素子２０１を形成する。
【０１１２】まず、図２１に示すように、隔壁６をマスクとして、下電極
ＬＥ１の上に、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、発光層ＥＭ１、
正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層などの各層を形成するための材
料を順次蒸着して、有機層ＯＲ１を形成する。  その後、隔壁６をマスク
として、有機層ＯＲ１の上に、マグネシウム及び銀の混合物を蒸着して、
上電極ＵＥ１を形成する。上電極ＵＥ１は、有機層ＯＲ１を覆い、下部６
１に接触している。  
その後、隔壁６をマスクとして、上電極ＵＥ１の上に、高屈折率材料及び
低屈折率材料を順次蒸着して、キャップ層ＣＰ１を形成する。  
これらの有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１は、真空
環境を維持した状態で連続して形成される。その後、キャップ層ＣＰ１
【０１１３】有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１は、
オーバーハング状の隔壁６によって分断される。有機層ＯＲ１、上電極上
Ｅ１、及び、キャップ層ＣＰ１がそれぞれ蒸着によって形成される際に蒸
着源から放たれた材料は、上部６２によって遮られる。このため、上部６
２の上には、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１のそ
れぞれの一部が積層される。上部６２の上に位置する有機層ＯＲ１、上電
極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１の各々は、下電極ＬＥ１の直上に位置
する有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１から離間して
いる。
【０１１４】これらの有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、キャップ層ＣＰ１、
及び、封止層ＳＥ１は、表示領域ＤＡのみならず、周辺領域ＳＡ及び余白
部ＭＰにも形成される。
【０１１５】続いて、図２２に示すように、封止層ＳＥ１の上に、所定の
形状にパターニングされたレジストＲ１を形成する。レジストＲ１は、副
画素ＳＰ１とその周囲の隔壁６の一部に重なっている。
【０１１６】続いて、図２３に示すように、レジストＲ１をマスクとしたエ
ッチングを行うことにより、レジストＲ１から露出した封止層ＳＥ１、キ
ャップ層ＣＰ１、上電極ＵＥ１、及び、有機層ＯＲ１を順次除去する。こ
れにより、副画素ＳＰ２の下電極ＬＥ２及び副画素ＳＰ３の下電極ＬＥ３
が露出する。その後、レジストＲ１を除去する。これにより、副画素ＳＰ
１に表示素子２０１が形成される。
【０１１７】続いて、図２４に示すように、表示素子２０２を形成する。
表示素子２０２を形成する手順は、表示素子２０１を形成する手順と同様
である。すなわち、下電極ＬＥ２の上に、発光層ＥＭ２を含む有機層ＯＲ
２、上電極ＵＥ２、キャップ層ＣＰ２、及び、封止層ＳＥ２を順に形成す
る。その後、封止層ＳＥ２の上にレジストを形成し、このレジストをマスク
としたエッチングにより、封止層ＳＥ２、キャップ層ＣＰ２上電極ＵＥ２、
及び、有機層ＯＲ２が順次パターニングされる。このパターニングの後、
レジストを除去する。これにより、副画素ＳＰ２に表示素子２０２が形成
され、副画素ＳＰ３の下電極ＬＥ３が露出する。
【０１１８】続いて、図２５に示すように、表示素子２０３を形成する。
表示素子２０３を形成する手順は、表示素子２０１を形成する手順と同様
である。すなわち、下電極ＬＥ３の上に、発光層ＥＭ３を含む有機層ＯＲ
３、上電極ＵＥ３、キャップ層ＣＰ３、及び、封止層ＳＥ３を順に形成す
る。その後、封止層ＳＥ３の上にレジストを形成し、このレジストをマス
クとしたエッチングにより、封止層ＳＥ３、キャップ層ＣＰ３、上電極Ｕ
Ｅ３、及び、有機層ＯＲ３が順次パターニングされる。このパターニング
の後、レジストを除去する。これにより、副画素ＳＰ３に表示素子２０３
が形成される。
【０１１９】その後、図３に示した樹脂層１３、封止層１４、及び、樹脂
層１５を順に形成する。これにより、表示装置ＤＳＰが完成する。
【０１２０】なお、以上の製造工程においては、最初に表示素子２０１が
形成され、次に表示素子２０２が形成され、最後に表示素子２０３が形成
される場合を想定したが、表示素子２０１、２０２、２０３の形成順はこ
の例に限られない。
【０１２１】図２６は、図７に示したパッドＰＤに多層膜１１５が形成さ
れた様子を説明するための断面図である。
【０１２２】上記の表示素子２０１、２０２、２０３をそれぞれ形成する
工程において、多層膜１１５は、余白部ＭＰ及び周辺領域ＳＡにも形成さ
れる。ここでの多層膜１１５とは、例えば、図２１を参照して説明した表
示素子２０１を形成するための有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャ
ップ層ＣＰ１を含んでいる。多層膜１１５は、無機絶縁層５、隔壁７，及
び、金属層ＭＴの上に形成される。
【０１２３】図２１を参照して説明したように、多層膜１１５は、オーバ
ーハング状の隔壁７によって分断される。すなわち、有機層ＯＲ１、上電
極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１がそれぞれ蒸着によって形成される際
に、蒸着源から放たれた材料は、隔壁７の上部７２によって遮られる。こ
のため、上部７２の上には、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャッ
プ層ＣＰ１のそれぞれの一部が積層される。上部７２の上に位置する有機
層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１の各々は、無機絶縁層
５の上に位置する有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１
から離間している。これにより、多層膜１１５は、部分的に分断される。
【０１２４】 特に、図６などに示したように、隔壁７が格子状に形成され
ている場合、隔壁７で囲まれた複数の閉領域が形成される。この場合、閉
領域に位置する多層膜１１５が隔壁７の上に位置する多層膜１１５と分断
され、結果として、多層膜１１５が細分化される。
【０１２５】多層膜１１５が隔壁７によって分断されていない場合と比較
して、連続した多層膜１１５の面積が低減され、多層膜１１５に生じうる
応力が分散される。また、無機絶縁層５及び無機絶縁層５の上の多層膜
１１５は、隔壁７で抑え込まれているため、無機絶縁層５の浮き上がり、
及び、多層膜１１５の無機絶縁層５からの浮き上りが抑制される。さらに、
多層膜１１５が形成された後に形成される封止層ＳＥ１は、隔壁７ととも
に多層膜１１５を抑え込んでいる。このため、多層膜１１５及び封止層Ｓ
Ｅ１の無機絶縁層５からの離脱を抑制することができる。
【０１２６】ここで、多層膜１１５が無機絶縁層５から浮き上がり、破
断した場合に生じうる不具合について説明する。無機絶縁層５から離脱し
た多層膜１１５は、異物となって製造装置内を浮遊し、汚染源となり得る。
また、浮遊した異物が処理基板に付着すると、種々の欠陥を引き起こす原
因となり得る。
【０１２７】これに対して、本実施形態によれば、パッドＰＤを含むパッ
ド領域において、多層膜１１５の離脱を抑制することができる。これによ
り、製造装置の汚染や、不所望な異物の生成が抑制される。したがって、
信頼性の低下が抑制される。
【０１２８】なお、多層膜１１５が表示素子２０２を形成するための有機
層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、及び、キャップ層ＣＰ２を含む場合であっても、
同様の効果が得られる。  また、多層膜１１５が表示素子２０３を形成する
ための有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、及び、キャップ層ＣＰ３を含む場合
であっても、同様の効果が得られる。
【０１２９】ここでは、図６及び図７に示した構成例について、多層膜１
１５の離脱が抑制される効果について説明したが、その他の各構成例につ
いても同様の効果が得られる。
【０１３０】また、図８などに示した構成例では、隣接するパッドＰＤの
間の小さいスペースにおいて、直線状の隔壁７が千鳥配置されている。こ
のように、格子状の隔壁７が配置できないスペースにおいて、直線状の隔
壁７が配置されることで、多層膜１１５が部分的に分断され、上記のよう
に多層膜１１５の離脱を抑制することができる。  
 また、図２２に示したレジストＲ１を形成する過程において、液状のレジ
ストＲ１を塗布する工程がある。直線状の隔壁７が千鳥配置されている場
合には、隔壁７が連続した長い直線状に形成された場合と比較して、塗布
したレジストＲ１の広がりが阻害されにくく、また、レジストＲ１は隔壁
７に接しながら広がる。これにより、レジストＲ１に不所望な空隙が形成
されるような不具合を抑制することができる。
【０１３１】また、図９及び図１０に示した構成例では、有機絶縁層ＩＬ
の開口ＯＰ１（あるいはパッドＰＤ）に重なる隔壁７が配置されている。
このため、開口ＯＰ１においても、多層膜１１５が分断され、上記のよう
に多層膜１１５の離脱を抑制することができる。
【０１３２】また、図１１に示した構成例では、有機絶縁層ＩＬの開口Ｏ
Ｐ１（あるいはパッドＰＤ）に重なる隔壁７が複数のセグメントに分割さ
れている。このため、開口ＯＰ１において、塗布したレジストＲ１の広が
りが阻害されにくくなる。
【０１３３】また、図１２及び図１３に示した構成例では、有機絶縁層Ｉ
Ｌの開口ＯＰ１（あるいはパッドＰＤ）に重なる隔壁７が格子状に形成さ
れている。このため、開口ＯＰ１において、多層膜１１５を細分化するこ
とができる。但し、図１２に示す構成例では、パッドＰＤにおける金属層
ＭＴが無機絶縁層５で覆われているため、パッドＰＤを利用した検査等
の処理は、無機絶縁層５が形成される前に実行される。
【０１３４】さらに、第１グループ、第２グループ、及び、第３グループ
で説明した各構成例においては、有機絶縁層ＩＬは、開口ＯＰ１に向かう
にしたがって厚さが低減する階段状の断面を有している。したがって、急
峻な段差の形成が抑制される。有機絶縁層ＩＬは、厚さが薄いほど伸びが
小さい。このため、有機絶縁層ＩＬの上に多層膜１１５が形成された際、
多層膜１１５の歪みが小さく、多層膜１１５において、局所的な応力の集
中を抑制することができる。これにより、無機絶縁層５からの多層膜１１
５の離脱を抑制することができる。
【０１３５】上記の実施形態において、例えば、絶縁層１１４は有機絶縁
層の第１層に相当し、絶縁層１２は有機絶縁層の第２層に相当する。また、
隔壁７は第１隔壁に相当し、下部７１は第１下部に相当し、上部７２は第
１上部に相当し、隔壁６は第２隔壁に相当し、下部６１は第２下部に相当
し、上部６２は第２上部に相当する。
【０１３６】以上説明したように、本実施形態によれば、信頼性の低下を
抑制することが可能な表示装置及び表示装置の製造方法を提供することが
できる。
【０１３７】以上、本発明の実施形態として説明した表示装置及び表示装
置の製造方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表
示装置及び表示装置の製造方法も、本発明の要旨を包含する限り本発明の
範囲に属する。
【０１３８】本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形
例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属す
るものと解される。例えば、上述の実施形態に対して、当業者が適宜、構
成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追
加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限
り、本発明の範囲に含まれる。
【０１３９】また、上述の実施形態において述べた態様によりもたらされ
る他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業
者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらさ
れるものと解される。
【０１４０】本明細書にて開示した構成から得られる表示装置用マザー基
板の一例を以下に付記する。  
（Ａ）
  画像を表示する表示領域と、前記表示領域よりも外側の周辺領域と、を
有するパネル部と、前記パネル部よりも外側の余白部と、
  前記パネル部及び前記余白部に亘って配置された有機絶縁層と、
  前記表示領域において、前記有機絶縁層の上に配置された下電極と、
  前記下電極の上に配置され、発光層を含む有機層と、
  前記有機層の上に配置された上電極と、
  第１下部と、前記第１下部の上に配置され前記第１下部の側面から突出
した第１上部と、を有する第１隔壁と、
  前記余白部に配置され、前記有機絶縁層の開口に重なる金属層と、を備
え、前記第１隔壁は、前記開口に配置されている、表示装置用マザー基板。  
（Ｂ）
  画像を表示する表示領域と、前記表示領域よりも外側の周辺領域と、を
有するパネル部と、前記パネル部よりも外側の余白部と、
  前記パネル部及び前記余白部に亘って配置された有機絶縁層と、
  前記表示領域において、前記有機絶縁層の上に配置された下電極と、
  前記下電極の上に配置され、発光層を含む有機層と、
  前記有機層の上に配置された上電極と、
  第１下部と、前記第１下部の上に配置され前記第１下部の側面から突出
した第１上部と、を有する第１隔壁と、前記余白部に配置され、前記有
機絶縁層の開口に重なる金属層と、を備え、前記第１隔壁は、前記余白部
及び前記周辺領域の少なくとも一方において、前記有機絶縁層の上方に配
置されている、表示装置用マザー基板。

【００９７】    《第３グループ》
【００９８】 図１８Ａは、第３グループの一構成例を示す断面図である。
【００９９】図１８Ａに示す構成例は、図１４Ａに示した構成例と比較し
て、階段状の断面を有する有機絶縁層ＩＬが絶縁層１２の単層体である点
で相違している。絶縁層１１４は、存在しない。絶縁層１２は、開口ＯＰ
１を有している。
【０１００】有機絶縁層ＩＬの厚さＴ１は、絶縁層１１３の上面から絶縁
層１２のほぼ平坦な上面１２１Ａまでの第３方向Ｚに沿った長さに相当す
る。  有機絶縁層ＩＬの厚さＴ２は、金属層ＭＴの上面から絶縁層１２の
ほぼ平坦な上面１２２Ａまでの第３方向Ｚに沿った長さに相当する。厚さ
Ｔ２は、厚さＴ１より小さい。上面１２２Ａは、上面１２１Ａと開口ＯＰ
１との間に位置し、また、上面１２１Ａよりも下方に位置している。
【０１０１】無機絶縁層５は、絶縁層１２を覆い、金属層ＭＴを露出する
開口ＯＰ２を有している。
【０１０２】隔壁７は、有機絶縁層ＩＬの上方及び開口ＯＰ１において、
無機絶縁層５の上に配置されている。図示した例では、隔壁７は、上面
１２１Ａの上方に配置される一方で、上面１２２Ａの上方には配置されて
いない。但し、隔壁７が上面１２２Ａの上方に配置されてもよい。
【０１０３】このような絶縁層１２は、例えば、以下のような手法で形成
可能である。  
 すなわち、金属層ＭＴが形成された表示装置用マザー基板１００の全面に、
例えばポジ型の有機材料により絶縁層を形成する。その後、絶縁層を露光
する。この露光工程では、開口ＯＰ１の露光量は最大に設定され、開口Ｏ
Ｐ１から外側に向かうにしたがって露光量は段階的に減少するように設定
されている。その後、露光された絶縁層を現像する。その後、絶縁層を焼
成する。これにより、上記の断面形状を有する絶縁層１２が形成される。
【０１０４】図１８Ｂは、他の構成例を示す断面図である。  
  図１８Ｂに示す構成例は、図１８Ａに示した構成例と比較して、有機絶縁
層ＩＬの上方の隔壁７を省略した点で相違している。隔壁７は、開口ＯＰ
１において無機絶縁層５の上に配置されている。
【０１０５】図１８Ｃは、他の構成例を示す断面図である。 図１８Ｃに
示す構成例は、図１８Ａに示した構成例と比較して、開口ＯＰ１における
隔壁７を省略した点で相違している。隔壁７は、有機絶縁層ＩＬの上方に
おいて無機絶縁層５の上に配置されている。
【０１０６】図１９Ａは、他の構成例を示す断面図である。  
  図１９Ａに示す構成例は、図１８Ａに示した構成例と比較して、無機絶縁
層５に開口が存在しない点で相違している。隔壁７は、有機絶縁層ＩＬの
上方及び開口ＯＰ１において、無機絶縁層５の上に配置されている。
【０１０７】図１９Ｂは、他の構成例を示す断面図である。  
  図１９Ｂに示す構成例は、図１９Ａに示した構成例と比較して、有機絶縁
層ＩＬの上方の隔壁７を省略した点で相違している。隔壁７は、開口ＯＰ
１において無機絶縁層５の上に配置されている。
【０１０８】図１９Ｃは、他の構成例を示す断面図である。  
  図１９Ｃに示す構成例は、図１９Ａに示した構成例と比較して、開口Ｏ
Ｐ１における隔壁７を省略した点で相違している。隔壁７は、有機絶縁層
ＩＬの上方において無機絶縁層５の上に配置されている。
【０１０９】
  次に、図２０乃至図２５を参照して、表示装置ＤＳＰの製造方法について
説明する。なお、図２０乃至図２５においては、絶縁層１２よりも下方の
図示を省略している。
【０１１０】まず、図２０に示すように、表示領域ＤＡにおいて、絶縁層
１２を形成した後に、絶縁層１２の上に、副画素ＳＰ１の下電極ＬＥ１、
副画素ＳＰ２の下電極ＬＥ２、副画素ＳＰ３の下電極ＬＥ３を形成する。
その後、無機絶縁層５を形成する。  
 絶縁層１２及び無機絶縁層５は、表示領域ＤＡのみならず、周辺領域ＳＡ
及び余白部ＭＰにも形成される。周辺領域ＳＡ及び余白部ＭＰにおける絶
縁層１２を含む有機絶縁層ＩＬの形成手法は、例えば、図１４Ａなどを参
照して説明した通りであり、有機絶縁層ＩＬを形成する工程は、金属層Ｍ
Ｔに重なる開口ＯＰ１を形成する工程を含んでいる。
  
 その後、表示領域ＤＡにおいて、無機絶縁層５の上に位置する下部６１と、
下部６１の上に位置する上部６２と、を有する隔壁６を形成する。このと
き、周辺領域ＳＡ及び余白部ＭＰにおいては、下部７１及び上部７２を有
する隔壁７も、隔壁６と同時に形成する。隔壁７は、図７などに示したよ
うに、有機絶縁層ＩＬの上に形成し、また、図１０などに示したように、
開口ＯＰ１に形成する。その後、無機絶縁層５に開口ＡＰ１、ＡＰ２、Ａ
Ｐ３を形成する。開口ＡＰ１は副画素ＳＰ１の下電極ＬＥ１に重なり、開
口ＡＰ２は副画素ＳＰ２の下電極ＬＥ２に重なり、開口ＡＰ３は副画素Ｓ
Ｐ３の下電極ＬＥ３に重なる。なお、開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３の形成
工程は、隔壁６の形成工程より前に行ってもよい。無機絶縁層５に開口Ａ
Ｐ１等を形成するのと同時に、パッドＰＤの開口ＯＰ２も形成する。
【０１１１】続いて、表示素子２０１を形成する。
【０１１２】まず、図２１に示すように、隔壁６をマスクとして、下電極
ＬＥ１の上に、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、発光層ＥＭ１、
正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層などの各層を形成するための材
料を順次蒸着して、有機層ＯＲ１を形成する。その後、隔壁６をマスク
として、有機層ＯＲ１の上に、マグネシウム及び銀の混合物を蒸着して、
上電極ＵＥ１を形成する。上電極ＵＥ１は、有機層ＯＲ１を覆い、下部６
１に接触している。その後、隔壁６をマスクとして、上電極ＵＥ１の上に、
高屈折率材料及び低屈折率材料を順次蒸着して、キャップ層ＣＰ１を形成
する。  
 これらの有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１は、真空
環境を維持した状態で連続して形成される。  その後、キャップ層ＣＰ１
及び隔壁６を連続的に覆うように、封止層ＳＥ１を形成する。
【０１１３】 有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１は、
オーバーハング状の隔壁６によって分断される。  

 有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１がそれぞれ蒸着
によって形成される際に、蒸着源から放たれた材料は、上部６２によって
遮られる。このため、上部６２の上には、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、
及び、キャップ層ＣＰ１のそれぞれの一部が積層される。上部６２の上に
位置する有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１の各々は、
下電極ＬＥ１の直上に位置する有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャ
ップ層ＣＰ１から離間している。
【０１１４】これらの有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、キャップ層ＣＰ１、
及び、封止層ＳＥ１は、表示領域ＤＡのみならず、周辺領域ＳＡ及び余白
部ＭＰにも形成される。
【０１１５】続いて、図２２に示すよに、封止層ＳＥ１の上に、所定の
形状にパターニングされたレジストＲ１を形成する。レジストＲ１は、
副画素ＳＰ１とその周囲の隔壁６の一部に重なっている。
【０１１６】続いて、図２３に示すように、レジストＲ１をマスクとした
エッチングを行うことにより、レジストＲ１から露出した封止層ＳＥ１、
キャップ層ＣＰ１、上電極ＵＥ１、及び、有機層ＯＲ１を順次除去する。
これにより、副画素ＳＰ２の下電極ＬＥ２及び副画素ＳＰ３の下電極ＬＥ
３が露出する。その後、レジストＲ１を除去する。これにより、副画素Ｓ
Ｐ１に表示素子２０１が形成される。
【０１１７】続いて、図２４に示すように、表示素子２０２を形成する。
表示素子２０２を形成する手順は、表示素子２０１を形成する手順と同様
である。すなわち、下電極ＬＥ２の上に、発光層ＥＭ２を含む有機層ＯＲ
２、上電極ＵＥ２、キャップ層ＣＰ２、及び、封止層ＳＥ２を順に形成す
る。その後、封止層ＳＥ２の上にレジストを形成し、このレジストをマス
クとしたエッチングにより、封止層ＳＥ２、キャップ層ＣＰ２、上電極Ｕ
Ｅ２、及び、有機層ＯＲ２が順次パターニングされる。このパターニング
の後、レジストを除去する。これにより、副画素ＳＰ２に表示素子２０２
が形成され、副画素ＳＰ３の下電極ＬＥ３が露出する。
【０１１８】続いて、図２５に示すように、表示素子２０３を形成する。
表示素子２０３を形成する手順は、表示素子２０１を形成する手順と同様
である。すなわち、下電極ＬＥ３の上に、発光層ＥＭ３を含む有機層ＯＲ
３、上電極ＵＥ３、キャップ層ＣＰ３、及び、封止層ＳＥ３を順に形成す
る。その後、封止層ＳＥ３の上にレジストを形成し、このレジストをマス
クとしたエッチングにより、封止層ＳＥ３、キャップ層ＣＰ３、上電極Ｕ
Ｅ３、及び、有機層ＯＲ３が順次パターニングされる。このパターニング
の後、レジストを除去する。これにより、副画素ＳＰ３に表示素子２０３
が形成される。
【０１１９】その後、図３に示した樹脂層１３、封止層１４、及び、樹脂
層１５を順に形成する。これにより、表示装置ＤＳＰが完成する。
【０１２０】なお、以上の製造工程においては、最初に表示素子２０１が
形成され、次に表示素子２０２が形成され、最後に表示素子２０３が形成
される場合を想定したが、表示素子２０１、２０２、２０３の形成順はこ
の例に限られない。
【０１２１】図２６は、図７に示したパッドＰＤに多層膜１１５が形成さ
れた様子を説明するための断面図である。
【０１２２】上記の表示素子２０１、２０２、２０３をそれぞれ形成する
工程において、多層膜１１５は、余白部ＭＰ及び周辺領域ＳＡにも形成さ
れる。ここでの多層膜１１５とは、例えば、図２１を参照して説明した表
示素子２０１を形成するための有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャ
ップ層ＣＰ１を含んでいる。多層膜１１５は、無機絶縁層５、隔壁７，及
び、金属層ＭＴの上に形成される。
【０１２３】図２１を参照して説明したように、多層膜１１５は、オーバ
ーハング状の隔壁７によって分断される。すなわち、有機層ＯＲ１、上電
極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１がそれぞれ蒸着によって形成される際
に、蒸着源から放たれた材料は、隔壁７の上部７２によって遮られる。こ
のため、上部７２の上には、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャッ
プ層ＣＰ１のそれぞれの一部が積層される。上部７２の上に位置する有機
層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１の各々は、無機絶縁層
５の上に位置する有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１
から離間している。これにより、多層膜１１５は、部分的に分断される。
【０１２４】特に、図６などに示したように、隔壁７が格子状に形成され
ている場合、隔壁７で囲まれた複数の閉領域が形成される。この場合、各
閉領域に位置する多層膜１１５が隔壁７の上に位置する多層膜１１５と分
断され、結果として、多層膜１１５が細分化される。
【０１２５】多層膜１１５が隔壁７によって分断されていない場合と比較
して、連続した多層膜１１５の面積が低減され、多層膜１１５に生じうる
応力が分散される。また、無機絶縁層５及び無機絶縁層５の上の多層膜１
１５は、隔壁７で抑え込まれているため、無機絶縁層５の浮き上がり、及
び、多層膜１１５の無機絶縁層５からの浮き上りが抑制される。さらに、
多層膜１１５が形成された後に形成される封止層ＳＥ１は、隔壁７ととも
に多層膜１１５を抑え込んでいる。このため、多層膜１１５及び封止層Ｓ
Ｅ１の無機絶縁層５からの離脱を抑制することができる。
【０１２６】ここで、多層膜１１５が無機絶縁層５から浮き上がり、破断
した場合に生じうる不具合について説明する。無機絶縁層５から離脱した
多層膜１１５は、異物となって製造装置内を浮遊し、汚染源となり得る。
また、浮遊した異物が処理基板に付着すると、種々の欠陥を引き起こす原
因となり得る。
【０１２７】これに対して、本実施形態によれば、パッドＰＤを含むパッ
ド領域において、多層膜１１５の離脱を抑制することができる。これによ
り、製造装置の汚染や、不所望な異物の生成が抑制される。したがって、
信頼性の低下が抑制される。
【０１２８】なお、多層膜１１５が表示素子２０２を形成するための有機
層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、及び、キャップ層ＣＰ２を含む場合であっても、
同様の効果が得られる。  
  また、多層膜１１５が表示素子２０３を形成するための有機層ＯＲ３、
上電極ＵＥ３、及び、キャップ層ＣＰ３を含む場合であっても、同様の効
果が得られる。
【０１２９】ここでは、図６及び図７に示した構成例について、多層膜１
１５の離脱が抑制される効果について説明したが、その他の各構成例につ
いても同様の効果が得られる。
【０１３０】また、図８などに示した構成例では、隣接するパッドＰＤの
間の小さいスペースにおいて、直線状の隔壁７が千鳥配置されている。こ
のように、格子状の隔壁７が配置できないスペースにおいて、直線状の隔
壁７が配置されることで、多層膜１１５が部分的に分断され、上記のよう
に多層膜１１５の離脱を抑制することができる。  
 また、図２２に示したレジストＲ１を形成する過程において、液状のレジ
ストＲ１を塗布する工程がある。直線状の隔壁７が千鳥配置されている場
合には、隔壁７が連続した長い直線状に形成された場合と比較して、塗布
したレジストＲ１の広がりが阻害されにくく、また、レジストＲ１は隔壁
７に接しながら広がる。これにより、レジストＲ１に不所望な空隙が形成
されるような不具合を抑制することができる。
【０１３１】また、図９及び図１０に示した構成例では、有機絶縁層Ｉ
Ｌの開口ＯＰ１（あるいはパッドＰＤ）に重なる隔壁７が配置されている
。このため、開口ＯＰ１においても、多層膜１１５が分断され、上記のよ
うに多層膜１１５の離脱を抑制することができる。
【０１３２】また、図１１に示した構成例では、有機絶縁層ＩＬの開口
ＯＰ１（あるいはパッドＰＤ）に重なる隔壁７が複数のセグメントに分割
されている。このため、開口ＯＰ１において、塗布したレジストＲ１の広
がりが阻害されにくくなる。
【０１３３】また、図１２及び図１３に示した構成例では、有機絶縁層ＩＬ
の開口ＯＰ１（あるいはパッドＰＤ）に重なる隔壁７が格子状に形成され
ている。このため、開口ＯＰ１において、多層膜１１５を細分化すること
ができる。但し、図１２に示す構成例では、パッドＰＤにおける金属層Ｍ
Ｔが無機絶縁層５で覆われているため、パッドＰＤを利用した検査等の処
理は、無機絶縁層５が形成される前に実行される。
【０１３４】さらに、第１グループ、第２グループ、及び、第３グループ
で説明した各構成例においては、有機絶縁層ＩＬは、開口ＯＰ１に向かう
にしたがって厚さが低減する階段状の断面を有している。したがって、急
峻な段差の形成が抑制される。有機絶縁層ＩＬは、厚さが薄いほど伸びが
小さい。このため、有機絶縁層ＩＬの上に多層膜１１５が形成された際、
多層膜１１５の歪みが小さく、多層膜１１５において、局所的な応力の集
中を抑制することができる。これにより、無機絶縁層５からの多層膜１１
５の離脱を抑制することができる。
【０１３５】上記の実施形態において、例えば、絶縁層１１４は有機絶縁
層の第１層に相当し、絶縁層１２は有機絶縁層の第２層に相当する。また、
隔壁７は第１隔壁に相当し、下部７１は第１下部に相当し、上部７２は第
１上部に相当し、隔壁６は第２隔壁に相当し、下部６１は第２下部に相当
し、上部６２は第２上部に相当する。
【０１３６】以上説明したように、本実施形態によれば、信頼性の低下
を抑制することが可能な表示装置及び表示装置の製造方法を提供すること
ができる。
【０１３７】以上、本発明の実施形態として説明した表示装置及び表示装
置の製造方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表
示装置及び表示装置の製造方法も、本発明の要旨を包含する限り本発明の
範囲に属する。
【０１３８】本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形
例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属す
るものと解される。例えば、上述の実施形態に対して、当業者が適宜、構
成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追
加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限
り、本発明の範囲に含まれる。
【０１３９】また、上述の実施形態において述べた態様によりもたらされ
る他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業
者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらさ
れるものと解される。
【０１４０】本明細書にて開示した構成から得られる表示装置用マザー基
板の一例を以下に付記する。  
（Ａ）
  画像を表示する表示領域と、前記表示領域よりも外側の周辺領域と、を
有するパネル部と、
  前記パネル部よりも外側の余白部と、
  前記パネル部及び前記余白部に亘って配置された有機絶縁層と、
  前記表示領域において、前記有機絶縁層の上に配置された下電極と、
  前記下電極の上に配置され、発光層を含む有機層と、
  前記有機層の上に配置された上電極と、
  第１下部と、前記第１下部の上に配置され前記第１下部の側面から突出
した第１上部と、を有する第１隔壁と、
  前記余白部に配置され、前記有機絶縁層の開口に重なる金属層と、を備
え、前記第１隔壁は、前記開口に配置されている、表示装置用マザー基板。  

（Ｂ）
  画像を表示する表示領域と、前記表示領域よりも外側の周辺領域と、を
有するパネル部と、
  前記パネル部よりも外側の余白部と、
  前記パネル部及び前記余白部に亘って配置された有機絶縁層と、
  前記表示領域において、前記有機絶縁層の上に配置された下電極と、
  前記下電極の上に配置され、発光層を含む有機層と、
  前記有機層の上に配置された上電極と、
  第１下部と、前記第１下部の上に配置され前記第１下部の側面から突出
した第１上部と、を有する第１隔壁と、前記余白部に配置され、前記有機
絶縁層の開口に重なる金属層と、を備え、前記第１隔壁は、前記余白部及
び前記周辺領域の少なくとも一方において、前記有機絶縁層の上方に配置
されている、表示装置用マザー基板。

【図２１】図２１は、表示装置ＤＳＰの製造方法を説明するための図

【図２２】図２２は、表示装置ＤＳＰの製造方法を説明するための図

【図２３】図２３は、表示装置ＤＳＰの製造方法を説明するための図

【図２４】図２４は、表示装置ＤＳＰの製造方法を説明するための図

【図２５】図２５は、表示装置ＤＳＰの製造方法を説明するための図

図２６は、図７に示したパッドＰＤに多層膜１１５が形成様子を説明する
ための断面図

🪄今回で了。ジャパン・ディスプレイは赤字が続いていたが、マスクレス
　+フォトリソグラフィで起死回生を図るという。当面目が離せない。継続
　的に考察をし後押ししたい。　　　　　　　　　　　　　
　

 　　Stevie Wonder 「迷信」 (Superstition)  1972年
　　　

 ●　今日の言葉：ヒートショックに要注意