Rakulaser 375nm 50mW 紫外線 UV レーザー

375nm 50mW 紫外線 UV 半導体レーザー パワー安定性 3%

[特長]
1.高出力安定性(
[規格]
波長|Wavelength: 375nm (+/-5nm)
出力電力|Output Power: 50mW
作業温度|Operating Temperature: 0°C-40°C
貯蔵温度|Storage Temperature: -40°C-85°C



パラメータ 作業条件 記号 最小の 类型 最大 単位
出力パワー APC PO 50 mW
出力安定性 2hrs Ps 3 %
中心波長 @PO λc 375 nm
スペクトル線幅 @PO FWHM 2 nm
ビーム直径 1/e2 完全な角 D 2mm D//
1mm D┴ mm
ビーム発散角 1/e2 完全な角 Div 0.5 mrad Div//
1 mrad Div┴ mrad
予熱時間 @PO Tw 5 分
騒音 RMS(10Hz-100MHz) N 1 %
使用寿命 @PO MTBF 10000 時間

技科大ら，薄膜Qスイッチレーザーの高出力化に成功

豊橋技術科学大学，分子科学研究所，米アイオワ州立大学らは，共同で磁場と光の相互作用である磁気光学効果を発現する膜を用いた，集積化可能なQスイッチレーザーのピークパワーを１キロワットまで高めた。さらに，従来不可能と考えられてきたランダム偏光（無偏光）の光に対しても磁気を使ったQスイッチが有効であることを示した。



高出力かつ小型で丈夫なレーザーは，自動車の衝突防止センサーや，医療機器，機械加工，レーザー点火などで使われ，その活躍の場は現在急激に広がっている。

今回，研究グループは，最近開発に成功した迷路状の磁気ドメインをもつ透明磁性材料を用いた薄膜Qスイッチレーザーの高出力化に成功した。このレーザーのピークパワーは，1.1キロワットに達した。この値は，同手法を用いた従来報告されていたパワーよりも1桁大きい。

レーザーを形作る共振器（キャビティー）を，他の制御可能なQスイッチ素子では達成が難しい10mmまで縮めることで，パルス幅を短くした。同グループは，これまでも，磁気光学効果を使ったQスイッチレーザーを報告しているが，出力光の偏光状態は，直線偏光に限られていた。今回の研究で初めて，同構成のレーザーにより，ランダム偏光（無偏光）の出力光も得られることが明らかになり，これにより扱える光の状態が大幅に広がった。

さらに今回の研究結果は，ガーネット構造をもつレーザー結晶と，同じくガーネット構造をもつ透明磁性膜の組合せで実証された。これにより従来よりも，レーザー結晶と透明磁性膜の融合が遥かに容易になり，集積化の可能性を大きく高めた。

今後，レーザー結晶とQスイッチ膜の一体化が進めば，素子1つあたりの価格が大幅に安くなることが期待されるとしている。
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266nm 紫外レーザ DPSS 30mW

全固体波長266 nmの紫外レーザ超小型、長寿命の特徴は、低コストかつ簡単な操作で、紫外線硬化に広く使用されているマイクロエレクトロニクス、cdの彫刻、レーザー医療、科学実験等.



[規格]

中心波長(nm) 266±1
平均電力出力(mW) 30mw
横モード Near TEM00
動作モード Qスイッチパルスレーザの周波数変換
単一パルスエネルギー(µJ) 0.1~5
パルス持続時間 (ns) ~5
ピーク電力 (KW) ~0.7
重复率(kHz) 固定 一つの固定されたリピート率内部1k-4khz間の安定したパルスエネルギーを設定し、パルス幅とパルス周期.
内線三角 1kHz-4kHz 安定したパルスエネルギーをもつ外部トリガにより、パルス幅とパルスの期間。
QCW QCW 1つのリピート率の間の状態 5k-7kHz.
平均パワー (mW) 平均パワー (mW) = 単一パルスエネルギー (µJ) * 重复率 (kHz)
平均電力の安定性（4時間以上） <5%, <10%
ウォームアップ時間（分） <10
M2 因子 <1. 5
スペクトル純度 >99%
ビームパラメータ 楕円形の(4:1), ビーム・スポット ~2mm
偏光比 >100:1
ベースプレートからのビームの高さ (mm) 45
動作温度(℃) 10~35
電力供給 (90-264VAC) PSU-H-FDA
期待寿命（時間） 5000
保証期間 1 year
注意：非線形結晶の影響からの散歩のため、紫外線レーザのビーム品質1064 532 nmのレーザとしては良くない。