1064nm Qスイッチレーザー パルスレーザー

これはQスイッチレーザーで、波長は1064nmです。 これは非常に人気のあるLabパルスレーザーシステムです。 このレーザはCW連続動作モードを持っていません。 CWへの電源供給は手動で周波数を調整するモードです。 電流を調整することは、周波数を調整すること、すなわち平均電力を調整することである。

0~200W 精度0.1mW レーザーパワーメーター

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中国における高出力固体レーザ技術の開発における2つの突破する

中国における高出力固体レーザー技術の開発における2つの突破する


要約：1960年のレーザーの出現直後、旧ソビエト連邦のBassoff、American Nuckolls、そして私のKing Suichangなどの有名な科学者たちは、実験室で非常に高い出力密度のレーザーを作り出す能力、高温高圧条件の生成、そして核生成を強く意識していた。 核融合は、それぞれの国で初期のレーザー核融合研究を独自に推進しました。 今日、レーザー駆動慣性閉込め核融合（ICF）研究は、実験室でICFと高エネルギー密度科学を研究している最先端の技術分野となっています。

キーワード：中国、ハイパワー、固体、レーザー技術、二回

1960年にレーザーが登場して間もないソビエト連邦バソフ院士、米国のNatkollsと中国 Wang Yichang教授ら有名な科学者は、実験室内で高出力密度を創造できるレーザーを鋭敏に意識し、高温高圧的な条件を生み出し、核融合を誘発し、それぞれの所在国で早期のレーザー集変研究を推進している。今日、レーザー駆動慣性制約集変（inertial Infineut feut fision、IC F）研究はすでに重大な最先端技術分野となっており、実験室内でIC Fと高能密度物理学（盛り込みenergy densal scies、HDs）のかけがえのない主要な技術ルートであり、さらに未来人類が持続可能なエネルギーを創造する主要な技術ルートの一つである。

ICFは核融合着火の基本的な物理的特性を実現するもので、高出力密度エネルギーを使用して燃焼ターゲットを加熱し、圧縮して燃料を自立燃焼させることによって、いわゆる「ローソン基準」となる熱核着火条件を実現します。 高出力レーザは、正確な制御性を有するＩＣＦ駆動条件に関して重要な利点を有するが、実験室のミリメートル空域およびナノ秒時間領域スケールにおいてローソン基準を達成するのに必要とされる正確な条件は容易ではない。 第１に、十分に高いエネルギーおよびパワーでレーザパルスを駆動することが必要であり、またレーザ波長、高いビーム品質、高い目標精度、正確なパルス波形および同期精度を含む高いビーム品質を必要とする。 これらの技術的要求は、高出力レーザー技術の研究開発の方向性を指摘しており、また高出力固体レーザー装置の開発にとって大きな挑戦を提起している。

1970年代に、中国工学物理学院のYu Min教授は、レーザー慣性閉込め核融合が、理論、実験、診断、ターゲット、およびレーザードライバーの5つの側面を含む非常に複雑で大規模な科学プロジェクトであることを提案しました。 お互いの協調的な発展、すなわち「5つの1つ」の発展思考。

現時点では、ICF研究と巨大レーザードライバの全体的なレベルは、核融合科学と高エネルギー密度の科学的研究の分野における国全体のレベルを表す、その国の全体的な強さを反映しています。 現在、高出力レーザー技術の研究は輝かしい開発過程を経て、第一世代技術が歴史となり、第二世代技術が開発の主流となり、三世代技術が出現し、高出力固体レーザー技術の活発な開発を示している。

1970年代以来、アメリカ、中国、イギリス、フランス、日本、ロシアおよび他の国々は、100ジュールから数十キロジュールまでの範囲のエネルギーを有する多数のナノ秒パルス幅ビスマスレーザーデバイスを連続して製造してきた。 1990年代、先進国はより大規模な設備の建設を開始し、高出力レーザー技術の開発は新たな歴史的時代に入りました。 1990年代半ば、アメリカのリバモア研究所（LLNL）は、新世代の固体レーザー光学材料、ユニット技術、そして高度な総合設計技術の開発を先導し、数十億ドル、10年前の科学を立ち上げました。 国立点火装置（NIF）のエンジニアリング、建設。 フランス原子力委員会（CEA）はNIFと同じ大きさのメガジュールレーザー装置（LMJ）の建設を直ちに開始し、ロシアは2017年末までに世界で最も強力なレーザーシステムUFL-2Mの発売を計画しています。 実地調査

超高出力短パルスレーザーは、高出力固体レーザー技術にとってもう一つの重要な方向性です。 1980年代半ばに開発されたチャープパルス増幅（CPA）技術は、レーザー技術の新たな画期的な出来事であり、超短パルスレーザー技術は急速に核融合高速点火および多くの分野横断的分野および防衛用途の指導の下で様々な技術力の焦点となりました。 超短パルスレーザー装置のホットスポット、マルチピコ秒、フェムト秒パルス幅は完成しているか開発中であり、中国科学院は超短パルス超短パルスレーザー装置をリアルタイムで技術的なルートで開発した。

2.高出力固体レーザー装置の開発経緯

1964年に、中国科学院の副学部長であるWang Yichang教授は、「高エネルギーおよび高出力のフォトミラーを使用して中性子を生成するための提案」を提案し、中国科学院の上海光学研究所および精密力学に深く関わった。 パワーレーザー技術の研究におけるDeng Ximingおよび他の科学者の積極的な反応、ならびに中国科学院のリーダーであるZhang Jinfuの支援は、当初はこの広範囲にわたる研究分野を発展させ、徐々に形成していった。 それ以来、中国の高出力レーザー技術は明確な発展の方向性を持っています、上海光学機械研究所は研究所の強力な支援を受けて、最も初期の研究拠点であり、中国アカデミーは徐々に高出力レーザー技術の研究拠点となっています。

1960年代に中国と米国の両方でICF用の高出力レーザードライバーの研究が開始され、1973年に両国はICF技術研究用のレーザードライバーの開発に成功しました。 残念ながら、レーザー技術とプラズマ物理学における過去10年間の継続的な革新と突破口の中で、中国におけるこの研究活動は重要な開発期間を失うことになった多くの理由により、1970年代後半にアメリカが建設されました。 Argusデバイスは1978年に大型のShivaデバイスを使用して製造され、1982年にはより強力なNovaデバイスが製造され、1980年代初頭には中国で大規模レーザーデバイスの予備調査が開始されました。 現時点では、中国の高出力レーザー技術は、米国の多くの分野で遅れをとっています。

投稿者：中国物理学会ジャーナルネットワーク

超短超強力レーザーの実現

超短超強力レーザーの実現

レーザ応用の観点から、レーザの開発は主に、より高いパワー、より短いパルス幅、およびより高いエネルギー出力を見出すことである。
すなわち、超強力超短レーザーパルスを得るプロセスである。
超短レーザーおよび超強力レーザーの構築は、主にレーザー増幅技術の開発と革新に依存しています。

従来のレーザは、レーザ出力を改善するために、Ｑスイッチング、モードロック、および他の技術を使用する。
レーザ出力を達成するためには、最初に粒子反転を達成することが必要であり、次に損失よりも大きいエネルギー利得を満たすことが必要である。
Qは共振空胴の品質係数で、レーザーのエネルギー損失を測定するために使用されます。 Ｑ値が高いほど、共振空洞の光損失は大きい。
対応するレーザーしきい値が高くなります。 Ｑスイッチがオフ状態にあるとき、キャビティの内側は、高いしきい値でより多くの反転粒子を蓄積し、レーザ出力を形成しないであろう。
光ポンプがさらにポンピングされるにつれて、上のレベルはますます多くの粒子を蓄積する。
Qスイッチが開いている状態では、ほとんどすべての反転粒子がすぐに上のレベルから遷移し、非常に短い時間（約10 -8〜10 -4）の束を形成します。
光強度は数メガワットのパルス光に達する。 Ｑスイッチを周期的に調整することにより、高強度の短パルスレーザを安定して連続的に出力することができる。
しかしながら、レーザの光強度がこの閾値よりも高い場合、レーザ利得媒体は一定の損傷閾値を有する。
非線形カー効果のために、レーザ自己集束、波面形成などがレーザ伝播特性（非コリメーション、インコヒーレンスなど）を破壊する。
それは、光波面およびエネルギーの不均一な分布を引き起こし、そして局所的なホットスポットなどを生成し、そして局所的なホットスポットは増幅媒体をさらに損傷するであろう。
Ｑスイッチング技術は、利得媒体飽和度および損傷閾値によって制限される。光強度が１０１５Ｗ ／ ｃｍ ２より高いと、それ以上負荷を増大させることが困難となる。

チャープパルス増幅（CPA、図1（a）参照）
そして、光パラメトリックチャープパルス増幅（OPCPA、図1（b）参照）の出現、
Qスイッチング技術における固体媒体の損傷閾値の制限を効果的に克服します。
レーザーのパワー密度は1970年代の1015 W / cm 2から今日の1022 W / cm 2まで増加しました。
より高い電力密度を有するレーザーが設計および製造されており、そして近い将来には１０２４Ｗ ／ ｃｍ ２に達すると予想される。

レーザーロケータ応用の木材加工石材カット生地の裁断

CivilLaserのレーザーポジショナーは、さまざまな工業生産設備で使用できます。材料切断、木工機械、包装機械、ストーンブリッジ切断機、ガラスの加工におけるタイヤの位置決めおよび位置決めなど、マーキングおよび位置決めを支援できます。 加工、溶接加工、PCB加工、機械製造における板金加工、鋼板マーキング位置決め、布切断、マッチングおよびマッチング、切断機位置決め、コンピューターバッグ開封機マーキング、刺繍機製造工程における位置決め 機器の設置や建物の装飾の位置決めにも使用され、幅広い用途があります。

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