今回は 前回お話を致しました電界効果トランジスター
(FETトランジスター)の特徴と半導体の温度特性のお話
しを致します。 . . . 本文を読む
訪問された方は、”バナー”のクリックをお願いします。
今回は、前々回迄にお話をしましたバイポーラ・トランジスターに比較
してのユニポーラ トランジススター (FET) の特徴をお話する予定でし
たが、FET のお話をしていませんでしたので番外編としてお話をする事
と致しました。 . . . 本文を読む
訪問された方は、”バナー”のクリックをお願いします。
前回は、電力増幅率（度）と対数のお話を致しました
。
今回は、次回の試験で出題が予想されます、電圧増幅
率（度）のお話を致します。 . . . 本文を読む
訪問された方は、”バナー”のクリックをお願いします。
今回は、トランジスターの電流増幅率の 3 回目とし
てトランジスターの回路として 一番良く使用されま
すエミッター接地回路の電流増幅率 のお話をいたし
ます。 . . . 本文を読む
訪問された方は、”バナー”のクリックをお願いします。
今回は、ベース接地増幅回路の電流増幅率の値がど
の位になるのか？そして、ベース接地増幅回路の特
徴は、何かと言うお話を致します。 . . . 本文を読む
訪問された方は、”バナー”のクリックをお願いします。
Ib の少しの変化で Icが大きく変化すると言うお話をしま
したので電流増幅が出来る事は、 お分かり頂けたと思い
ますがそれでは、どの位増幅出来るのか 4 回にわけて定
量的に考えてみます。 . . . 本文を読む
訪問された方は、”バナー”のクリックをお願いします。
前回は、 エミッタ領域の正孔がベース領域を超えて
コレクター領域に入るところ迄のお話でした。 今回
は、その後の正孔の動きを追ってみましょう。 . . . 本文を読む
訪問された方は、”バナー”のクリックをお願いします。
前回は、ダイオードの用途やその動作、そして動作原
理の内の逆バイアス迄のお話を致しました。
今回は、順バイアスのお話を致します。 . . . 本文を読む
訪問された方は、”バナー”のクリックをお願いします。
今回と次回の 2回に分けて半導体素子としては、一番
簡単な構造ですが、トランジスターやFET等の素子の
基本が詰まっていますダイオードについてのお話を致
します。 . . . 本文を読む
訪問された方は、”バナー”のクリックをお願いします。
