金田式“改悪”パワーアンプ 基盤配線開始

基盤への部品配置がほぼ終了しました。


TOP画像はパワーアンプの高域側の片チャンネルです。

ドライブ段と出力段のエミッタ抵抗は金田式スケルトン抵抗にしました。
東京光音RNスケルトンが用意出来なかったためでもあるんですが、以前に自作した金田式“改悪”ヘッドフォンアンプで改めて視聴した結果、エージングのお陰か？僕の耳が鈍化したのか？金田式スケルトンの歪感は許容できる範囲に収まりました。高域のイコライジング効果を得られる事と、銘アンプであるCROWN Dシリーズ的なダークな雰囲気を持っている点が活かせる状況となったので、使用に踏み切りました。
気付いてみると、帰還抵抗のリケノーム以外は純正金田式パーツですｗ。
ちなみに、ステップ位相補正の抵抗は進工業のプレート抵抗です。金田式スケルトン抵抗と同様のCROWN Dシリーズ的なダークな印象を期待して使用しました。金田先生はCROWN DシリーズのDC300が原点と聞きましたが、それを進工業のプレート抵抗と金田式スケルトン抵抗から感じます。以前、CROWN D-150AⅡでそれらの抵抗を使用した時には歪感が著しくて使用出来ませんでしたが、それはCROWN D-150AⅡの内部配線に全て錫メッキ線が使われていたり、それを許容するエンジニアに選定されたパーツが問題だったのでは？っと云う考えに至りました。
CROWN Dシリーズ的な歪感を取り除き、金田式のか細さを取り除いた上で、CROWN Dシリーズ的な音像系と金田式の音場系の中間の表現を狙っています。





電流伝送チャンデバです。

ここでもCROWN Dシリーズ的なダークな雰囲気を狙い、抵抗はほぼ全て進工業のプレート抵抗です。そして、定電圧ダイオード以外の半導体は全てデュアルトランジスタです。
某ベテラン金田式アンプの先達のHPにて電流伝送チャンデバのDCオフセットの問題が取り上げられていました。それは、入力のベース接地アンプのトランジスタとダイオードのVbeとVfの誤差が出力端でオフセットを発生させている原因であるという内容でした。NPNトランジスタと1S1588に掛かる電圧の違いや熱結合の精度が大きく影響しているのだろうと読めましたので、音質は二の次？デュアルトランジスタの片側をダイオード接続にして使用しました。これで、Vbeも熱整合も理論的には共通になり、入力の電位は0Vになるんですが、そうは問屋は卸さんでしょうね～。





保護回路基盤もこのとおりです。

別冊単行本の電源一体型パワーアンプを参考にし、バッテリーチェック回路をズラして、DC検出回路を2ch分増設しました。
バッテリーチェック回路にはデュアルトランジスタは使わないところに貧乏性が現れていますね～ｗ。




この様に部品配置が終わりまして、ここからが本番です。