デンソー初、SiCパワー半導体を用いたインバーターを開発 感激！

実は、SiCのエピタキシャル成長を、1967年、東大電子工学科菅野卓雄研究室の卒論のときに、はじめて、成功したのは、私でした。バンドギャップがSiなどと比較して大きいので将来重要な半導体になるのでと薦められて選択したテーマでした。その後、多くの研究者の努力の結果、電気自動車にSiCが搭載されるまでに育ったとは誠に感激する次第です。21世紀当初からトヨタのクラウンを愛用していますが、次は電気自動車にしようかなとも思っています。

株式会社デンソーは、同社初SiC（シリコンカーバイド）パワー半導体を用いたインバーターを開発した。
製品は、株式会社BluE Nexusの電動駆動モジュール「eAxle」に組み込まれ、2023年3月30日発売開始のLEXUS初の電気自動車（BEV）専用モデル、新型「RZ」に搭載される。

今回搭載されているSiCパワー半導体は、シリコン（Si）と炭素（C）で構成され、電力損失を大幅に低減する半導体の材料でつくられている。BEVの動力源となるモーターを駆動・制御する役割を持つインバーターの駆動素子にSiCパワー半導体を採用することにより、従来のSiパワー半導体を用いたインバーターと比べて、特定の走行条件において電力損失を半減以下にした。この結果、BEVの電費が向上し、航続距離の延伸に貢献している。

開発のポイント
・デンソー独自のトレンチMOS構造を採用したSiCパワー半導体により、高耐圧と低オン抵抗を両立し、発熱による電力損失を低減することで1チップあたりの出力を向上。

製造のポイント
・デンソーと株式会社豊田中央研究所との共同開発による高品質化技術をもとに、国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）委託業務による成果を取り込んだSiCエピタキシャルウェハーを活用することで、結晶の原子配列の乱れにより素子が正常に作動しなくなる結晶欠陥の半減を実現。
・欠陥を低減することにより車載品質を確保し、安定的なSiC素子生産を実現。

上記内容の詳細は、 デンソーのニュース

LFWJニュース

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