強誘電体薄膜は
今はどうか知らないが昔はメモリに応用することを目的に研究されてました。
電源を切っても０か１かが残る性質を利用してパソコン用の新型メモリに使いたかったんです。
しかし集積できず
つまり細かく薄くすると誘電体の特性が落ちたり
リーク電流が流れて絶縁が壊れてメモリの記憶がなくなってしまう。
その原因は強誘電体結晶そのものではなく、表面の還元されたビスマスや
粒界の強誘電体以外の結晶が壊れやすいために、
薄くできないからだと私は信じてます。
作り方を工夫して、そうした弱い結晶や弱いビスマス部分が出来ないようにしたが、解決出来なかった。
そこで、私が提案するのが陽極酸化だ。
強誘電体を硝酸などのなかで陽極にして電圧を加える。
強誘電体以外の結晶やビスマスが選択的に酸化される条件を探す。
その部分だけが溶けてなくなる条件でもいいよ。
わかるかなあ～
これで還元雰囲気に強い強誘電体薄膜が 作れると思うんだ。