深田萌絵さんのデマ創作事例・窒化ガリウム編

2024.01.21　元動画のアーカイブを追記

私は深田萌絵さんの動画は逐一見てるわけではないが、たまたま見た動画でまたまた変なことを言ってたので軽く考察した。

考察の対象は「窒化ガリウム」についてだが、以前、別の記事でも変なことを書いていたので併せて考察する。

１）窒化ガリウムでムーアの法則の限界を打破できるか。
２）窒化ガリウムは安全保障貿易管理に抵触するか。

パナソニックの半導体事業売却、軍事技術が中国に流出する恐れ…日米安保にも波及か
http://archive.today/W93kp

経産省と議員が弁明？パナソニック半導体の軍事技術はデマ！？

（アーカイブ）経産省と議員が弁明？パナソニック半導体の軍事技術はデマ！？
https://web.archive.org/web/20210619003004/https://www.youtube.com/watch?v=RKZ8ZLc2enw

1. 窒化ガリウムとムーアの法則
2. 窒化ガリウムとパワー半導体
3. BROOKHAVEN研究所はパナがすごいと言ったか
4. 窒化ガリウム（GaN）は輸出規制品目か
5. Panasonicの半導体事業譲渡は完了した
6. PanasonicのGaN半導体は強かったか
7. まとめ

《1. 窒化ガリウムとムーアの法則》

深田萌絵さんは、2019.12.31 の記事でパナソニック半導体譲渡案件に関連してこう書いている。窒化ガリウムでムーアの法則の限界を打破できるというのである。

・窒化ガリウム
　問題となる最先端技術のひとつは窒化ガリウムである。窒化ガリウムは「ムーアの法則（半導体の集積率が18カ月で2倍になるという法則）の終焉」を延期できる数少ないソリューションのひとつで、半導体業界の救世主的な存在である。微細化により回路を小さくしてきたが、微細化の限界に達したために3次元に集積するようになった。その結果、熱がこもりやすくなり、処理能力が低下するという課題に直面した。微細化による熱問題や電子漏れは、処理能力を単純に向上させることはできない。それが「ムーアの法則の終焉」と呼ばれる課題である。ところが、窒化ガリウムという素材は低抵抗高温動作という特性を兼ね備えており、ムーアの法則を継続させることが可能な数少ない素材だ。

パナソニックの半導体事業売却、軍事技術が中国に流出する恐れ…日米安保にも波及か
http://archive.today/W93kp

この件については、関係者のコメントを見てもらった方が早い。

深田萌絵さんは微細化最先端から縁遠いパワー半導体の基板の材料でムーアの法則の限界突破と言ってしまうくらい半導体業界について本格的に素人らしいから、マジで相手にする価値はないよ。 https://t.co/HYVMJpIIVi

— 宇佐美典也 (@usaminoriya) April 9, 2021

『ムーアの法則の限界を解決するために窒化ガリウムを使う、パナとタワーの窒化ガリウムの技術を中国が狙っていて、とにかくヤバい』なんだこいつマジで【深田萌絵】パナソニック半導体事業売却で日本が本当にヤバい！【WiLL増刊号 #109】 https://t.co/cWaC9Lstdz via @YouTube

— 半導体の中の人 (@Anago_in_EU) April 8, 2021

先生からもコメントをいただきましょう。

ムーアの法則は露光に関する技術で、より短波長の光で露光し素子を微細化すればICの集積率が上がる法則。基板の半導体材料（通常はシリコン）とは無関係。窒化ガリウムは、シリコンよりも電子の移動度が大きいので、同じサイズの素子なら高周波化が可能。但し大型ウェハーが技術的に作製困難。

— 東風吹葉～～Sea Breeze from East (@SeaBreezefromF1) June 16, 2021

《2. 窒化ガリウムとパワー半導体》

窒化ガリウム（GaN）を半導体デバイスにどう使うのか。簡単な説明を引用する。

GaN（窒化ガリウム）

　GaN（窒化ガリウム）とは、次世代パワー・デバイス（パワー半導体）に用いられる半導体材料のこと。GaNパワー・デバイスを、既存のSi（ケイ素）パワー・デバイスの代わりにDC/DCコンバータやインバータなどの電源装置に搭載すれば、電力変換効率の向上や装置の小型化などを実現できる。SiC（シリコン・カーバイド）とともに、次世代パワー・デバイスを実現する材料として普及が期待されている。

　なお2014年10月に赤崎勇氏（名城大学教授）、天野浩氏（名古屋大学教授）、中村修二氏（米カリフォルニア大学サンタバーバラ校教授）がノーベル物理学賞を受賞したテーマである「青色LED（発光ダイオード）」も、GaN材料を用いた半導体デバイスである。

GaN（窒化ガリウム）
https://ednjapan.com/edn/articles/1503/31/news019.html

そのパワー半導体についてもう少し詳しく見てみる。

パワー半導体は、高い電圧、大きな電流を扱うことができる半導体です。高い電圧、大きな電流に対しても壊れないよう通常の半導体とは違った構造を持っています。また大きな電力を扱うことから熱を発して高温となりやすく故障の原因になります。 このため発熱の原因であるパワー半導体自身の電力損失を少なくし、さらに発生した熱を効率よく外に逃がす工夫が施されています。

パワー半導体とは / 富士電機
https://www.fujielectric.co.jp/products/semiconductor/about/

また、この説明もわかりやすかったので参考までに貼っておく。

次世代パワー半導体GaNで高効率な電源を実現！ | 組込み技術ラボ
https://emb.macnica.co.jp/articles/635/

以上からわかるように、GaN半導体は主には大電流を扱う電源関係などの半導体デバイスであり、「インテルのCPU」などの半導体デバイスとは異なる種類であることがわかる。

もうひとつ関連記事を引用。ちょうどよく「パナソニック」「TSMC」も登場している。TSMCについては、既にGaNを手がけていると書いてある。
なお、2016年の記事であることに注意。

現在もパワー半導体の主流はやはりシリコンだが、近年はSiCやGaNを使ったパワートランジスタの開発が活発になってきている。SiCダイオードを使った効率の高いインバータはすでに電車に採用されているし、GaNを使った電源アダプタ（AC-DCコンバータやDC-DCコンバータ）も発売間近だ。

（中略）

日本のパナソニックもGaNトランジスタを手掛けており、サンプル出荷の段階までこぎつけている。同社が狙う市場は、ソーラー発電の直流を交流に変換するパワーコンディショナー、自動車、サーバー電源、モーター制御などだ。

（中略）

GaNやSiCはシリコンに代わる新しいパワー半導体材料である。特に、GaNはシリコン上に形成できるため、世界トップのファウンドリ（製造に特化した請負企業）TSMC社も手掛けており、普及という点ではSiCよりも一歩リードしている。

（2016.11.30）
第2回：GaNの商用化が加速、SiCはやや足踏み | 連載02 省エネを創り出すパワー半導体 | Telescope Magazine
https://www.tel.co.jp/museum/magazine/natural_energy/161130_report02_02/

ここまで読めば、１項に記したように深田さんの記述が業界関係者に失笑される理由がわかるだろう。半導体といっても種類や用途が違うのである。

（深田萌絵さん）
窒化ガリウムは「ムーアの法則（半導体の集積率が18カ月で2倍になるという法則）の終焉」を延期できる数少ないソリューションのひとつで、半導体業界の救世主的な存在である。

ただし、少し異質の提案もなされているので紹介する。

ムーアの法則の限界が指摘される中で、平面方向の微細化だけではなく、３次元方向に高層化しようという努力がなされている。

特に、半導体メモリはその動きが顕著である。

【福田昭のセミコン業界最前線】1mm角に10Gbitを詰め込む超高密度の3D NANDフラッシュ技術 - PC Watch
https://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/1315644.html

そういった３次元方向に高層化する要素に、パワー半導体も入れてしまったらどうかという提案がある。そこに含まれるパワー半導体がGaN（窒化ガリウム）だったりするので話がややこしくなっている。

ただ、これはあくまで大電流を扱うデバイスの話であり、「インテルのCPU」などにおけるムーアの法則の限界の打破とは異なる話である。混同してはいけない。

もしかしたら、深田さんはこの類の話を聞きかじって勘違い（あるいは悪用）したのかもしれない。

筆者らが提案した3次元パワーSoCは、高効率なGaNパワーデバイス、負荷のSi（シリコン）LSI、電源の制御回路、GaN用ゲートドライバー、受動部品を3次元に集積する（図1）1）。寄生インピーダンスを極限まで低減できるため、高効率化が可能となる。3次元構造にすることで、Siデバイス、GaNパワーデバイス、インダクター、キャパシターといった材料やプロセスが異なるデバイスでも容易に集積できる。これは、Moore（ムーア）の法則を継続し、それすら超えられる典型例ともいえる。

異なるデバイスを容易に集積、ムーアの法則を超える3次元パワーSoC
https://xtech.nikkei.com/atcl/nxt/column/18/00028/00044/

《3. BROOKHAVEN研究所はパナがすごいと言ったか》

次に、冒頭に挙げた動画の中で深田萌絵さんが変なことを言っているので、まずは問題の箇所を示す。

問題はこの一文。および、同じ意味の深田さんの発言。

パナソニック半導体のGaN半導体技術が最も耐放射線が高いということを表している。

出典はこの資料であり、2017年のものであるようだ。

Radiation Hard GaNFETHigh Voltage Multiplexing (HV Mux) for the ATLAS Upgrade Silicon Strip Tracker
https://cds.cern.ch/record/2286244/files/ATL-ITK-SLIDE-2017-848.pdf

その中を見ていくと、特にパナソニックがすごいと言っているわけではない。

数年にわたって同種の評価をしているようなのだが、こう書いている。

「この2、3年の間に、高線量に耐えられるのはGaN技術だけだったので、（評価対象は）EPC（Efficient Power Conversion）、GaNSystems、PanasonicのGaNFETに集約されました。」

「リソースが不足していたため、（今回は＝2017年は）単一の候補のみを対象とした照射作戦を行いました。私たちは、パナソニック製（600V）のGaNFETを選択しました。」

その結果として、こう書いている。

「3社のGaNFETベンダーと多くのデバイスを使用した結果、これらのデバイスは全線量に対して非常に耐放射線性が高く、特に電源がオンの状態（検出器の通常の動作モード）では耐放射線性が高いことが分かりました。」

見てわかるように、パナソニックが特にすごいとは書いていない。

そうではなく、GaNデバイスは耐放射線性が高い、という結論を導き出している。



ちなみに、なぜGaNデバイスは耐放射線性が高いのかということについて、上のBROOKHAVEN研究所のレポートにも登場するEPC社が解説しているので参考までに貼っておく。

なぜ宇宙にGaNなのか？ / EPC
https://epc-co.com/epc/jp/GaN%E3%81%AE%E8%A9%B1/Post/19219.aspx

（参考）Panasonicの耐圧600VのGaNパワートランジスタ

上のBROOKHAVEN研究所のレポートで2015年に評価したというPanasonicの「PGA26E19BV」のプレスリリース。

業界最小パッケージの耐圧600VのエンハンスメントモードGaNパワートランジスタを製品化
http://archive.today/xK1Sv

《4. 窒化ガリウム（GaN）は輸出規制品目か》

次に、同じ動画の続きの場面で深田萌絵さんが微妙なことを言っているので、まずは問題の箇所を示す。

この箇所で深田さんは、こういう趣旨のことを言っている。

（深田萌絵さん：要約）
「窒化ガリウムパワーデバイス等の実用化加速技術開発っていう研究に安全保障貿易管理についてということで注意書きがあるんですよね。」

「わが国では外国為替及び外国貿易法に基づいて輸出規制がされています。外為法で規制されている貨物や技術を輸出しようとする場合は原則として経済産業大臣の許可を受ける必要がありますと。」

「その窒化ガリウムの技術がですね、普通に外為法で規制されてるんだよってことは結構認識されているはずなのに、それなのにパナソニック半導体を怪しい会社に売却を許したというのは驚きのことなんですよね。」

深田さんが紹介している資料はこれである。

「低炭素社会を実現する次世代パワーエレクトロニクスプロジェクト／研究開発項目④ ＧａＮパワーデバイス等の実用化加速技術開発／（２）ＧａＮ等の新規用途開拓の推進」に係る公募要領 / NEDO
https://www.nedo.go.jp/content/100858548.pdf

そのP10に「(14)安全保障貿易管理について（海外への技術漏洩への対処）」と注意書きがあり、業界内の人には見慣れた文言が並んでいる。

そこで関係する法令を掘り下げていくと、輸出貿易管理令に窒化ガリウムが登場する。実際はここだけではないのだが、全て同種の記述である。

別表第一（第一条、第四条関係）

七（二十二）　炭化けい素、窒化ガリウム、窒化アルミニウム又は窒化アルミニウムガリウムの基板（（十八）に掲げるものを除く。）又はインゴット、ブールその他のプリフォーム

輸出貿易管理令（昭和二十四年政令第三百七十八号）
https://elaws.e-gov.go.jp/document?lawid=324CO0000000378

輸出規制品目の文言としては、「窒化ガリウムの基板」である。


では、その「窒化ガリウムの基板」とは何か。

窒化ガリウム基板

窒化ガリウム（ガリウムナイトライド (Gallium Nitride) ，GaN）とはガリウムの窒化物で、化合物半導体の一種でワイドギャップ半導体に属します。
CAS No.25617-97-4
EINECS Number 247-129-0
三菱ケミカル製の窒化ガリウム（GaN）基板は、自社で永年培ってきたHVPEと呼ばれるエピタキシャル技術と化合物半導体の加工技術を用いた、高品質な単結晶基板です。 均一かつ高品位な結晶性と表面品質が特長です。高輝度LED用基板や、プロジェクター光源や高輝度ヘッドライトに使用される青色レーザーダイオード（LD）用基板として、幅広い用途で使用されています。 またパワーデバイスや高周波デバイスなどの電子デバイス用基板としての用途も開発を進めています。

窒化ガリウム基板 / 三菱ケミカル株式会社
https://www.m-chemical.co.jp/products/departments/mcc/nes/product/1200584_9018.html

つまり、「窒化ガリウム（GaN）を用いた半導体デバイス製品全般」が輸出規制品目なのではなく、「窒化ガリウムの単結晶基板」が輸出規制品目だと言っているのである。

《5. Panasonicの半導体事業譲渡は完了した》

深田萌絵さんが執拗に問題視している、Panasonicの半導体事業譲渡は完了している。

パナソニックおよび台湾のNuvoton Technology(新糖科技)は9月1日、新型コロナウイルスの世界的な感染拡大や中国などの独禁当局の承認審査の遅れで、売却の完了時期を3カ月延期していたパナソニックの半導体事業のNuvotonへの売却手続きが完了したと発表した。

パナソニック、半導体事業の台Nuvotonへの売却が完了（2020/09/02）
https://news.mynavi.jp/article/20200902-1265154/

（2020年9月1日）
半導体事業の譲渡完了について | プレスリリース | Panasonic Newsroom Japan
https://news.panasonic.com/jp/press/data/2020/09/jn200901-1/jn200901-1.html

上の文面には、「本件譲渡の実行に向けて各国の競争法当局その他政府機関の承認取得に必要な手続を進めてまいりました」とした上で、「所要の承認を全て取得いたしました」とも書いてある。


この件で日本政府あるいは米国政府から問題視された話は出ていないし、長尾議員からも経産省に確認してくれている。

半導体に関連して私に対するあらぬ作り話に困惑する日々ですが、常軌を逸するほどの頻回的執拗な愚問に対し、少々冷静さを欠いた回答に誤りがございましたので、ここで訂正し再回答させていただきます。 pic.twitter.com/oojDsft8vI

— 衆議院議員 長尾たかし (@takashinagao) June 1, 2021

そもそも、Panasonic自身が『本契約は、各国・地域の競争法当局その他政府機関の承認取得を前提としております』と発表していた。旧来型の大企業はこういう場面では政府と喧嘩しないものである。官公庁事業やってるから。

親切に該当箇所を抜き出しておきますけど、こう書いてあります。『本契約は、各国・地域の競争法当局その他政府機関の承認取得を前提としております』政府の意向を無視して進めたりしない。わかりましたか？ #深田萌絵 さん。半導体事業の譲渡について（パナソニック）https://t.co/HaRgqRyLvN pic.twitter.com/GVFbO02VqX

— ZF ⚡ (@ZF_phantom) December 29, 2019

《6. PanasonicのGaN半導体は強かったか》

ところで、パワー半導体あるいはGaN半導体の分野でPanasonicはどの程度の位置にいたのか。

ツイッターにもいる服部毅さんが記事を書いていたので引用する。

2019年のパワー半導体メーカー売上高ランキング

Yoleの調査による2019年のパワー半導体(ディスクリートおよびモジュール)市場におけるメーカー別売上高ランキングとしては、ダントツのトップは独Infineon Technologiesで、2位はON Semicondsuctor、3位はSTMicroelectronicsとなっており、いずれも今後生産増強を計画しているか、もしくは行ったばかりの企業たちである。

日本企業は、5位に三菱電機、6位にローム、7位に東芝、8位にルネサス エレクトロニクス、9位に富士電機と5位～9位に入っており、これら5社の売上高合計額は、トップのInfineonとほぼ同等となる。ある業界関係者は、これら日本のパワー半導体各社の特徴は、ランク外の中小企業を含めて各社独自の経営方針を掲げており、M＆Aの兆候もないことだと、語っており、このような状態が続けば、いずれは成長著しい中国のパワー半導体業界にシェアを奪われかねないと危機感を口にしている。

成長続くパワー半導体市場、2025年には225億ドル規模へ - Yole予測（2020/10/27）
https://news.mynavi.jp/article/20201027-1439902/

Panasonicは残念ながら、上のグラフではランク外であり、存在感はなさそうである。企業としては、勝ち目のない市場からは撤退するしかない。

条約や法制度で規制されない自由な商取引（事業譲渡も含む）を、奇妙な独善的主張で糾弾し続けるのは異常である。


では、上の記事を書いた服部さんはなんと言っているか。深田さんの言説にお怒りであり、八洲子さんの動画を見ろと勧めている。

パナソニック半導体工場売却で軍需技術が中国解放軍に流れたなどというデタラメ情報を流しているものがいるが、その真偽は以下の「八州子の部屋」に詳細な調査結果が掲載されたので御覧ください。https://t.co/zjudb6di4t半導体専門家として補足させていただく。イスラエルのタワーセミコンの(続)

— Takeshi Hattori,Ph.D. (@TAKESHIxHATTOR1) June 8, 2021

（追記）PanasonicのGaN半導体の特許出願状況

ポヨさんから情報をいただいたので貼ります。

ZFさん　流石ですポヨ添付リンクはGaN関連の特許出願数での比較ですがPanasonicが必ずしもGaNが強かった訳ではないことを客観的に示していると思いますhttps://t.co/OZ8iHLi75G https://t.co/LvSwK47R4B

— 情報収集専用垢なので基本呟かないでも呟くときは発作が起きたと思ってくださいぽよ (@Johoshushupopo) June 18, 2021

そのリンクがこれ。

GaNデバイスの日本における特許出願状況 /「SiC」と「GaN」のデバイス開発競争の行方は？（企業編） - MONOist
https://monoist.atmarkit.co.jp/mn/articles/1212/26/news020_4.html

たしかにこれを見ると、PanasonicはGaN半導体の分野では細々と研究開発を続けてきたが、2010年を最後に注力分野をGaN JFETに絞った…が、それも2011年で尽きた。という寂しい情景が思い浮かぶ。

《7. まとめ》

１）深田萌絵さんは「窒化ガリウムは『ムーアの法則の終焉』を延期できる数少ないソリューションのひとつで、半導体業界の救世主的な存在である」などと書いたが、業界関係者からは失笑されている。

２）窒化ガリウム（GaN）を半導体デバイスに用いるのは大電流を扱うパワー半導体やLEDなどであり、「インテルのCPU」などとは別種である。期待できるのは、電子機器用ACアダプタの小型化や青色LEDなどである。

３）BROOKHAVEN研究所のレポートは、パナがすごいと書いているのではなく、「GaNデバイスは耐放射線性が高い」という結論を導き出している。

４）窒化ガリウム関係で輸出規制品目に指定されているのは、「窒化ガリウム（GaN）を用いた半導体デバイス製品全般」ではなく「窒化ガリウムの単結晶基板」である。

５）Panasonicの半導体事業譲渡は完了しており、日米両政府から問題視された形跡はない。長尾議員も経産省に問題がなかったことを確認している。

６）PanasonicのGaN半導体は市場シェアや特許出願状況を見ても、さほど強かったとは言えない。企業としては、勝ち目のない市場からは撤退するしかない。

７）ソニーに30年以上勤務し、半導体部門で基礎研究、デバイス・プロセス開発などに従事した経歴を持つ国際技術ジャーナリストの服部毅氏は、深田萌絵さんのデタラメ情報に怒っており、その真偽は「八洲子の部屋」を見ろと言っている。



結局この件も、あちこちの資料から原文の論旨とは無関係にキーワードを拾ってきて、現実とは別の平行世界小説を繰り広げているに過ぎない。

これに煽動される信者の皆さんも、一旦立ち止まってよく調べた方がいいと思う。

《おまけ》

おっかない人が深田萌絵さんの言動を監視している。招き寄せてるのは深田さん自身。

半導体業界に30年以上いますが、 深田萌絵さん @MoeFukada (本名：浅田 麻衣子さん)が言われているパナソニック事件の実態がさっぱり理解出来ないポヨ・軍事用レーダ製造実績はない・パナソニック持分売却とF15Jの製造遅延とは無関係やっぱり、あれもこれも虚偽ポヨ pic.twitter.com/XMMYD4FYG5

— 情報収集専用垢なので基本呟かないでも呟くときは発作が起きたと思ってくださいぽよ (@Johoshushupopo) June 17, 2021

《改版履歴》

2021.06.18　新規
2021.06.19　6項に、パナのGaN半導体分野の特許出願状況、を追記
2024.01.21　元動画のアーカイブを追記

《関連記事》

深田事件の考察一覧
https://blog.goo.ne.jp/zf-phantom/e/94aa92677310e83bfae5d3ce982ffeff

深田萌絵事件リンク集
https://blog.goo.ne.jp/zf-phantom/e/bd2c799f63c376acf2054713fbc93cdc

深田萌絵さんのデマ創作事例・750℃編
https://blog.goo.ne.jp/zf-phantom/e/ceac36c31dc01cae0a3c5b4d063d5cb0

深田萌絵さんのデマ創作事例・2,000億円編
https://blog.goo.ne.jp/zf-phantom/e/802692024fb3f7c9c9e16aa98bc06cb9