今日はマイクロマウスのセンサ発光回路の設計を始めた。
最初は従来型の回路のパラメータを変更して改良しようとした。とりあえずパラメータは求まり、それにより2つの問題点は改善される。
しかし、従来型の回路の弱点が発覚した。赤外LEDに流している電流が意外に少ないのである。(1Aと言われていたが500mAだった。)
それによって今まで問題が生じたわけではないが、さらに電流を大きくする場合のために増幅回路の変更を検討した。
従来型の増幅回路の負帰還抵抗を廃止すればコレクタ電流は大きくできる。ただし、コレクタ電流が直流電流増幅率に直接影響されるようになり、飽和が深くなるためスイッチング時間が長くなる。
スイッチング時間を短くするためにスピードアップコンデンサの導入を考えた。「スピードアップコンデンサの容量はベース蓄積電荷を中和できる程度が良い」とされているが、ベース蓄積電荷はどう求められるのかが調べても見つからなかった。
ただ、ベース蓄積電荷について調べている途中でいいことを1つ知った。「コレクタ‐エミッタ間飽和電圧は、飽和を深くすれば小さくなり、飽和を浅くすれば大きくなる。」ということである。
最初は従来型の回路のパラメータを変更して改良しようとした。とりあえずパラメータは求まり、それにより2つの問題点は改善される。
しかし、従来型の回路の弱点が発覚した。赤外LEDに流している電流が意外に少ないのである。(1Aと言われていたが500mAだった。)
それによって今まで問題が生じたわけではないが、さらに電流を大きくする場合のために増幅回路の変更を検討した。
従来型の増幅回路の負帰還抵抗を廃止すればコレクタ電流は大きくできる。ただし、コレクタ電流が直流電流増幅率に直接影響されるようになり、飽和が深くなるためスイッチング時間が長くなる。
スイッチング時間を短くするためにスピードアップコンデンサの導入を考えた。「スピードアップコンデンサの容量はベース蓄積電荷を中和できる程度が良い」とされているが、ベース蓄積電荷はどう求められるのかが調べても見つからなかった。
ただ、ベース蓄積電荷について調べている途中でいいことを1つ知った。「コレクタ‐エミッタ間飽和電圧は、飽和を深くすれば小さくなり、飽和を浅くすれば大きくなる。」ということである。
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