私ならこうする － その1

某社から以前次のような方式特許も登録されていた。
しかし調べると、確かH13年かに権利放棄しているので、
この方式は参考にして使ってもいいことにはなっている。
しかしこの内容そのままでは、そもそも使い用がなさそうである。

温度係数調整ノウハウ

この特許文献の図３にあるように、デプレッションMOSに基板バイアスが入ると、VREFの値は基板効果で変調されるので、実はこの方法では調整できないとわかるだろう。

そこで、実際に調整するには私が昨年上記文献を読んでいて気づいた方法をお勧めする。つまり、私なら、こうやって温度係数がゼロになるMOSサイズを発見するのです。

私ならこうする(by 福山雅治？)

2002年にぎりぎりの単位数80.5(min80要)で理学部物理学科を卒業した私でも、
物理屋さんなら誰でも知っている思考方法：自己無撞着（セルフコンシステント）な最適値設定法を使えばよい。
さまざまなバックバイアスで単体特性を測定し、計算したVREF（基準電圧）値と一致する時の特性データを利用するといい。

この実験と方法は、私の勤務している会社内では技術担当に本気にしてもらえなかったのか、誰も見向きもせずにいる。しかし私は、しっかり測定データを組み合わせれば、きっちりとVREFの温度係数がゼロ(約80～50ppm/℃）になるサイズ比が出るに違いないと信じている。

この方法の電源は、作り方を体得してナンボなので、公開特許にしても殆ど意味がない。（それにあなたにこの内容がすぐ理解できるでしょうか？（挑発!?）できれば、この方法の内容について反論していただけると話が発展して面白いのですが）

結局、はじめに示した特許も、もともとノウハウにしておかないと、誰かが実施してもしなくても、それを取り押さえるすべはない。

因みに、先日紹介したD-1特許（発振回路）は、19年後は甥や姪が自由に使い、改良を加えさらに、オリジナルの回路を設計することに役立てば幸いである。
あの特許とて、実際のICに使われ、試作量産されて実証されたからこそ、価値が生まれたのである。実際に使ってもらってなんぼである。