もう少し詳しく！ジョンがる隊長(ーー;) 意味わかったんだか、わかんねんだか！？さっぱり先祖ぉー。
ハァーイ。つまりインバータは整流平滑回路から出力された直流電圧（約DC280V）を、高周波（fsw≒25KHz）のパルス波形に変換する部分なんだ！文書だけじゃあれなんで、写真も入れるね！
これが新しく開発された水平対抗エンジン？（ドロ、ドロ、ドロ、ドロー♪ ポルシェ？ スバル？・・・・）スマン
写真の上下は、見ての通りヒートシンクである。今回製品化したインバータは、定格負荷800Wにおける変換効率が94％と非常に高効率で、発熱が少ないものとなっている。よく、「置き場所に困るから縦置きにしたいんだけど大丈夫？」っていう問い合せがあったりするけど、そうだなぁー。最大でも定格の70～80％で使ってくれたら大丈夫だと思うよ！（一応実験済みです）あくまでも目安だよ！周囲の環境によって左右されるし、装置はあくまでも横置きで設計されているからね！あっ、それから縦にするときは、フロントスイッチは上の方向にして頂戴！地震なんかの横転には十分気をつけてぇー。大事な装置だからさぁ。
さて、さてぇー
ヒートシンクにずらりと並んでいるデバイスがIGBT（フェアチャイルド製）で、フルブリッジインバータを構成する場合、最低でも4個のデバイスが必要になる。MQ R1は、それぞれ4個ずつパラレルにし、計16個使用している。パワーデバイスの並列化は、その配置条件やドライブ条件を揃えてあげる必要があり、不揃いの場合、電流や電圧がアンバランスとなり、破壊を招く。デバイスは等間隔となるよう配置、ドライバも駆動条件が等しくなるよう、最短 且つ広く取っている。（IGBTやMOS FETは、ゲートインピーダンスが高く、外来ノイズの影響で誤動作する危険があるため、ゲート配線の延長は禁物である）
写真中央部の基板は、今も話したIGBTのドライブ回路とドライバ用電源が搭載されていて、（詳細は別な機会に・・・）パワーラインと分離するために別基板としている。インバータブリッジのパワーラインパターンは、ドライブ基板の下側に隠れているが、基板の両面を有効利用し、ノイズ抑制に努めている。
ここまでがインバータ部の概要だ！次回は、LPF（ローパスフィルタ）だ！ヨロシク見てね！
皆も技術的疑問とかがあったら、じゃんじゃん問合せしてね(>_<)「ジョンがる隊長」お願いしますと言ってもらえれば、対応致します。