SiO2の比誘電率≒3.97
真空の誘電率≒8.85 aF/um ：アットファラッド（×10の-18乗）
真性シリコンとメタルの接合ポテンシャル（V)
AL +0.6 V
Cu 0.0 V
Au -0.3vV
縮退p+ポリシリコン -0.56V
縮退n+ポリシリコン +0.56V => Δ(p+ - n+) = 1.12 V
外因性シリコン -ΦF = φt1・ln(ND/ni) :φt=kT/q
or = φt1・ln(NA/ni)：NDドナー濃度、NAアクセプタ濃度
移動度温度係数パラメータ UTE = -1.5付近 (UTE <0 負値：注意！) MOSのドレイン電流がVgs小側で温度で増加（Vgs大側は温度で減少）するのは、Vthが温度で減少する効果が移動度の温度による減少を上回るからである。要注意。
真空の誘電率≒8.85 aF/um ：アットファラッド（×10の-18乗）
真性シリコンとメタルの接合ポテンシャル（V)
AL +0.6 V
Cu 0.0 V
Au -0.3vV
縮退p+ポリシリコン -0.56V
縮退n+ポリシリコン +0.56V => Δ(p+ - n+) = 1.12 V
外因性シリコン -ΦF = φt1・ln(ND/ni) :φt=kT/q
or = φt1・ln(NA/ni)：NDドナー濃度、NAアクセプタ濃度
移動度温度係数パラメータ UTE = -1.5付近 (UTE <0 負値：注意！)
