少し間が開きましたが『半導体アンプで真空管の音を出す事はできるのか？？ vol.5』の続きです。
真空管アンプと半導体アンプの素子以外の違いを考察し、
「真空管アンプの音がする半導体アンプ」が実現しないかを考えてみたいとおもいます。
FETは2SK222を使用したバッファアンプの最終的な回路図です。
入力コンデンサーは1マイクロファラッドの積層セラミックコンデンサーを使用しました。
出力コンデンサーも47キロオームのインピーダンスで受ける前提で同じく1マイクロファラッドの積層セラミックとしました。
グリッド抵抗は1/4ｗ100キロオームの金属皮膜抵抗、
ソース抵抗も1/4ｗ2.2キロオームの金属皮膜抵抗です。
増幅部のパーツは片CHあたり5ケとなりました。
電源電圧は１５ｖとしました。
この状態で最大出力電圧を測定すると、は８ｖ(p-p)以上は確保できました。
CDでも出力は2v(p-p)ですので十分な値です。
高域特性も計測してみましたが100KHzでもフラットでした。
次に出力インピーダンスを計測しました。
計測方法ですが、
まず、バッファアンプの出力端子に何も接続しない状態（無負荷の状態）で出力電圧を測ります。
測定値は10ｖ(p-p)でした。
これは無負荷の状態ですから、信号源の電圧と同じと考えることができます。
次に、負荷抵抗1キロオームを接続し、同様に計測すると・・・6.4v(p-p)でした。
つまりバッファアンプの内部抵抗Rxによって10ｖが6.4ｖに低下したと考えられますから
内部抵抗Rxでの電圧降下は10-6.4＝3.6ｖです。
ところで、この回路に流れている電流はi=e/r=6.4/1000=0.0064です。
この値を代入します。
Rx＝e/i=3.6/0.0064=562.5オームとなり
このバッファ回路の出力インピーダンスは562.5オームだということが分かります。
このバッファアンプを47キロオームのインピーダンスのオーディオ機器に接続する場合
インピーダンスは84倍ありますので電圧降下はほとんど発生しないことが分かります。
ということで、真空管回路を半導体に置き換えて
仕様上はとても優秀なバッファアンプを作ることができました・・・次回に続きます。
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≪お知らせ３≫
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8月15日(木)～8月17日(土)10：00～12：00、13：00～16：00は試聴室公開が行われます。
上記の時間は担当者が交代で詰め、オーディオ機器の試聴とログハウス見学、アウトレット品や軍用時計の販売を行います。
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7月
29日
10:00～12:00 ◎
13:00～15:00 ◎
15:00～17:00 ◎
30日
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13:00～15:00 ◎
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31日
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15:00～17:00 ×
◎すいています。ご連絡なしで試聴・見学OKです。
〇ご連絡なしで試聴・見学OKですが、念のためお出かけになる前にお電話でご連絡下さい。
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