記事入力 : 2023/02/25 10:11
サムスン・SK、中国で先端半導体作れない恐れも…米による対中包囲網強化で
米「技術レベル限度設定する」
▲NEWSIS
米政府高官が23日(現地時間)、「サムスン電子とSKハイニックスが中国の工場で一定の技術水準以上の半導体を製造できないよう、限度を設定するだろう」と明らかにした。
中国が先端半導体技術を獲得できないように同盟国の中国向け投資を阻むという見地によるものだ。
これが現実のものとなれば、中国での製造の比重が大きい韓国の半導体業界が打撃を受けるのは避けられなさそうだ。
米商務省のアラン・エステベス次官(産業安全保障担当)は同日、韓国国際交流財団(KF)と米戦略国際問題研究所(CSIS)がワシントンD.C.で開催した韓米経済安保フォーラムで、
「米政府がサムスンとSKに付与した中国向け半導体輸出規制の1年猶予が終わると、どうなるのか」という質問に、「(韓国)企業が製造できる半導体の水準に限度(cap on the levels)を設ける可能性がある」と答えた。
同次官はまた、「今、各企業が特定の『層(layer)』のNAND型フラッシュメモリを製造しているならば、その範囲の一定水準(range)で停止させるだろう」とも述べた。
その上で、
「(どの水準から製造を規制するかは)中国がどのように行動するかにかかっている」
「我々は韓国企業と深い対話を続けている」と語った。同次官は具体的な基準は明らかにしなかった。
米国は昨年10月に発表した中国向け半導体輸出規制措置で、128層以上のNAND型フラッシュメモリ、18nm(ナノメートル・1nm =10億分の1メートル)以下のDRAM、16nm以下のロジックチップを製造できる装置と技術を中国に販売する場合、米商務省の許可を別途に取るよう定めている。
ただし、エステベス次官は
「中国が我々を脅かす力を付けるのを阻止するにあたり、我が国の同盟国の企業に被害を出させたくはない」
「これと関連して、(韓国と)対話を続けている」とも述べた。
米国が先日、韓国製電気自動車を補助金対象から除外したインフレ抑制法(IRA)を推進すると、即座に韓国が反発したことを意識したものとみられる。
同次官は「米国が全世界で輸出規制を履行する上で、韓国は忠実なパートナーだ」と語った。
ワシントン=イ・ミンソク特派員
朝鮮日報/朝鮮日報日本語版