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ルネサス、AIデータセンター向け半導体 25年にも量産

2024-11-20 22:49:22 | エレクトロニクス・自動車・通信・半導体・電子部品・素材産業


ネサスが開発した半導体。メモリーの性能向上に合わせて周辺半導体も高性能化が求められている

 

ルネサスエレクトロニクスは20日、演算用半導体とメモリーの通信を補助するインターフェース半導体を開発したと発表した。

生成AI(人工知能)向けデータセンターなどの需要を見込む。既にサンプル出荷を始めており、2025年前半に量産する。

 

開発したのはデータ信号の処理に使うクロックドライバー「RRG50120」やデータバッファー「RRG51020」など。一時記憶に使うDRAMと合わせてサーバーに搭載する。

AIの進化に伴いメモリーは高性能化している。DRAMの最新世代は前世代と比べデータを転送する速度が35%速い。周辺の半導体も高性能化が求められている。

 

ルネサスはメモリーは手掛けておらず、メモリー周辺に使う半導体を開発して生成AI需要の取り込みを狙う。

 
 

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日経記事2024.11.20より引用

 

 


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