DCA75 半導体アナライザ MOS-FET編

BJT、J-FETに続き今回はMOS-FETの特性測定をしてみた。

サンプルのデバイスは２N７０００とBS１７０の二種類。　
デバイスの判定結果は以下のとおり
■２N７０００　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　■BS１７０


Id/Vgsの特性・・・Vdsを４パターン設定して計測している


Id/Vdsの特性・・・トレースラインの下側が２N７０００、上がBS１７０
　Vgs(ON)電圧の前後が測定開始点、Vgsの最終測定値はId/Vgs測定時の終了点と同じ


今回の２サンプル、定格の似た（先輩、後輩の関係？）ものを選定してみた。
大きく違うのはピン配置ぐらい。　どちらも入手については問題ないデバイスである。

参考：D-MOSを試してみたが何回試してもLEDの判定であった。