超低歪探求172 PS

2012-04-24 13:03:10 | インポート
図131 周波数100KHz/600Ω
. NFB抵抗を利得を半分の5にしてみた
　歪は10dB下がって10V/-125～6dBです
　C-NFが300PFに変更でー3dBの高域は　　　
. 実測 1.33MHz
　　


.　図130の状態でR1の代わりに1MΩで信号
　　を入力してー3dBを読み取り計算すると
　　Ci は0.7PFほどです、無いと言っていい程で
　　bs+cascadeの威力、FETプローブ並みです

　微少容量を正確に測定出来る容量計を持って
　いないのでこれでいいのかわかりませんが..

　 既に試作を終えて何か所かの変更の末に基板
　　が95％出来上がりました
　　
　　


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