図43 全回路図 by H.M
Q2のBS電圧ADJ用のopampはDCバイアスと信号値を同時に最適値に
設定する為のもの。BS(ブートストラップ)信号は微少小出力時と大出力時
最適値は大きく異なります。フルパワーの1/3以下になるとDC分のみで
帰還用AC分は無い方がはるかに低歪です。その為実用上の最適設定値
を本機では30Wでかつ10KHzの信号でmin歪にADJしています。こうする
ことで全域均等に低歪が得られます。もし1KHz/minで調整すると1KHz
の歪は20dB近く減るが高域では10倍以上悪化します。先日のグラフで
10KHzカーブの30W付近が持ちこたえているのはADJポイントが30Wの
ためです。OUT-TRがパラレルなのはHFEを得るためです100KHZで連続
フルパワーが続いても熱暴走はありません。遮断周波数の低いTRの場合
内部蓄積から20KHZの連続出力で熱暴走するものもあります
ついでに言えばその状態でOUT端子を短絡しても電源のカットが差動して
フの字リミッタなので気きずかずに放置されていても壊れません
使用している半導体で製作時代が見えています.......
Q2のBS電圧ADJ用のopampはDCバイアスと信号値を同時に最適値に
設定する為のもの。BS(ブートストラップ)信号は微少小出力時と大出力時
最適値は大きく異なります。フルパワーの1/3以下になるとDC分のみで
帰還用AC分は無い方がはるかに低歪です。その為実用上の最適設定値
を本機では30Wでかつ10KHzの信号でmin歪にADJしています。こうする
ことで全域均等に低歪が得られます。もし1KHz/minで調整すると1KHz
の歪は20dB近く減るが高域では10倍以上悪化します。先日のグラフで
10KHzカーブの30W付近が持ちこたえているのはADJポイントが30Wの
ためです。OUT-TRがパラレルなのはHFEを得るためです100KHZで連続
フルパワーが続いても熱暴走はありません。遮断周波数の低いTRの場合
内部蓄積から20KHZの連続出力で熱暴走するものもあります
ついでに言えばその状態でOUT端子を短絡しても電源のカットが差動して
フの字リミッタなので気きずかずに放置されていても壊れません
使用している半導体で製作時代が見えています.......