図81 (図80の歪率)
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.黒データはG=48Xの100KHz/1V~9V
赤 〃 G=10Xの10KHz~100KHz/3V
これからCas-Comp回路を付けてこの上に
そのデータを上書きします
成果が失敗だとこれっきりですねー
これまでの欠点はTR.FETが全てデユアルでなく
熱結合が不十分な為オフセットDCが±30mv有る
(オープンdc初段66dB+AD797/120dB)
完成型にする時は全てデユアルFET.TR基本
今のところ主眼は歪率最優先なので......
取あえず第一目標は3.16V/-145dB@100KHz
金は無くとも暇はいっぱいあるので...
.
低俗な超低歪頁も今日で通算80回となりました、見くれている方が居れば大変感謝
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.黒データはG=48Xの100KHz/1V~9V
赤 〃 G=10Xの10KHz~100KHz/3V
これからCas-Comp回路を付けてこの上に
そのデータを上書きします
成果が失敗だとこれっきりですねー
これまでの欠点はTR.FETが全てデユアルでなく
熱結合が不十分な為オフセットDCが±30mv有る
(オープンdc初段66dB+AD797/120dB)
完成型にする時は全てデユアルFET.TR基本
今のところ主眼は歪率最優先なので......
取あえず第一目標は3.16V/-145dB@100KHz
金は無くとも暇はいっぱいあるので...
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低俗な超低歪頁も今日で通算80回となりました、見くれている方が居れば大変感謝