低圧の絶縁不良状態

低圧漏電に関して質問があったのでtanδ値エクセルに入力してみた。絶縁不良の抵抗を0.002MΩとしIo=合成電流を出すためIc(対地静電容量成分電流)静電容量を0.001μFとして。

上のエクセルのIo=合成電流とIgr(対地抵抗分電流)50mA及び電圧100Vを入力すると下図の結果となり静電容量0.001μFも計算される。