垂直共振器型面発光レーザ

JP2017098328
[0011] 図１（ａ）は、実施例１に係る半導体レーザ１０の断面図である。本実施例においては、半導体レーザ１０は、垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ：Vertical Cavity Surface Emitting Laser）である。半導体レーザ１０は、活性層１４Ｂを含む半導体構造層１４を介して互いに対向して配置された第１及び第２の反射鏡１３及び１５を有する。

[0012] 本実施例においては、半導体レーザ１０は、基板１１上に第１の反射鏡１３、半導体構造層１４及び第２の反射鏡１５が積層された構造を有している。具体的には、基板１１上にバッファ層１２が形成され、バッファ層１２上に第１の反射鏡１３が形成されている。また、第１の反射鏡１３上には半導体構造層１４が、半導体構造層１４上には第２の反射鏡１５が形成されている。本実施例においては、基板１１はＧａＮ基板である。また、バッファ層１２はＧａＮの組成を有する。

[0013] 図１（ａ）に示すように、半導体構造層１４は、ｎ型半導体層（第１の導電型を有する第１の半導体層）１４Ａと、活性層１４Ｂと、ｐ型半導体層（第１の導電型とは反対の第２の導電型を有する第２の半導体層）１４Ｃとが積層された構造を有する。本実施例においては、ｎ型半導体層１４Ａは、第１の反射鏡１３上に形成されている。また、ｐ型半導体層１４Ｃ上には第２の反射鏡１５が形成されている。

 

US2022310875
[0126] FIG. 8 is an illustration of vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) structure 800 according to an embodiment. 
【００９７】
  図８は、実施形態に係る垂直共振器型面発光レーザー（ＶＣＳＥＬ）構造８００の図である。複数の半導体層８１２及び８１４は、基板８１０の上に配置されている。

US10230215
[0004] One type of laser that is used in optical data transmission is a Vertical Cavity Surface Emitting Laser (VCSEL).
【０００４】
  光データ伝送に使用されるレーザの１つのタイプは、垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）である。

A VCSEL has a laser cavity that is sandwiched between and defined by two mirror stacks.
ＶＣＳＥＬは、２つのミラー・スタックの間に挟まれそれらによって画定されるレーザ・キャビティを有する。

A VCSEL is typically constructed on a semiconductor wafer such as Gallium Arsenide (GaAs).
ＶＣＳＥＬは典型的にはガリウムヒ素（ＧａＡｓ）のような半導体ウエハ上に構築される。

The VCSEL includes a bottom mirror constructed on the semiconductor wafer.
ＶＣＳＥＬは、半導体ウエハ上に構成された底部ミラーを含む。

Typically, the bottom mirror includes a number of alternating high and low index of refraction layers.
典型的には、底部ミラーは、高い屈折率の層と低い屈折率の層が交互に並ぶ層をいくつか含む。

As light passes from a layer of one index of refraction to another, a portion of the light is reflected.
光がある屈折率の層から別の屈折率の層を通過すると、その光の一部が反射される。

By using a sufficient number of alternating layers, a high percentage of light can be reflected by the mirror.
十分な数の交互層を使用することによって、高い割合の光をミラーによって反射させることができる。