増幅回路

WO2019079650
(Ab)
A system includes an amplification circuit and offset calibration circuit.
システムが、増幅回路とオフセット校正回路とを備えている。

The amplification circuit includes a modulation circuit operable to modulate a received signal, an amplifier operable to amplify the modulated signal, and a modulation circuit operable to demodulate the amplified signal.
前記増幅回路は、受け取った信号を変調するように動作可能な変調回路と、変調後の信号を増幅するように動作可能な増幅器と、増幅後の信号を変調するように動作可能な変調回路とを備えている。

The offset calibration circuit includes a logic circuit operable to set a control signal and adjust the control signal based on an output of the amplification circuit,where the output is based on the demodulated signal, and
オフセット校正回路は、制御信号を設定し、変調後の信号に基づく前記増幅回路の出力に基づいて前記制御信号を調節するように動作可能な論理回路と、

a compensation signal generator operable to generate a compensation signal based on the control signal to compensate for an offset associated with the amplification circuit, and apply the compensation signal on the amplification circuit to adjust the output of the amplification circuit.
前記増幅回路に関連するオフセットを補償するように前記制御信号に基づいて補償信号を生成し、前記補償信号を前記増幅回路に印加して前記増幅回路の出力を調節するように動作可能な補償信号ジェネレータとを備えている。

The offset calibration circuit in conjunction with（＊連携、連動）the application circuit reduces flicker, offset, and offset drift, and also suppresses the upmodulate ripple due to chopping.
前記オフセット校正回路は、前記応用回路と相まってフリッカ、オフセット及びオフセットドリフトを低減し、また、チョッピングに起因するアップモジュレートリップルを抑制する。

WO2016025177
(Ab)
A RF amplifier circuit including a plurality of FET devices, where a source terminal of an FET device is electrically coupled to the drain terminal of another FET device.
複数のＦＥＴデバイスを含むＲＦ増幅回路が提供され、ＦＥＴデバイスのソース端子は別のＦＥＴデバイスのドレイン端子に電気的に結合される。

The circuit further includes a voltage divider network and a plurality of operational amplifiers, where a separate one of the operational amplifiers is provided for each FET device.
当該回路はまた、分圧器ネットワークおよび複数の演算増幅器を含み、複数の演算増幅器の内別個の１つがＦＥＴデバイスごとに設けられる。

Each operational amplifier includes a positive input terminal, a negative input terminal and an output terminal,
各演算増幅器は、正入力端子、負入力端子および出力端子を含む。

where the output terminal for a particular operational amplifier is electrically coupled to a gate terminal of a particular FET device,
特定の演算増幅器の出力端子は、特定のＦＥＴデバイスのゲート端子に電気的に結合され、

the negative input terminal of each operational amplifier is electrically coupled to the source terminal of the particular FET device
各演算増幅器の負入力端子は特定のＦＥＴデバイスのソース端子に電気的に結合され、

and the positive input terminal of each operational amplifier is electrically coupled to the voltage divider network.
また、各演算増幅器の正入力端子は分圧器ネットワークに電気的に結合される。

A source resistor is electrically coupled to the source terminal of a bottom FET device in the stack.
ソース抵抗はスタックのボトムＦＥＴデバイスのソース端子に電気的に結合される。

EP2005577
[0033] PA 8 includes a first stage (referred to here as a "driver stage") 105, an inter-stage matching network 106, an analog multiplexer circuit 107, a second stage, and an output summing network 108.
【００２１】
  ＰＡ８は、第１のステージ（ここでは「ドライバステージ(“driver stage”)」と呼ばれる）１０５、段間マッチングネットワーク(inter-stage matching network)１０６、アナログマルチプレクサ回路１０７、第２のステージ、および出力加算ネットワーク(output summing network)１０８、を含んでいる。

The second stage includes a first Class B3 amplifier circuit 109 and a second Class AB amplifier circuit 110.
第２のステージは、第１のＡＢ級増幅回路１０９および第２のＡＢ級増幅回路１１０を含んでいる。

(The analog multiplexer circuit 107 is actually a demultiplexer, but it is referred to here as a multiplexer.)
（アナログマルチプレクサ回路１０７は実際にはデマルチプレクサであるが、それはここではマルチプレクサと呼ばれる。）

EP2887551
[0009] One or more of the clock signal phases used by an amplification circuit may not be located physically near to the amplification circuit.
【００１１】
  増幅回路により使用される１個以上のクロック信号位相は、当該増幅回路に物理的に近接して配置しなくてもよい。

For example, a multiphase oscillator can be implemented using differential signaling,
例えば、多相振動子は差動信号伝達（ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ  ｓｉｇｎａｌｉｎｇ）を用いて実施でき、

and thus clock signals having phases of about 0 degrees (°) and about 180° may be physically colocated with the amplification circuit.
そのため約０度（゜）および約１８０゜の位相を有する両クロック信号を増幅回路により物理的に共通配置（ｃｏｌｏｃａｔｅｄ）させてもよい。

However, other clock signals of relatively wide angular distance relative to the clock signals having phases of about 0° and about 180°, such as quadrature clock signals, can be physically distant from the amplification circuit.
しかし、約０゜および約１８０゜の位相を有するクロック信号に比べて比較的広い角度距離の、直角位相のクロック信号等の、別のクロック信号を増幅回路から物理的に離間できる。

WO2015026573
(Ab)
A circuit, a method and an apparatus, are described.
システム、方法および装置が説明される。

A radio frequency, RF, signal received from a transmission line (606) is provided to the source（＊初出で定冠詞）of a transistor (624a) in a common-gate amplification circuit (624).
伝送ライン６０６から受信された無線周波数（ＲＦ）信号が、共通ゲート増幅回路６２４内のトランジスタ６２４ａのソースに提供される。

A series resonance (632, 634) connected to the source provides a low impedance path to ground for interfering RF components in the RF signal.
ソースに接続される直列共振６３２、６３４は、ＲＦ信号内の干渉ＲＦ成分に対する接地への低インピーダンス経路を提供する。

The series resonance (632, 634) is tuned to provide a high impedance to a band of frequencies centered on a frequency of interest and to shunt interfering RF components outside the band of frequencies centered on the frequency of interest.
直列共振６３２、６３４は、対象周波数を中心にした周波数帯域に高いインピーダンスを提供し、対象周波数を中心にした周波数帯域外の干渉ＲＦ成分を分路するように同調される。

The interfering RF components may include a harmonic of the frequency of interest.
干渉ＲＦ成分は、対象周波数の高調波を含むことができる。

[0043] FIG. 6 is a schematic circuit diagram 600 illustrating a receive chain that employs multiple resonant filters 614, 636 and 630.
【００３７】
  [0043]図６は、複数の共振フィルタ６１４、６３６および６３０を利用する受信チェーンを示す概略的な回路図６００を示す。

 

An RF signal of interest in a band B41 that is carried on a 2.5 GHz carrier is received at an input port 612 and provided to the low-noise amplifier 616.
２．５ＧＨｚキャリア上で搬送されるバンドＢ４１内の対象ＲＦ信号が入力ポート６１２において受信され、低雑音増幅器６１６に提供される。

 

A parallel resonance circuit 614 may be provided at the source（＊定冠詞）of the amplifier 616.
並列共振回路６１４が、増幅器６１６のソースに設けられ得る。

 

The parallel resonance circuit 614 operates as a low-pass filter that can block potentially interfering higher frequency signals from traversing the transmission line 606.
並列共振回路６１４は、干渉する可能性がある高い周波数が伝送ライン６０６を横断するのを阻止することができるローパスフィルタとして動作する。

 

The output of the amplifier 616 is transmitted over the transmission line 606 to the LNA 624.
増幅器６１６の出力は、伝送ライン６０６を介してＬＮＡ６２４に送信される。

 

An impedance, such as resistance 622, may be provided to match the characteristic impedance of the transmission line 606.
抵抗６２２のようなインピーダンスが、伝送ライン６０６の特性インピーダンスと整合させるために設けられ得る。

 

28. The receiver of claim 27, wherein the resonating circuit is coupled to a source（＊不定冠詞）of a transistor in the common-gate amplification circuit and comprises a capacitance that is connected in series to an inductance.

【請求項２８】
  前記共振回路は、前記共通ゲート増幅回路内のトランジスタのソースに結合され、インダクタンスと直列に接続されるキャパシタンスを備える、 請求項２７に記載の受信機。

 

WO2014143186
According to certain example embodiments, the present disclosure is directed to touch-sensitive apparatuses of the type that includes a touch surface circuit configured to facilitate a change in a coupling capacitance in response to a capacitance-altering touch.
【００２０】
  特定の例の実施形態によれば、本開示は、静電容量が変化するタッチに反応して、結合容量の変化を促進するように構成されるタッチ面回路を含む種類のタッチセンス装置に関する。

 

The apparatus includes a sense circuit that provides a responsive signal having transient portions for characterizing positive-going transitions towards an upper signal level and negative-going transitions towards a lower signal level.
装置は、上部信号レベルに向かう正方向の遷移と、下部信号レベルに向かう負方向の遷移とを特徴付けるための過渡部を有する応答信号を提供するセンス回路を含む。

 

An amplification circuit is then used for amplifying and processing the signals, in response to the time- varying input parameters.
次いで、増幅回路は、時間変化する入力パラメータに応答して、信号を増幅し、処理するのに使用される。

 

The amplification circuit adjusts the gain for the transient portions relative to gain for portions of the response signals between the transient portions,

増幅回路は、過渡部間の応答信号の一部のゲインに対して、過渡部のゲインを調整し、

 

and thereby suppresses RF interference, such as in the form of odd and/or even harmonics, to provide a noise filtered output for determining positions of capacitance-altering touches on the touch surface.
それによって、奇数次及び／又は偶数次高調波の形態などの、ＲＦ干渉を抑制し、タッチ面における静電容量が変化するタッチの位置を決定するための、ノイズフィルタ処理された出力を提供する。

延在して設け

US2015182156
[0038] In the embodiment shown in for example FIGS. 2-5 the grip 26 is provided with at least one tooth 28 extending radially outward from a wall 39, and the housing part 27 with a guide track 29 for said tooth 28.
【００２８】
  たとえば図２～図５に示される実施形態では、グリップ２６に、壁３９から径方向外向きに延在する少なくとも１つの歯２８と、当該歯２８のためのガイドトラック２９を有するハウジング部２７とが設けられる。

Alternatively the tooth 28 could be provided in the housing part 27 and the track 29 on the grip 26 extending around the housing part 27.
または、歯２８は、グリップ２６上のハウジング部２７およびトラック２９内に、ハウジング部２７の周りに延在して設けられてもよい。

The guide track 29 extends such that a rotation R of the grip around the axis Z leads to a forced movement of the grip 26 in a linear direction F. 
ガイドトラック２９は、グリップが軸Ｚの周りに回転するとグリップ２６が直線方向Ｆに強制的に移動するように延在する。

WO2019056126
[0042] An example strainer basket 120 is shown in Figures 3, 3A and 3B.
【００２８】
  ストレーナバスケット１２０の一例が図３、図３Ａ及び図３Ｂに示されている。

The basket 120 comprises an upper rim 122 and additional frame elements 123 which support walls and a bottom constructed from a suitably-sized mesh 124 selected based on the type of plant material to be processed.
バスケット１２０は、上縁１２２と、処理される植物材料の種類に基づいて選択される適当な大きさのメッシュ材１２４から構成された壁面と底面とを支持する付加的なフレーム要素１２３と、を備える。

For example, in some embodiments the mesh 124 has openings with a diameter in the range of about 200-230 microns.
例えば、いくつかの実施形態では、メッシュ材１２４は、直径が２００から２３０マイクロメータの範囲の開口を有している。

A plurality of outwardly extending mounting tabs 121 are spaced about the upper rim 122,
外側に延在する複数の取付タブ１２１は、上縁１２２の周りに間隙を空けて配置され、

and are configured to be attached to the mounting tabs 1 1 1 of the tank 1 10 to hold the basket 120 in place.
バスケット１２０を所定の位置で保持するタンク１１０の取付タブ１１１に取り付けられるように構成されている。

Eyelets 1 13 are provided for lifting the basket 120 with an overhead lift.
バスケット１２０を吊り上げ式のリフトと共に吊り上げるための小穴１１３が設けられている。

Draining tabs 1 15 allow the basket 120 to be suspended half out of the tank 1 10 for draining water out of the basket 120.
排水タブ１１５は、水をバスケット１２０の外側に排水するためにバスケット１２０の半分がタンク１１０の外側で吊られることを許容する。

Generally vertically oriented baffles 126 are provided extending into the interior of the basket 120 at regular intervals
一般的に垂直に方向付けられたバッフル（邪魔板、調整板、baffles）１２６は、バスケット１２０の内部に一定の間隙で延在して設けられ、

to interrupt circular flow or material within the basket and facilitate contact between the plant material and the mesh 124. 
循環流又はバスケットの内の物質を邪魔し、植物材料とメッシュ材（フィルタ材料）１２４との接触を促進する。

US10907532
In operation, the pre-chamber spark plug 200 operates in a manner similar to that described above for the operation of pre-chamber spark plug 100.
【００５９】
  作動において、プレチャンバスパークプラグ２００は、前述のプレチャンバスパークプラグ１００の作動と同様に作動する。

However, it can be seen in FIG. 9 that a tubular inner ring, or velocity control tube 236 extends axially both into the front chamber 108 and into the back chamber 106.
しかし、図９から分かるように、筒状のインナーリング又は速度制御筒２３６は前チャンバ１０８内と後チャンバ１０６内との両方に向かって軸線方向に延在して設けられる。

操作の対象

EP3103139
The Fermi-Dirac (FD) distribution is a fundamental property that governs the thermal behavior of electrons.
【００２２】
  フェルミ・ディラック（ＦＤ）分布は、電子の熱挙動を決定する基本特性である。

At finite temperatures, it leads to thermal smearing of electrons around the Fermi level,
有限温度において、それは、フェルミ準位あたりの電子の熱スミアリングを引き起こし、

which is generally an undesirable effect that sets an intrinsic temperature limit for proper functioning of many electronic, optoelectronic, and spintronic systems.
熱スミアリングは、一般に、多数の電子、光電子、およびスピントロニクス系の適切な機能に対して固有の温度制限を設定する好ましくない効果である。

Since the FD distribution cannot be subject to manipulation, the only way to suppress the FD smearing is to reduce the temperature.
ＦＤ分布は操作の対象にできないので、ＦＤスミアリングを抑制する唯一の方法は、温度を下げることである。

This intrinsic limitation requires many electronic/spintronic systems to be cooled down to cryogenic temperatures (e.g. <77K) for proper operation, barring their implementations to practical applications.
この固有の制限は、実際の用途に対するそれらの実装がなければ、多くの電子／スピントロニクス系が、適切な動作のために、極低温度（例えば、７７Ｋ未満）まで冷却されることを必要とする。

If, however, there exists a way to effectively suppress the FD smearing, many novel electronic/optoelectronic/spintronic systems would be able to operate even at room temperature, leading to numerous military and commercial applications.
しかし、ＦＤスミアリングを効果的に抑制する方法が存在する場合、多くの新規の電子／光電子／スピントロニクス系が、室温でさえ動作することができて、多数の軍事および商業用途につながるであろう。

GB2579275
Accordingly, exempting row 1 from the bulk operation ensures robust execution of the operation, by defining the starting row as row 2.
それに応じて、開始行を行２として定義することにより、行１を一括操作の対象外とすると、操作の強固な実行を確実にする。

The dialog window 274 also includes a Device Column field 282 which enables a user to indicate the specific column in the worksheet specified in the field 278 of the file 276 that contains the specific intelligent field device identifiers, such as device tags.
ダイアログウィンドウ２７４は、装置タグなどの、特定のインテリジェントフィールド装置識別子を含むファイル２７６のフィールド２７８内に指定されたワークシート内の特定の列をユーザーが示すのを可能にする装置列フィールド２８２も含む。

Similarly, a field 284 enables the user to specify the user configuration column. In the example illustrated in Fig. 6, the user configuration column is selected as column A, while the device column is selected as column B.
同様に、フィールド２８４は、ユーザーがユーザー構成列を指定するのを可能にする。図６に示す例では、ユーザー構成列は、列Ａとして選択され、他方、装置列は列Ｂとして選択される。

Referring back to the screenshot 260 of Fig. 5, the user configuration information is set forth in column A, while the device tag information is set forth in column B.
図５のスクリーンショット２６０を再度参照すると、ユーザー構成情報が列Ａに記載されており、他方、装置タグ情報が列Ｂに記載されている。

Additionally, row 1 of the worksheet illustrated in the screenshot 260 includes header information, and thus should not be executed during the operation.
追加として、スクリーンショット２６０に例示するワークシートの行１はヘッダ情報を含み、従って、操作中に実行されるべきでない。

Accordingly, the bulk transfer information entered into the dialog box or window 274 is appropriate for the mapping file illustrated with respect to Fig. 5.
その結果、ダイアログボックスまたはウィンドウ２７４に入力された一括転送情報は、図５に関して例示したマッピングファイルに適している。

WO2017031088
[0004] The technology disclosed makes it feasible to utilize convolutional neural networks (CNNs) in big-data scenarios such as medical imaging, where huge amount of data is needed to be processed with limited memory and computational capacity（＊無冠詞単数；非具体、概念）.
【０００４】
  開示される技術により、限られたメモリと計算機容量の中で膨大な量のデータを処理する必要がある、医療用画像などのビッグデータシナリオにおいても、畳み込みニューラルネットワーク（ＣＮＮ）の利用が可能になる

A major technical problem with existing deep convolution neural networks (CNNs) is the requirement of significant computational resources（＊無冠詞複数；唯一特定でない、可算の複数例）.
既存のディープ畳み込みニューラルネットワーク（ＣＮＮ）の主要な技術的課題は、多大な計算資源を必要とするということである。

The technology disclosed solves this technical problem by adding so- called subnetworks within a 3D deep convolutional neural network architecture (DCNNA), which perform dimensionality reduction operations on 3D data before the 3D data is subjected to computationally expensive operations.
開示する技術によれば、この問題は、３Ｄディープ畳み込みニューラルネットワークアーキテクチャー（ＤＣＮＮＡ）内に、３Ｄデータが演算負荷の高い操作の対象になる前に３Ｄデータへ次元削減操作を行う、いわゆるサブネットワークを追加することで解決される。

Also, the subnetworks convolve the 3D data at multiple scales by subjecting the 3D data to parallel processing by different 3D convolutional layer paths (e.g. , lxlxl convolution, 3x3x3 convolution, 5x5x5 convolution, 7x7x7 convolution).
また、サブネットワークは３Ｄデータに対して、異なる３Ｄ畳み込み層経路（例えば１ｘ１ｘ１畳み込み、３ｘ３ｘ３畳み込み、５ｘ５ｘ５畳み込み、７ｘ７ｘ７畳み込み）によって３Ｄデータを並列処理の対象にすることにより、複数のスケールで畳み込みを行う。

Such multi-scale operations are computationally cheaper than the traditional CNNs that perform serial convolutions.
このようなマルチスケール操作は直列の畳み込みを行う従来のＣＮＮよりも計算機的に安価である。

In addition, performance of the subnetworks is further improved through 3D batch normalization (BN) that normalizes the 3D input fed to the subnetworks, which in turn increases leaming rates of the 3D DCNNA.
加えて、サブネットワークのパフォーマンスはサブネットワークへの３Ｄ入力を正規化し、代わりに３Ｄ  ＤＣＮＮＡの学習率を増加させる３Ｄバッチ正規化（ＢＮ）によりさらに改善される。

俯瞰

EP3716144
[0035] FIGs. 4A and 4B illustrate geo-registration of classified objects, according to example implementations of the present disclosure.
【００３６】
  図４A及び図４Bは、本開示の例示的な実施態様による、分類された物体の地理登録を示している。

The geo-registration module 1024 can register the detected and classified objects and their trajectories against a geo-referenced world map such as Google Maps.
地理登録モジュール１０２４は、グーグルマップなどの地理参照世界地図に対して、検出され分類された物体及びそれらの軌跡を登録することができる。

The geo-registration module can use a perspective transformation between video frames and the map.
地理登録モジュールは、映像フレームとマップの間の透視変換（perspective transformation）を使用することができる。

FIG. 4A illustrates an example that the video feed is from a stationary camera.
図４Aは、映像フィードが静止したカメラからのものである一例を示している。

In this example, the transformation between video frames and the map can be computed from a set of landmark points manually specified by a user (e.g., through the GUI 1041).
この実施例では、映像フレームとマップの間の変換が、（例えば、GUI１０４１を介して）ユーザによって手動で指定された一組のランドマークポイントから計算され得る。

For example, the user can enter a set of point correspondences between an image captured by the stationary camera and the map.
例えば、ユーザは、静止したカメラよってキャプチャされた画像とマップと間の一組のポイント対応を入力することができる。

As shown, the GUI can present a camera-captured image 401 and an overhead view of a map 402.
図示されているように、GUIは、カメラがキャプチャした画像４０１、及びマップの俯瞰図４０２を提示することができる。

The user can enter lines (e.g., line 403) indicating the point correspondences between the image 401 and the overhead view of the map 402.
ユーザは、画像４０１とマップの俯瞰図４０２との間のポイント対応を示す線（例えば、線４０３）を入力することができる。

Each line can connect one point in the image and its corresponding point on the map.
各線は、画像内の１つのポイントを、マップ上のその対応するポイントに接続することができる。

Then the geo-registration module can compute a homographic transformation from the image to the map.
次いで、地理登録モジュールは、画像からマップへのホモグラフィック（homographic）変換を計算することができる。

US2019042944
[0023] FIG. 1 provides a high level block diagram of an illustrative system 100 that includes
【００１６】
  図１は、本明細書に記載の少なくとも１つの実施形態に係る、

a neural network 110, processor circuitry 130 to provide a training tensor 150 to the neural network 110,
ニューラルネットワーク１１０と、ニューラルネットワーク１１０に訓練テンソル１５０を提供するためのプロセッサ回路１３０と、

and a storage device 170 to store instructions executed by the processor circuitry 130, in accordance with at least one embodiment described herein.
プロセッサ回路１３０により実行される命令を格納するための記憶デバイス１７０とを含む例示的システム１００の俯瞰ブロック図を提供する。

The training tensor 150 includes a plurality of 16-bit floating point values 1521-152n (collectively, “16-bit floating point values 152”) and an exponent 154 that is common to and shared by each of at least some of the 16-bit floating point values 152.
訓練テンソル１５０は、複数の１６ビット浮動小数点値１５２_１～１５２_ｎ（まとめて「１６ビット浮動小数点値１５２」）と、１６ビット浮動小数点値１５２の少なくとも一部の各々に共通し、それら各々により共有される指数１５４とを含む。

In embodiments, the processor circuitry 130 generates or causes the generation of the training tensor 150 used to train (e.g., set the weighting and/or biasing of) the neural network 110.
実施形態において、プロセッサ回路１３０は、ニューラルネットワーク１１０を訓練する（例えば、その重み付けおよび／またはバイアスを設定する）ために用いられる訓練テンソル１５０を生成する、またはその生成を引き起こす。

In embodiments, execution of instructions stored in, on, or about the storage device 170 may cause the processor circuitry 130 to forward propagate and/or backwards propagate the training tensor 150 through the neural network 110.
実施形態において、記憶デバイス１７０内、記憶デバイス１７０上、または記憶デバイス１７０の周辺に格納される命令の実行は、プロセッサ回路１３０に、訓練テンソル１５０をニューラルネットワーク１１０を通して順伝播および／または逆伝播させてよい。

EP2409273
[00130] Figure 9 shows an overhead view of an exemplary establishment layout for a multi-zone jukebox system, in accordance with one embodiment of the invention.
【００５６】
  図９は、本発明の一実施形態に係るマルチゾーンジュークボックスシステムの典型的な施設のレイアウトの俯瞰図を示している。

In accordance with an exemplary embodiment, the establishment has three zones 121 , 123, 125.
本実施形態では、施設は３つのゾーン１２１、１２３および１２５を備えている。

Each zone is equipped with its own set of speakers 127, 129, 131, which are operably connected to the jukebox 133.
各ゾーンには、自ゾーンのスピーカー１２７、１２９および１３１が備え付けており、ジュークボックス１３３に操作可能に接続されている。

Different music may be played simultaneously in all three zones 121, 123, 125 and all the music may be played from a single jukebox 133（＊不定冠詞；jukebox 133は既出だが「単一のジュークボックス」は初出）.
異なる音楽が３つのゾーン全てで同時に再生されてもよいし、すべての音楽が単一のジュークボックス１３３から再生されてもよい。

The jukebox 133 may be provided with additional hardware, as needed, to allow this implementation.
ジュークボックス１３３には、必要に応じて、このような実装が可能な追加のハードウェアが設けられてもよい。

WO2019023697
[0139] For example, in various embodiments, the visual display can present a bird's eye view (not shown) of the autonomous vehicle.
【０１３９】
  例えば、様々な実施形態において、視覚ディスプレイは、自律車両の俯瞰映像（図示せず）を提示できる。

Referring also to FIG. 15, in various embodiments, an autonomous aerial vehicle 410 can be associated with one or more autonomous land vehicles 420
さらに図１５を参照すると、様々な実施形態において、自律航空機４１０が、１または複数の自律陸上車両４２０と関連付けられてよく、

and can capture images or videos of the autonomous land vehicle 420 from a bird's eye perspective.
俯瞰的な視点から自律陸上車両４２０の画像または動画をキャプチャできる。

The captured images or videos can be communicated to the remote human operator system 300 for display on a visual interface 330.
キャプチャされた画像または動画は、視覚インターフェース３３０上に表示するために、リモート人間オペレータシステム３００に通信されうる。

In this manner, the bird's eye perspective allows the human operator to easily visualize the surrounding environment of the autonomous vehicle 420
このように、俯瞰的な視点により、人間オペレータは、自律車両４２０の周囲環境を見ることが容易になることで、

to better operate the autonomous vehicle 420 remotely.
リモートで自律車両４２０をより良好に操作できる。

WO2018093450
[0066] FIG. 3 depicts an overhead-view of an aerial vehicle 300, in accordance with an implementation.
【００６１】
  図３は、一実施態様による航空機３００の俯瞰図を示す。

The aerial vehicle 300 includes a perimeter frame 399 that includes a front 392, a first side 394, a rear 396, and a second side 398.
航空機３００は、前部３９２、第１の側部３９４、後部３９６、及び第２の側部３９８で構成される外周フレーム３９９を含む。

In this example, the perimeter frame 399 is rectangular-shaped, but other sizes and shapes are possible.
本例では、外周フレーム３９９は長方形であるが、他のサイズ及び形状もあり得る。

The aerial vehicle 300 also has a middle region 320 that may be located within the front 392, the first side 394, the rear 396 and the second side 398.
航空機３００はまた、前部３９２、第１の側部３９４、後部３９６及び第２の側部３９８の内側に配置され得る中間領域３２０を有する。

For example, the middle region 320 may correspond to a region defined by a radius (e.g., 5 inches) extending away from a center of mass（＊不定冠詞；唯一特定だろうから定冠詞でもOKでは？単に初出だから？）or a center of volume of the aerial vehicle 300. 
例えば、中間領域３２０は、航空機３００の質量中心または体積中心から延びる半径（例えば、５インチ）によって画定される領域に対応し得る。

高周波電力

US10555412
It is also clear from the above requirement that it is beneficial to have a large Ce,
【００３４】
  上記の要件から次のことも明らかである。大きなＣ_ｅは有益であり、

which is why the pulsed voltage biasing scheme proposed herein works most effectively when the pulsed voltage is applied to the chucking pole,
これが、本明細書で提案したパルス電圧バイアス方式は、パルス電圧がチャッキング極に印加されたときに最も効果的に機能する理由である。

rather than to the support base 207 (FIG. 2), to which RF power is usually applied in conventional plasma reactors.
従来のプラズマ反応器で、通常、高周波電力が印加される支持ベース２０７（図２）にパルス電圧を印加するのではない。

Practically, Ce needs to be of the order of several nanofarads for effective implementation of the proposed biasing scheme.
実際には、提案されたバイアス方式を効果的に実施するためには、Ｃ_ｅは数ナノファラッド程度である必要がある。

For CSH ̃100-300 pF that is typical for high aspect ratio applications, this also automatically implies that Ce>>CSH, which is important for maximizing V′SH at a given VOUT. ;
Ｃ_ＳＨが、高アスペクト比の用途で一般的な約１００～３００ｐＦである場合、これはまた、自動的にＣ_ｅ≫Ｃ_ＳＨであることを意味し、この条件は、与えられたＶ_ＯＵＴの下で、Ｖ’_ＳＨを最大化するために重要である。

WO0103279
In Figure 1-4, central power supply (147) converts utility power (101) to DCpower by AC/DC converter (146).
【００４８】
  図１－４において、中央電源（１４７）は、ＡＣ／ＤＣコンバータ（１４６）によってユーティリティ電力（１０１）をＤＣ電力に変換する。

This DCpower is then converted to high frequency sinusoidal power by DC/AC converter (113).
このＤＣ電力は、次いでＤＣ／ＡＣコンバータ（１１３）によって正弦高周波電力に変換される。

The sinusoidal power (or perhaps"substantially"or "approximately"sinusoidal power, as may be produced by even a less than ideal inverter or the like)
正弦電力（または「実質的な」または「近似的な」正弦電力（理想のインバータなどよりさらに小さく生成され得るため））は、

is distributed to the location of use of the power,
電力の使用場所に配電される。

where high frequency VRMs (118) convert the sinusoidal power to low voltage, high current power for the circuit loads such as CPU (141), input/output circuits (140), logic management circuits (145), and memory (143).
電力の使用場所では、高周波ＶＲＭ（１１８）が、ＣＰＵ（１４１）、入力／出力回路（１４０）、論理管理回路（１４５）およびメモリ（１４３）などの回路負荷のために、正弦電力を低電圧、高電流電力に変換する。

In this approach, a VRM is required not only for the aforementioned low voltage circuits, but also for peripherals (144),
このアプローチにおいて、ＶＲＭは、上述の低電圧回路のみならず、周辺機器（１４４）にとっても必要である。

since the DC power (likely +12 volt) requirement for these units is not supplied by the central power supply (106).
これは、これらのユニットに必要なＤＣ電力（＋１２ボルト相当）が、中央電源（１０６）によって供給されないからである。

(Note, the central power supply (106) may supply only sinusoidal high frequency AC power in this approach).
（中央電源（１０６）は、このアプローチにおいて正弦高周波ＡＣ電力のみを供給し得ることに留意されたい）。

High Frequency Transformer (114) may thus provide galvanic isolation and may transform the voltage from constant voltage Sinusoidal DC/AC Converter (113) to a level considered safe to touch.
それ故、高周波変圧器（１１４）は、ガルヴァーニ絶縁（ｇａｌｖａｎｉｃ  ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）を提供し得、定正弦電圧ＤＣ／ＡＣコンバータ（１１３）からの電圧を、触るに安全だと考えられるレベルにまで変換し得る。

WO2012033574
[0049] An annular portion of each conduit 326, 328, is surrounded by an annular magnetic core 334.
【００４７】
  それぞれの導管３２６、３２８の環状部が環状磁気コア３３４で取り囲まれる。

An excitation coil 336 surrounding the core 334 is coupled to an RF power source 338 through an impedance match device 340.
コア３３４を取り巻く励起コイル３３６が、インピーダンス整合デバイス３４０を介して高周波電源３３８に結合される。

The two RF power sources 338 coupled to respective ones of the cores 336 may be of two slightly different frequencies.
コア３３６のそれぞれに結合された２つの高周波電源３３８は、２つの周波数がわずかに異なるものであり得る。

The RF power coupled from the RF power generators 338 produces plasma ion currents in closed toroidal paths extending through the respective conduit 326, 328 and through the processing region 324.
高周波電力ジェネレータ３３８から結合された高周波電力によりプラズマイオン電流が、それぞれの導管３２６、３２８を通ると共に処理領域３２４を通って延びる閉トロイダル経路内に生じる。

These ion currents oscillate at the frequency of the respective RF power source 338. Bias power is applied to the substrate support pedestal 308 by a bias power generator 342 through an impedance match circuit 344.
これらのイオン電流は、それぞれの高周波電源３３８の周波数で振動する。バイアス電力がインピーダンス整合回路３４４を通して基板支持体ペデスタル３０８にバイアス電力ジェネレータ３４２によって印加される。

WO2010109373
 [0021] Other preferred embodiments are practiced in conjunction with an inductively coupled plasma reactor.
【００２１】
  また、本発明の実施形態は、誘導結合プラズマリアクターにも好適に適用可能である。

See, for example, commonly-owned U.S. Patent No. 7,223,321 , the disclosure of which is hereby incorporated by reference in its entirety.
たとえば、参照することによりその開示内容が全体として本明細書に組み込まれる同一出願人が所有する米国特許第7,223,321号を参照のこと。

In operation of such a reactor, a reactant gas flows into a chamber and high frequency power is applied by an RF power supply to a coil, generating an electromagnetic field about the coil.
このようなリアクターの作動時には、反応性ガスがチャンバー内に流され、ＲＦ電源（高周波電源）からコイルに高周波電力が印加され、コイルの周りに電磁場が形成される。

The electromagnetic field is inductively coupled into the chamber and energizes reactant gas into a plasma.
電磁場は、チャンバーに誘導結合されて、反応性ガスをプラズマに励起させる。

塗布膜

WO2017218286
[0068] Prior to step (a) coating, typically, the surface of the underlayer or the substrate, as the case may be, is cleaned before the chemically-amplifiable resist composition is applied (e.g., coated) thereon.
【００７７】
  工程（ａ）コーティングの前に、典型的には、下層又は基板の表面は、場合に応じて、化学増幅型レジスト組成物の塗布（例えばコーティング）の前に清浄化される。

Suitable cleaning procedures are known in the art. The chemically- amplifiable resist composition may be coated on the underlayer or directly on the substrate, as the case may be, using techniques such as spin-coating, spray coating, or doctor blading.
好適な清浄化手順は、当該技術分野において公知である。化学増幅型レジスト組成物は、場合に応じて、スピンコーティング、スプレーコーティング、又はドクターブレードなどの技術を使用して、下層上にコーティングしてよく、又は基板上に直接コーティングしてよい。

Typically, the resist film comprises the (D) solvent and is dried (soft baked) before the applied film (after drying) is exposed to radiation in the mask exposing step.
典型的には、レジスト膜は、（Ｄ）溶媒を含み、乾燥（ソフトベーク）された後、塗布膜（乾燥後）がマスク露光工程で放射線に露光される。

The drying or soft baking step may comprise heating the resist film to a temperature in the range of 30° to 200° C, typically from 80° to 140° C, for a short period of time (e.g. 20 to 90 seconds), typically on the order of approximately 1 .0 minute.
乾燥又はソフトベーク工程は、レジスト膜を、３０℃～２００℃、典型的には８０℃～１４０℃の範囲の温度に、短時間で（例えば、２０秒～９０秒）、典型的にはおよそ１．０分のケタで加熱すること、を含んでもよい。

The resulting dried film has a thickness of 0.01 to 5.0 micrometers (μιη), alternatively 0.02 to 2.5 μιη, alternatively 0.05 to 1 .0 μιη, and alternatively 0.10 to 0.20 μπτι.
得られた乾燥膜は、０．０１マイクロメートル（μｍ）～５．０μｍ、あるいは０．０２～２．５μｍ、あるいは０．０５μｍ～１．０μｍ、あるいは０．１０μｍ～０．２０μｍの厚さを有する。

WO2015179192
[00157] Each panel was tested for gloss at 60°.
【０１４４】
  各パネルを、光沢について６０°で試験した。

The results as a function of film thickness in microns for each organic polymer are presented in Figure 6A.
各有機ポリマーについてのミクロン単位での膜厚の関数としての結果を、図６Ａに示す。

The dependency on the particle size of each polymer, as measured by the D90, or particle diameter wherein 90% of the particles have a diameter less than the D90 value, is presented in Figure 6B.
Ｄ９０、すなわち粒子の９０％がＤ９０の値より小さな粒径を有する粒径、にて測定した際の、各ポリマーの粒子サイズに対する依存性を、図６Ｂに示す。

As shown in Figure 6A, the resulting gloss of the applied film is directly related to the dry film thickness of the film.
図６Ａに示すように、塗布膜の得られた光沢は、乾燥膜の膜厚に直接関係していた。

As shown in Figure 6B, the resulting gloss is inversely proportional to the particle size distribution of the ground polymer.
図６Ｂに示すように、得られる光沢は、粉砕されたポリマーの粒子サイズ分布に逆比例していた。

The appearance appears to be independent of the chemical nature of the selected polymer.
外見は、選択されたポリマーの化学的性質とは無関係であると、思われた。

吐出先

WO2015193303
In preferred embodiments of the present disclosure preferably the only contact between the device and the skin onto which product is to be dispensed is provided for by the applicator element 7, which is part of a disposable cartridge 17.
【０１９６】
  本開示の複数の好ましい実施形態において、装置と製品の吐出先の皮膚との間の唯一の接触は、使い捨てカートリッジ１７の一部であるアプリケータ部７にて生じることが好ましい。

For example the light source(s) 9, 9A is/are shielded from such contact by at least part of the cartridge.
例えば、光源９，９Ａは、カートリッジの少なくとも一部によって、このような接触から遮蔽される。

Thus hygiene is improved and the device does not have to be cleaned as often as for example some of the prior art devices.
これにより、清潔さが向上するので、例えば従来技術の一部の装置のように、装置の洗浄を頻繁に行う必要がなくなる。

WO2013074731
The typical print job printing sequences discussed above are appropriate to support a non-preferred method of always printing Side A on TPH 1 first, and then Side B on TPH 2 second, for every print job.
【００２０】
  上述した通常の印刷ジョブ印刷手順でサポートできるのは、個々の印刷ジョブ毎に、常にＴＰＨ１上で面Ａに印刷を施した後にＴＰＨ２上で面Ｂに印刷を施す従来の手法である。

If either of these sequences is used for the preferred method of printing using two print heads,
この手法を本発明の実施形態に係り２個のプリントヘッドを使用する印刷手法に関し使用した場合、

where each next two-sided print is printed first on the same thermal print head and paper side as was printed last on the previous print,
即ち先の印刷ジョブで最後に使用したものと同じプリントヘッド及び紙面で次の両面プリントが印刷される印刷手法に関し使用した場合、

the photo book page order will be incorrect.
フォトブックのページ順が正しくなくなる。

A preferred method for printing requires the following printing order: new print sheet, Page 10 951 (TPH 1 ),
好適に印刷するには次のページ順、即ち最初の印刷シート上にＴＰＨ１で第１０ページ９５１、

Page 9 950 (TPH2); new print sheet, Page 7 940 (TPH2), Page 8 941 (TPH1); new print sheet, page 6 931 (TPH1),
ＴＰＨ２で第９ページ９５０、その次の印刷シート上にＴＰＨ２で第７ページ９４０、ＴＰＨ１で第８ページ９４１、その次の印刷シート上にＴＰＨ１で第６ページ９３１、

Page 5 930 (TPH2); new print sheet, Page 3 920 (TPH2), Page 4 921 (TPH1); new print sheet, Page 2 911 (TPH1), Page 1 910 (TPH2),
ＴＰＨ２で第５ページ９３０、その次の印刷シート上にＴＰＨ２で第３ページ９２０、ＴＰＨ１で第４ページ９２１、その次の印刷シート上にＴＰＨ１で第２ページ９１１、ＴＰＨ２で第１ページ９１０、という順で印刷する必要がある。

which results in the same sheet stack arrangement in the exit tray as shown in Fig. 9.
このようにすれば、出口トレイにおけるシート積層順が図９と同じ順になる。

This page order results in the last printed sheet that is ejected into the print catcher tray being the first sheet of the photo book,
このページ順なら、最後に印刷されたシートがその吐出先の紙キャッチトレイ内でフォトブックの先頭ページになるので、

and so the face-up page order of the finished print stack is correct.
仕上がった印刷物内の諸ページが上から順に正しい順で並ぶ（フェースアップ順で並ぶ）こととなる。

It should be noted that TPH2 prints all the upward facing pages of the print stack in this sequence and so prints the odd-numbered pages.
なお、この順序の場合、その印刷物の上側ページ即ち奇数ページがいずれもＴＰＨ２で印刷される。

WO2011106119
We have demonstrated a high-throughput platform for manipulating a specimen organism with cellular-resolution imaging and surgery capabilities, enabling complex in vivo high- throughput assays such as neuronal regeneration.
【００２５】
  このように、発明者が開発したのは、細胞分解能撮像や生体標本操作（手術等）が可能な高スループットプラットフォームであり、神経細胞再生をはじめとする複雑なインビーボ分析を高いスループットで実行することができる。

The platform can be used for both forward and reverse genetic screens, as well as for chemical screens.
本プラットフォームは、順逆双方の遺伝子スクリーニングに加え化学スクリーニングにも使用することができる。

The platform automatically loads and dispenses animals from multiweil plates, which is crucial for large-scale incubation of zebrafish.
本プラットフォームでは、生体標本の自動装荷元及び自動吐出先を、ゼブラフィッシュの大規模養殖等に必須なマルチウェルプレートにすることができる。

It is capable of orienting animals on-the-fly with sub-degree precision and therefore allowing visualization and manipulation of superficial and deep structures that are otherwise inaccessible in existing high-throughput screens.
生体標本の向きを１°制御でオンザフライ制御する構成にすれば、従来の高スループットスクリーニング技術ではアクセスできなかった深部構造及び表層構造を可視化、操作することが可能となる。

The entire process of loading, positioning, orienting, imaging, laser micromanipulation, and dispensing of animals takes place within 18 seconds, an improvement of about two orders of magnitude over existing methods.
生体標本の装荷から位置決め、向き調整、撮像及びレーザ光マイクロ操作を経て吐出に至る全プロセスを１８秒以内で終えること、即ち既存手法に対しおよそ二桁以上改善することも可能である。

Screening hundreds of animals demonstrated that our system works noninvasively and reliably in the presence of artifacts such as air bubbles and debris in the medium.
本システムについては、媒体中に気泡、デブリ等の偽像源が存在している許でも非侵襲的且つ確実に作動することが、数百体の生体標本を対象にしたスクリーニングを通じ判明している。

Thus, our platform can significantly accelerate the throughput of sophisticated assays on vertebrates.
このように、本プラットフォームによれば、脊椎動物を対象とした高度な分析におけるスループットを顕著に高めることができる。

ガスが滞留

WO2017200518
As a result, there can no longer be gas hold up on one side of the vibratory meter 5, and the gas may be more evenly distributed down the length of the multi-channel flow tubes 130, 130'.
その結果、振動計5の一方の側にガスが滞留する可能性はもはやなくなり、ガスは、マルチチャネル流管130,130’の長さにより均一に分布され得る。

EP2636848
[0003] The aft end between adjacent transition piece aft-frames typically creates a low pressure region in which hot, low velocity gas may accumulate.
【０００３】
  隣接するトランジションピース後部フレーム同士の間の後部端は、一般に、高温で低速のガスが滞留する可能性のある低圧の領域を生成する。

This hot gas recirculation zone may lead to degraded aft-frame life through hardware cracking and oxidation.
この高温ガスの再循環する区域は、部材の割れや酸化によって、後部フレームの寿命を短くしてしまう可能性がある。

WO2010047788
[0044] Referring to Figs. 1 , 8, and 9, as mentioned above, a distance between mold 52 and substrate 12 is varied such that a desired volume is defined therebetween that is filled by polymerizable material 100.
【００１９】
  図１、８、および９を参照する。上記のように、モールド５２と基板１２の距離は、重合可能な材料１００を充填する所望の空間がその間に形成されるように変更することができる。

Furthermore, after solidification, polymerizable material 100 conforms to the shape of surface 112 of substrate 12 and patterning surface 54, defining patterned layer 114 on substrate 12.
さらに、固化後、重合可能な材料１００は、基板１２の表面１１２とパターン形成面５４の形状に沿い、基板１２上にパターン形成層１１４を形成する。

To that end, in a volume 128 defined between droplets 102 of matrix array 104, there are gases present,
そのため、マトリクス配列１０４の液滴１０２の間に形成される空間１２８には、ガスが存在し、

and droplets 102 in matrix array 104 are spread over substrate 12 so as to avoid, if not prevent, trapping of gases and/or gas pockets between substrate 12 and mold 52 and within patterned layer 1 14. 

マトリクス配列１０４の液滴１０２は、ガス、および／または基板１２とモールド５２の間のガスポケット、およびパターン形成層１１４の中にガスが滞留するのを防止できないまでも、回避するように基板１２上に広がる。

廃棄物

EP2015160356
[0002] Two significant challenges in urban development are processing human and animal waste and providing adequate supplies of usable water.
【０００２】
  都市開発における２つの重要な課題は、人間及び動物の廃棄物を処理すること及び利用可能な水の十分な供給を提供することである。

Treatment of waste, or "wastewater," in urban environments, such as commercial and residential buildings, is a specific challenge.
商業又は住居建物等の都市環境における廃棄物又は「廃水」の処理は、特定の課題である。

Wastewater is typically referred two in two classes— greywater and blackwater.
廃水は、典型的に準汚水と汚水の２つの部類を指す。

Greywater, or "sullage," is defined as wastewater generated from sinks, showers, baths, laundry, dishwashers and the like,
準汚水又は「スラジ」は、シンク、シャワー、風呂、洗濯室、及び食器洗浄機などから発生する廃水として定義され、

which can be recycled on-site for uses such as toilet flushing, landscape irrigation and constructed wetlands.
トイレ洗浄、造園用灌漑、及び人工湿地等に使用するために現場で再利用することができる。

Blackwater refers to the discharge from toilets— i.e., water containing human waste.
汚水は、トイレからの排出物、つまり人間の排泄物を含有する水を指す。

In commercial and residential buildings, grey-water and black-water are removed together, using a shared sewage system, to be treated at centralized waste treatment plants, before being returned to the environment at large.
商業及び住宅建物では、準汚水及び汚水は、共通の下水システムを使用して一緒に除去され、一般的に環境に戻される前に集中化された廃棄物処理場で処理される。

With anticipated increases in population and associated waste generation, waste management becomes one of the most critical aspects of sustainable development.
人口の増加及びそれと関連した廃棄物の発生の増加が予想されるために、廃棄物処理は、持続可能な発展の最も不可欠な態様の１つになるW

WO2019115034
A process for producing biogas from waste containing organic biomass in an Anaerobic Sequencing Batch Reactor (AnSBR) was developed in the early 1990s.
【０００２】
  有機バイオマスを含有する廃棄物からバイオガスを嫌気性連続バッチ反応器（ＡｎＳＢＲ：Anaerobic  Sequencing  Batch  Reactor）で生成する為の方法が、１９９０年代初期に開発された。

US 5185079 A) relates to a single vessel AnSBR operated in cycles having four main stages: Feed, Reaction, Settling and Decanting; with sludge removal when necessary.
米国特許第５１８５０７９Ａ号明細書は、４つの主な下記の段階：供給、反応、沈降、及びデカンテーションを有し、必要なときにはスラッジの除去を伴うサイクルで動作する、単容器のＡｎＳＢＲに関する。

Advantages of AnSBR include a high degree of process flexibility in terms of cycle time and sequence, the possibility to operate without clarifiers are required, and the possibility to operate with relatively simple instrumentation.
ＡｎＳＢＲの利点は、サイクル時間及び順序に関する方法の高度な柔軟性、浄化器なしに動作する可能性があり、かつ相対的に単純な機器で動作する可能性を包含する。

Furthermore, the feast/famine regime induced by sequential operation promotes the degradation of slowly degradable particulate substrates (suspended solids, oils fats and greases) and/or relatively recalcitrant compounds, as well as to an enhanced bio-flocculation.
その上、逐次動作によって誘発された過剰／欠乏のレジームは、ゆっくり分解することが可能な粒状基質（懸濁された固形分、油、脂肪、及びグリース）及び／又は相対的に扱いにくい化合物の分解、並びに高められたバイオフロキュレーションを促進する。

In addition, the sequential operation leads to the development of good settling sludge due to a natural selection pressure on that bad settling sludge.
加えて、逐次動作は、その悪い沈降スラッジに対する自然選択圧力に起因して、良好な沈降スラッジの発生をもたらす。

As a result, there an efficient solids separation is promoted, thus leading to long solids retention times (SRT) and efficient conversion of organic substrates to methane and carbon dioxide.
その結果、効率的な固形分分離が促進され、従って、長い固形分保持時間（ＳＲＴ：solids  retention  times）と、有機基質からメタン及び二酸化炭素への効率的な転化とをもたらす。

作業性

EP3372633
[0126] PANI and PEDOT:PSS show promise as conductive polymers that can be formulated into compositions deposited onto a vehicle component.
【０１２７】
  ＰＡＮＩとＰＥＤＯＴ：ＰＳＳは、輸送体部品上に塗布される組成物中に配合可能な導電性ポリマーとして有望である。

Compositions of the present disclosure, such as compositions containing PVBs (polyvinyl butyrals), are robust, easy to work with, meet electrostatic dissipative resistances, and are versatile to apply.
ＰＶＢ（ポリビニルブチラール）を含む組成物のような本開示の組成物は、堅牢で、作業性がよく、目的の静電除去抵抗値を満たし、塗布しやすい。

WO2013085612
The above teachings allow magnetically coupled systems to generate a constant attraction force while moving across surfaces with large variations in surface thickness (which is not possible in systems with static magnet positions).
【００６７】
  上記教示により、磁気結合システムは、表面厚さが大きく変化する表面に沿って移動しながら一定の吸着力を発生させることができる（これは、磁石位置が固定されているシステムにおいては不可能である）。

In addition to regulating the attraction force control during operation, the ability to control the positions of the magnets also improves operator safety during installation and removal of the tractor from the horizontal stabilizer.
吸着力制御を作業中に調整する他に、これらの磁石の位置を制御することができることによって更に、取り付け中の作業者の安全性、及び水平尾翼からのトラクタの取り外し作業性を向上させることができる。

The capability to fully retract the magnets when the system is not in use improves the safety of transportation and storage of the system as well.
これらの磁石を、当該システムが使用状態ではない場合に、完全に退避させることができることにより、搬送作業の安全性、及びシステムの収納性も高めることができる。

Furthermore, magnet control is not affected by the presence of water on the inside of the horizontal stabilizer, and when powered off, the system will still provide attraction force.
更に、磁石制御は、水平尾翼の内部に水が在ることによって影響されることがなく、そして電源が遮断されても、当該システムは吸着力を供給し続ける。

EP2972170
[0232] In various embodiments of the present invention, a single component may be replaced by multiple components, and multiple components may be replaced by a single component, to perform a given function or functions.
【０２８３】
  本発明の様々な実施態様において、単一の構成要素を複数の構成要素に、及び、複数の構成要素を単一の構成要素に置き換えて、所定の１又は２以上の機能を実行できることは理解されるだろう。

Except where such substitution would not be operative to practice embodiments of the present invention, such substitution is within the scope of the present invention.
このような置換は、本方法及びシステムを実施するように動作しない場合を除いて、本発明の範囲に含まれる。

Any of the servers described herein, for example, may be replaced by a "server farm" or other grouping of networked servers (e.g., a group of server blades) that are located and configured for cooperative functions.
この明細書に記載されるサーバの何れも、「サーバファーム」又は連携機能のために配置され構成されている他グループのネットワークサーバ(例えば、一群のサーバブレード)によって置き換えることができる。

It can be appreciated that a server farm may serve to distribute workload between/among individual components of the farm and may expedite computing processes by harnessing the collective and cooperative power of multiple servers.
サーバファームは、ファームの個々の構成要素間における作業負荷を分配する役割を果たし、複数サーバの集合的及び協同的能力を利用することにより演算プロセスを効率的に処理することができる。

Such server farms may employ load-balancing software that accomplishes tasks such as, for example, tracking demand for processing power from different machines,
このようなサーバファームは、例えば、異なる機械からのパワーを処理し、

prioritizing and scheduling tasks based on network demand,
ネットワークデマンドに基づいてタスクを優先化及びスケジュール化し、

and/or providing backup contingency in the event of component failure or reduction in operability.
及び／又は、構成要素の故障又は作業性低下の場合にバックアップコンティンジェンシーを供給するためのデマンドを追跡する等のタスクを実行するソフトウエアを用いることができる。

WO2019099676
[0022] When a mixture of component (A-1 ) and component (A-2) is used as component (A),
【００２２】
    成分（Ａ－１）と成分（Ａ－２）との混合物を成分（Ａ）として用いる場合、

the content of component (A-1 ) is preferably at least 10 mass% or at least 40 mass% of the total amount of components (A-1 ) and (A-2) in that handleability of the obtained composition is good.
成分（Ａ－１）の含有量は、得られる組成物の取扱作業性が良好であることから、好ましくは成分（Ａ－１）と（Ａ－２）の合計量の少なくとも１０質量％又は少なくとも４０質量％である。

In addition, the content of component (A-1 ) is preferably at most 90 mass% of the total amount of components (A-1 ) and (A-2) in that mechanical properties of the cured product are good.
また、成分（Ａ－１）の含有量は、硬化物の機械的特性が良好であることから、好ましくは、成分（Ａ－１）と（Ａ－２）の合計量の多くとも９０質量％である。

WO2019094665
The about 30% to about 90% organopolysiloxane can give superior stability and antifoaming properties.
【００３０】
  約３０％～約９０％のオルガノポリシロキサンにより、優れた安定性及び消泡性を与えることができる。

The about 1% to about 50% of said non- linear organosilicone resin results in a superior anti-foam as when the non-linear organosilicone resin is to low the anti- foam's antifoaming benefit becomes insufficient while when the non- linear organosilicone resin is to high the anti-foam's workability is unsatisfactory.
非直鎖状オルガノシリコーン樹脂が少なすぎるとき、消泡剤の消泡効果が不十分になる一方で、非直鎖状オルガノシリコーン樹脂が多すぎるとき、消泡剤の作業性が不満足であるため、約１％～約５０％の非直鎖状オルガノシリコーン樹脂が、優れた消泡をもたらす。

When the level of said hydrophobic filler greater than about 0.5% good anti-foaming capability is obtained
当該疎水性充填剤の量が約０．５％を超えるとき、優れた消泡能力が得られ、

 

and when the level of said hydrophobic filler is less than 50% the risk of negative the handling properties is minimized.

当該疎水性充填剤の量が５０％未満のとき、マイナスの取り扱い性のリスクが最小化される。

基準とした電圧

US10330715
As a result of using the first voltage measurement circuit 215 to initially set the potentiostat voltage provided by the voltage source 210,
【００２５】
  第１の電圧測定回路２１５を用いて、電圧源２１０によって提供されるポテンショスタット電圧を初期設定する結果として、

the voltage across the positive and negative terminals of the storage cell 230 will match the potentiostat voltage (4.305V) provided by the voltage source 210 with reference to ground. 
蓄電池２３０の正極端子及び負極端子の両端の電圧は、接地を基準とした電圧源２１０によって提供されるポテンショスタット電圧（４．３０５Ｖ）と一致することになる。

WO2017176936
In some embodiments, the first voltage is less than or equal to 6 V, less than or equal to 5.5 V, less than or equal to 5 V,
幾つかの実施形態では、第１電圧が６Ｖ以下、５．５Ｖ以下、５Ｖ以下、

less than or equal to 4.5 V, less than or equal to 4 V, less than or equal to 3.5 V, less than or equal to 3 V, less than or equal to 2.5 V, less than or equal to 2 V, less than or equal to 1.5 V, less than or equal to 1 V, or less than or equal to 0.5 V.
４．５Ｖ以下、４Ｖ以下、３．５Ｖ以下、３Ｖ以下、２．５Ｖ以下、２Ｖ以下、１．５Ｖ以下、１Ｖ以下、或いは０．５Ｖ以下とされる。

Combinations of the above-referenced ranges are also possible (e.g., greater than or equal to 0 V and less than or equal to 6 V).
上掲の値域の組合せもありうる（例．０Ｖ以上６Ｖ以下）。

Other ranges are also possible. The first voltage should be understood to be the voltage with respect to a Li⁺/Li reference potential.
他の値域もありうる。第１電圧は、Ｌｉ^＋／Ｌｉ参照電位を基準とした電圧であるものと理解されるべきである。

EP2177879
Where:m= scaling factor for converting the results into volts peak referenced to the interface input.
【００３７】
  ここで、ｍは、インタフェース入力を基準とした電圧ピークに結果を変換するための倍率である。

トランジスタのゲートに接続

US7539059
A data inverse signal source 550 is connected to a gate of a transistor 551 that connects the node 525 to node 501 to selectively invert the data at nodes 510 and 525. Operation of this selective bitline precharge circuit will be explained in greater detail herein.  It will be appreciated that circuit 500 is simplified to clearly illustrate embodiments of the present invention. Circuit 500 will perform single level cell page buffering. However, for full multilevel cell functionality additional elements to perform program and program verify.

US9490834
16. A digital-to-analog converter circuit comprising a plurality of digital-to-analog converter cells, wherein a digital-to-analog converter cell of the plurality of digital-to-analog converter cells comprises:

a cell control module connected to a gate of a first field effect transistor and a gate of a second field effect transistor,

wherein the first field effect transistor and the second field effect transistor are connected to an intermediate node of the digital-to-analog converter cell,

wherein the cell control module is configured to keep the first field effect transistor and the second field effect transistor simultaneously at a non-conductive state to switch the digital-to-analog converter cell to a tri-state mode; and

a bias module coupled to the intermediate node of the digital-to-analog converter cell,

wherein the bias module is configured to pull a voltage of the intermediate node to a desired bias voltage, if the digital-to-analog converter cell is in the tri-state mode.

 

WO2012122181
[0021] Thus, FIG. 2 shows a switch sub-circuit 200, which corresponds to one of the shorting switches Swl, Sw2 . . . SwN shown in FIG. 1.
【００１８】
  従って、図２はスイッチサブ回路２００を示し、該回路は、図１に示す短絡スイッチＳｗ１、Ｓｗ２．．．ＳｗＮの一つに対応する。

 

The switch sub-circuit 200 composed of a MOSFET 202, a first resistor 204, a second resistor 206, and a diode 208.
スイッチサブ回路２００は、ＭＯＳＦＥＴ２０２、第１抵抗器２０４、第２抵抗器２０６、及びダイオード２０８から構成される。

 

The first resistor 204 is connected between a gate and a source of the MOSFET 202, and is thus also referred to herein as a gate-source resistor 204.
第１抵抗器２０４は、ＭＯＳＦＥＴ２０２のゲートとソース間に接続され、そのため、ここではゲート－ソース抵抗器２０４とも呼ばれる。

 

The gate-source resistor 204 ensures complete turn- off of the MOSFET 202 when one or more associated LED(s) connected across the source and the drain of the MOSFET 202 are emitting light.
ゲート－ソース抵抗器２０４は、ＭＯＳＦＥＴ２０２のソースとドレインに対して接続された一つ又は複数の関連するＬＥＤが光を発する際、該ＭＯＳＦＥＴ２０２の完全な遮断を保証する。

 

The second resistor 206 is connected between the gate and a drain（＊既出なのに不定冠詞）of the MOSFET 202, and is thus also referred to herein as a gate-drain resistor 206.
第２抵抗器２０６は、ＭＯＳＦＥＴ２０２のゲートとドレイン間に接続され、そのため、ここではゲート－ドレイン抵抗器２０６とも呼ばれる。

(MOSFET, Wikipedia)

 

The gate-drain resistor 206 allows the MOSFET 202 to conduct in the event that the one or more associated LED(s) connected across the source and the drain of the MOSFET 202 fail to open.
ゲート－ドレイン抵抗器２０６は、ＭＯＳＦＥＴ２０２のソースとドレインに対して接続された前記一つ又は複数の関連するＬＥＤが開放し損なった場合、ＭＯＳＦＥＴ２０２が伝導することを許容する。

 

The diode 208 critically decouples the switch sub-circuit 200 from the control line (shown in detail in FIG. 1, and identified in FIG. 2 via pin "C") after the corresponding sub-string voltage rises above the control voltage.
ダイオード２０８は、対応するサブ列電圧が制御電圧を超えて上昇した後、スイッチサブ回路２００を制御ライン（図１に詳しく示され、図２にピン「Ｃ」を介して特定される）からきわどく切り離す。

 

MOSFETとは（半導体基礎知識、新電元工業株式会社）

ｎチャネル型

WO2016093991
[0030] Moreover, the bias circuit 206 may further comprise
【００２４】
  [0030]  その上、バイアス回路２０６は、

a current-limiting n-channel MOS (NMOS) transistor 212 having a drain connected with the drain of the PMOS transistor 224 and with（＊前置詞の繰り返し）the gate of the PMOS transistor 210 and a source connected with a reference potential (e.g., electrical ground).
ＰＭＯＳトランジスタ２２４のドレインおよびＰＭＯＳトランジスタ２１０のゲートと接続されたドレイン、および基準電位（たとえば、電気接地）と接続されたソースを有する、電流制限Ｎチャネル型（ＮＭＯＳ：a current-limiting n-channel MOS）トランジスタ２１２をさらに備え得る。

The gate of the current- limiting transistor 212 may be connected with the first node 214.
電流制限トランジスタ２１２のゲートは、第１のノード２１４と接続され得る。

The current-limiting transistor 212 may be configured to have a small drain-to-source current.
電流制限トランジスタ２１２は、少ないドレイン対ソース電流を有するように構成され得る。

In certain aspects, in an effort to reduce leakage current, a bulk and source of the PMOS transistor 210 may be connected together.
ある特定の複数の態様において、リーク電流（leakage current）を減らす目的で（in an effort to）、ＰＭＯＳトランジスタ２１０のソースおよびバルクは、互いに接続され得る。

Similarly, a bulk and source of the diode-connected PMOS transistor 224 may be connected together.
同様に、ダイオード接続ＰＭＯＳトランジスタ２２４のソースおよびバルクは、互いに接続され得る。

US10586851
The transistor cells TC may be of the n-channel type with p-doped body region 120, n-doped source zone 110 and n-doped drift zone 131
【００２３】
  トランジスタセルＴＣは、ｐドープ本体領域１２０、ｎドープソースゾーン１１０及びｎドープドリフトゾーン１３１を備えたｎチャネル型のものでもよく、

or may be p-channel transistor cells with n-doped body region 120, p-doped source zone 110 and p-doped drift zone 131.
又はｎドープ本体領域１２０、ｐドープソースゾーン１１０及びｐドープドリフトゾーン１３１を備えたｐチャネルトランジスタセルでもよい。

The following description refers to semiconductor devices 500 with n-channel transistor cells TC.
以下の説明は、ｎチャネルトランジスタセルＴＣを備えた半導体デバイス５００に関する。

Similar considerations apply to semiconductor devices with p-channel transistor cells TC.
同様の考えが、ｐチャネルトランジスタセルＴＣを備えた半導体デバイスに当てはまる。

EP2929434
[0058] It is noted that "low," "low logic level" or "logic 0 level" refers to a voltage at or near ground
【００６０】
  「低い」、「低い論理レベル」または「論理０レベル」とは、アースでの電圧またはアース近くの電圧のことであり、

and that "high," "high logic level" or "logic 1 level" refers to a voltage level sufficiently large to turn on a n-channel MOSFET and turn off a p-channel MOSFET.
「高い」、「高い論理レベル」または「論理１レベル」とは、ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴをオンにし、ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴをオフにするのに十分な大きさの電圧レベルのことである点に注意されたい。

In other embodiments, different technology may result in different voltage levels for "low" and "high.
他の実施形態では、異なる技術では「低い」および「高い」に対して異なる電圧レベルになることがある。

It is further noted that the embodiment of a sync controller depicted in FIG. 8 is merely an example.
図８に描いた同期コントローラの実施形態は単なる一例であることにさらに注意されたい。

In other embodiments, different logic gates and different configurations of logic gates may be employed.
他の実施形態では、異なる論理ゲートおよび論理ゲートの異なる設定を用いてよい。

排煙処理

US2020054989(JP)
[0037] Specifically, as illustrated in the diagram, the thermal power plant 1 includes
【００３１】
  具体的には、同図に示すように、火力発電所１は、

a power generation unit 10 including a flue-gas treatment system including a boiler 100, a steam turbine 200, an electric generator 300, and a carbon dioxide recovery system 400,
ボイラ１００、蒸気タービン２００、発電機３００、及び、二酸化炭素回収システム４００を含む排煙処理系統を有する発電部１０と、

and a control apparatus 20 that controls the devices included in the power generation unit 10.
発電部１０に含まれる機器を制御する制御装置２０とを備えている。

In the flue-gas treatment system, a denitration device 110 and an air preheater 120 are provided between the boiler 100 and the carbon dioxide recovery system 400,
ここで、当該排煙処理系統には、ボイラ１００と二酸化炭素回収システム４００との間に脱硝装置１１０及び空気予熱器１２０が設けられ、

and a smokestack 130 is provided on an exit side of the carbon dioxide recovery system 400.
二酸化炭素回収システム４００の出口側に煙突１３０が設けられている。

WO2017046155
[0002] Combustion of fuel sources such as coal produces a waste gas, referred to as "flue gas" that is to be emitted into an environment, such as the atmosphere.
【０００２】
  石炭などの燃料源の燃焼は、大気などの環境中に排出される、「排煙」と呼ばれる排ガスを生成する。

The fuel sources typically contain sulfur and sulfur compounds which are converted in the combustion process to gaseous species, including sulfur oxides, which then exist as such in the resulting flue gas.
燃料源は、典型的に、燃焼プロセス中に硫黄酸化物を含むガス種に変化し、よって結果として得られた排煙中に存在する、硫黄および硫黄化合物を含む。

The fuel sources typically also contain elemental mercury or mercury compounds which are converted in the combustion process to, and exist in the flue gas as, gaseous elemental mercury or gaseous ionic mercury species.
燃料源は、典型的に、燃焼プロセス中にガス状の元素状態の水銀またはガス状のイオン性水銀種に変化し、排煙中に存在する、元素状態の水銀または水銀化合物も含む。

[0003] As such, flue gas contains particles, acid gases, noxious substances and other impurities considered to be environmental contaminants.
【０００３】
  よって、排煙は、環境汚染物質とみなされる、粒子、酸性ガス、有害物質および他の不純物を含む。

Prior to emission into the atmosphere via a smoke stack, hereinafter a "stack", the flue gas undergoes a cleansing or treatment process.
煙突（以下では「排気筒」という。）を経て大気中に排出される前に、排煙は浄化または処理プロセスを施される。

In coal combustion, one aspect of this treatment process is normally desulfurization, such as a wet scrubbing operation commonly known as wet flue gas desulfurization (WFGD).
石炭の燃焼では、この処理プロセスの一態様は、通常、湿式排煙脱硫（ｗｅｔ  ｆｌｕｅ  ｇａｓ  ｄｅｓｕｌｆｕｒｉｚａｔｉｏｎ；ＷＦＧＤ）としてよく知られている湿式除塵運転などの脱硫である。

[0006] A number of generally known methods of mercury removal are effective to produce mercury salts, which can then be dissolved and removed by an aqueous alkaline slurry used in a wet scrubbing operation.
【０００６】
  一般に知られている多くの水銀除去方法は、湿式除塵運転に用いられる水性のアルカリ性スラリーにより溶解し除去できる水銀塩を生成するのに有効である。

Some of these methods include the addition of halogen or halogen compounds, such as bromine, to the coal or to the flue gas upstream of the wet scrubbing operation
これらの方法のいくつかは、ハロゲンまたは臭素などのハロゲン化合物を石炭または湿式除塵運転の上流で排煙に添加して、

to provide oxidation of elemental mercury to ionic mercury and to form mercury salts, which are then dissolved in an aqueous alkaline slurry incident to the sulfur oxide removal processes.
元素状態の水銀をイオン性水銀に酸化させるとともに、硫黄酸化物除去プロセスに付随する水性のアルカリ性スラリー中に溶解される水銀塩を形成することを含む。

However, the removal of mercury in the aqueous alkaline slurry of a wet scrubber, or in a less typical seawater scrubber, has proven to be difficult to control.
しかし、湿式除塵装置またはあまり典型的ではない海水除塵装置において水性のアルカリ性スラリー中の水銀を除去することは、制御が困難であることが判明している。

Further, efficiency is not easily predicted when designing a flue gas cleaning system with respect to mercury removal.
さらに、水銀除去に関する排煙浄化システムを設計するときの効率を予測することは容易ではない。

The desired emission guarantee levels are often as low as 0.3 μg/Nm³ of mercury, which corresponds to a very high mercury removal efficiency for a flue gas treatment system.
所望の排出保証レベルは、排煙処理システムの場合における非常に高い水銀除去効率に相当する、０．３μｇ／Ｎｍ^３ほどの低い水銀となることが多い。

判定した場合、判定する場合

WO2017151206
[0050] If the system determines at block 360 that the current instance is not the final insta nce for the grasping attempt,
【００４２】
  システムがブロック360において現在のインスタンスが把持試行に関する最終インスタンスではないと判定した場合、

the system returns to blocks 356, where it determines and implements another end effector movement, then proceeds to block 358 where it stores an image and the pose at the current instance.
システムはブロック356に戻り、別のエンドエフェクタの動きを決定および実施し、次いでブロック358に進み、現在のインスタンスにおける画像と姿勢とを記憶する。

Through multiple iterations of blocks 356, 358, and 360 for a given grasp attempt, the pose of the end effector will be altered by multiple iterations of block 356, and an image and the pose stored at each of those insta nces.
所与の把持試行に関するブロック356、358および360の複数の反復を通して、エンドエフェクタの姿勢は、ブロック356の複数の反復によって変更され、それらの反復の各々において画像と姿勢とが記憶される。

I n many implementations, blocks 356, 358, 360, and/or other blocks may be performed at a relatively high frequency, thereby storing a relatively large quantity of data for each grasp attempt.
多くの実装形態では、ブロック356、358、360、および/または他のブロックは、比較的高い頻度で実行されてもよく、それによって各把持試行に関する比較的大量のデータを記憶することができる。

EP3360314
[0055] If the data processing system 102 determines that it does not currently have access, in memory of the data processing system 102, to the values or information for the field of the template, the data processing system 102 can acquire the values or information.
【００５２】
  データ処理システム１０２が、データ処理システム１０２のメモリ内で、当該テンプレートのフィールドに対する値または情報に対するアクセスを現在有さないと判定した場合、データ処理システム１０２は当該値または情報を取得することができる。

The data processing system 102 can acquire or obtain the information by querying or polling one or more available sensors of the client computing device 104, prompting the end user of the client computing device 104 for the information, or accessing an online web-based resource using an HTTP protocol.
データ処理システム１０２は、クライアントコンピューティングデバイス１０４の１つまたは複数の利用可能なセンサを問い合わせまたはポーリングし、クライアントコンピューティングデバイス１０４のエンド・ユーザに情報を促し、またはＨＴＴＰプロトコルを用いてオンラインのｗｅｂベースのリソースにアクセスすることによって、当該情報を取得することができるまたは取得する。

For example, the data processing system 102 can determine that it does not have the current location of the client computing device 104, which may be a needed field of the template.
例えば、データ処理システム１０２は、それがクライアントコンピューティングデバイス１０４の現在の位置を有さないと判定でき、現在の位置は当該テンプレートの必要とされるフィールドであってもよい。

The data processing system 102 can query the client computing device 104 for the location information.
データ処理システム１０２は、クライアントコンピューティングデバイス１０４に位置情報を問い合わせることができる。

The data processing system 102 can request the client computing device 104 to provide the location information
データ処理システム１０２は、

using one or more location sensors 134, such as a Global Positioning System sensor, WIFI triangulation, cell tower triangulation, Bluetooth beacons, IP address, or other location sensing technique.
全地球測位システムセンサ、ＷＩＦＩ三角測量、携帯電波塔三角測量、Bluetooth（登録商標）ビーコン、ＩＰアドレス、または他の位置検知技術のような１つまたは複数の位置センサ１３４を用いて当該位置情報を提供するように、クライアントコンピューティングデバイス１０４に要求することができる。

WO2011126502
[00138] When a respective event recognizer 180 determines that the series of sub- events do not match any of the events in event definitions 186,
【０１２５】
  各イベントレコグナイザ１８０は、一連のサブイベントがイベント定義１８６のいずれのイベントとも一致しないと判定した場合、

the respective event recognizer 180 enters an event impossible, event failed, or event ended state, after which it disregards subsequent sub-events of the touch-based gesture.
イベント不可能状態、イベント失敗状態又はイベント終了状態になり、その後、タッチジェスチャの後続のサブイベントを無視する。

In this situation, other event recognizers, if any, that remain active for the hit view continue to track and process sub- events of an ongoing touch-based gesture.
この状況において、ヒットビューに対してアクティブのままである他のイベントレコグナイザがある場合、それらのイベントレコグナイザは実行中のタッチジェスチャのサブイベントを追跡及び処理し続ける。

US10110030
If the hero device determines that the paired device is not present on the same charging mat, the hero device may optionally cease communications with the paired device.
【００６８】
  ヒーローデバイスが、ペアリングデバイスが同じ充電マット上に存在しないと判定した場合、ヒーローデバイスは、ペアリングデバイスとの通信を、任意選択的に停止することができる。

However, if the hero device determines that the paired device is present on the same charging mat as the hero device,
しかしながら、ヒーローデバイスと同じ充電マット上にペアリングデバイスが存在するとヒーローデバイスが判定した場合、

the hero device may exchange additional communications (e.g., out-of-band communications such as Bluetooth communications) with the paired device.
ヒーローデバイスは、追加の通信（例えば、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ通信などの帯域外通信）をペアリングデバイスと交換することができる。

For example, the paired device may send
例えば、ペアリングデバイスは、

the hero device information that identifies the user of the paired device (e.g., to allow the hero device to determine if the paired device and hero device share the same user)
（例えば、ペアリングデバイスとヒーローデバイスとが同じユーザを共有しているかどうかを、ヒーローデバイスが判定することを可能にするために）ペアリングデバイスのユーザを識別するヒーローデバイス情報を、

or a paired device identifier (e.g., to allow the hero device to determine if the paired device is on a list of known paired devices in the hero device).
又は（例えば、ペアリングデバイスがヒーローデバイス内の既知のペアリングデバイスのリスト上にあるかどうかを、ヒーローデバイスが判定することを可能にするために）ペアリングデバイスの識別子を送信することができる。

The hero device may only serve as the hero device for the paired device if the hero device recognizes the paired device (e.g., the hero device and paired device have the same user).
ヒーローデバイスがペアリングデバイスを認識する（例えば、ヒーローデバイスとペアリングデバイスとが同じユーザを有する）場合、ヒーローデバイスは、ペアリングデバイスに対するヒーローデバイスとしてのみ機能することができる。

The hero device may also obtain battery charge status information from the paired device.
ヒーローデバイスはまた、ペアリングデバイスから電池充電ステータス情報を取得してもよい。

The hero device and paired device may also negotiate a time to start a synchronized user notification event during the operations of block 412A.
ヒーローデバイス及びペアリングデバイスはまた、ブロック４１２Ａの動作中に、同期されたユーザ通知イベントを開始するための時間をネゴシエーションしてもよい。

EP3503107
[0006] Turning now to FIG. 1 , an embodiment of an electronic processing system 10 may include
【００１３】
  ここで図１を参照すると、電子処理システム１０の実施形態が、

a processor 11, nonvolatile memory 12, communicatively coupled to the processor 11,
プロセッサ１１と、プロセッサ１１に通信可能に連結された不揮発性メモリ１２と、

and logic 13 communicatively coupled to the processor 11 and the nonvolatile memory 12
プロセッサ１１及び不揮発性メモリ１２に通信可能に連結されたロジック１３であって、

to attempt to program data in a first portion of the nonvolatile memory 12,
不揮発性メモリ１２の第１の部分においてデータのプログラミングを試行し、

determine if the attempt was successful, and recover the data to a second portion of the nonvolatile memory 12 with an internal data move operation if the attempt is determined to be not successful.
試行が成功したかどうかを判定し、試行が不成功に終わったと判定した場合、内部データ移動オペレーションで、不揮発性メモリ１２の第２の部分にデータを回復するロジックとを含んでよい。

US10692560
When the memory controller 101 determines that it is appropriate for the memory device to calibrate its DQ termination resistance networks and/or its DQ drivers,
【００１３】
  メモリコントローラ１０１は、メモリデバイスにとってそのＤＱ終端抵抗回路網および／またはそのＤＱドライバをキャリブレートすることが適切であると判定する場合、

it sends a command to the memory device 102 to perform the calibration.
キャリブレーションを実行すべくメモリデバイス１０２に命令を送信する。

The command is ultimately received by a calibration controller 103 within the memory device 102 that is responsible for executing the calibration routines that determine the correct termination network and driver settings.
命令は最終的に、正しい終端回路網およびドライバ設定を判定するキャリブレーションルーチンを実行することを担当している、メモリデバイス１０２内のキャリブレーションコントローラ１０３によって受信される。

Unfortunately, however, the execution of the calibration routines consumes a non-negligible amount of time that impacts the performance of the memory subsystem.
しかしながら、残念なことに、キャリブレーションルーチンの実行は、メモリサブシステムの性能に影響を及ぼす、無視できない時間長を消費する。

EP2908372
[0046] The routine 500 of FIG. 5 illustrates an interleaved method.
【００４７】
  図５のルーチン５００は、インターリーブ式の方法である。

In an interleaved method, a fuel cell discharge controller is configured to activate a fuel cell assembly, while maintaining other fuel cell assemblies in their deactivated state.
インターリーブ式の方法において、燃料電池放電コントローラは、他の燃料電池アセンブリをそれらの停止状態の中に維持する一方で、燃料電池アセンブリを起動させるように構成される。

In the deactivated state, the fuel cell assemblies are in a recovery period, configured to allow the fuel cell assemblies to recover at least a portion of the degradation caused by current discharge.
停止状態において、燃料電池アセンブリは、回復期間の間に、燃料電池アセンブリが電流放電によってもたらされた劣化の少なくとも一部分を回復することを可能にするように構成される。

Once the fuel cell discharge controller determines the in-use fuel cell assembly is ready for deactivation,
一旦、燃料電池放電コントローラが、使用中の燃料電池アセンブリが停止の準備ができていると判定する場合、

the fuel cell discharge controller activates the next fuel cell assembly and deactivates the in-use fuel cell assembly.
燃料電池放電コントローラは、次の燃料電池アセンブリを起動させ、かつ使用中の燃料電池アセンブリを停止させる。

EP2226887
[0028] In one system, control system 409 monitors the SOC of ESS 401 with sensor 421 in order to determine whether or not to actively cool ESS 401 after the vehicle is turned off,
【００２８】
  一システムでは、制御システム409は、センサ421によってESS401のSOCを監視して、自動車が停止された後、ESS401を能動的に冷却するか否かが判定される。

since at low charge levels high battery temperature does not cause as much battery life degradation as it does at high charge levels.
それは、低い充電レベルにおいては、高いバッテリ温度は、高い充電レベルで引起すほどには、バッテリ寿命低下を引起さないからである。

Fig. 10 illustrates the methodology shown in Fig. 7 , modified to monitor SOC.
図10は、SOCを監視するように変更された、図7に示す方法を示す。

Although not required, preferably in this approach after the vehicle has been turned off (step 701),
必要とされないが、好ましくは、この手法において、自動車が停止された(ステップ701)後、

control system 409 determines if the system has been connected to an external recharging source, i.e., plugged-in (step 1001), for example by monitoring the condition of the charging system 423.
制御システム409は、たとえば充電システム423の状態を監視することによって、システムが、外部充電源に接続された、すなわち、プラグインされたかどうかを判定する(ステップ1001)。

If the control system determines that the system is plugged-in,
システムがプラグインされていると制御システムが判定した場合、

in at least one embodiment the system bypasses the ESS SOC steps and goes directly to the temperature determining step (step 1007) since ESS loading is not an issue.
少なくとも1つの実施形態では、システムは、ESS負荷が問題にならないため、ESS SOCステップをバイパスし、温度確定ステップに直接進む(ステップ1007)。

If temperature control system 409 determines that the system is not plugged-in, then it determines the SOC of ESS 401 using SOC sensor 421 (step 1003).
温度制御システム409は、システムがプラグインされていないと判定する場合、SOCセンサ421を使用してESS401のSOCを確定する(ステップ1003)。