接合基板

US2016225688(JP, Fuji)
"[0006] Further, Patent Literature 2 describes a method for preventing the rear surface of the metal plate from warping significantly into a concave curve even when heated to be soldered, by forming a metal-ceramic joint substrate in which a metal circuit board is joined to one side of a ceramic substrate, one side of a heat sink is joined to the other side of the ceramic substrate, and a work-hardened layer is formed on the other side of the heat sink."

[0005] また、特許文献２には、セラミックス基板の一方の面に金属回路板が接合されているとともに他方の面に放熱板の一方の面が接合された金属—セラミックス接合基板において、放熱板の他方の面に加工硬化層を有する金属—セラミックス接合基板とすることにより、はんだ付けのために加熱しても裏面が大きく凹状に反ることを防ぐ方法が記載されている。

US2016192503(JP, Hitachi)
"[0009] JP 2005-35874 A discloses a method for producing a metal-bonded ceramic substrate by bonding a metal member to at least one surface of a ceramic substrate via a brazing material containing an active metal; coating predetermined surface portions of the metal member with a resist; etching part of the metal member; removing the resist; etching part of the metal layer, which is made of a metal different from the active metal in the brazing material, for example, with an agent containing hydrogen peroxide, ammonia water and EDTA; and selectively etching the active metal layer. JP 2005-35874 A describes as agents for selectively etching the active metal layer, (a) an agent containing carboxylic acid [citric acid, diethylenetriaminepentaacetic acid (DTPA), ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA), hydroxyethylethylenediaminetriacetic acid (HEDTA), 1,3-propanediaminetriacetic acid (1,3PDTA), nitrilotriacetic acid (NTA), hydroxyethylidene 2-phosphoric acid (HEDT), etc.], an oxidizing agent, and alkali; or (b) an agent containing a compound having one or more amino groups in its molecule (ethylenediamine compound, etc.), an oxidizing agent, and acid."

[0009] 特開2005-35874号は、セラミックス基板の少なくとも一方の面に活性金属含有ろう材を介して金属部材を接合した後に、金属部材の表面の所定の部分にレジストを塗布して金属部材の一部をエッチングし、レジストを除去した後、活性金属含有ろう材の活性金属以外の金属により形成された金属層の一部を、例えば過酸化水素とアンモニア水とEDTAとからなる薬剤によりエッチングした後、活性金属層を選択的にエッチングする薬剤で処理する金属-セラミックス接合基板の製造方法を開示しており、前記活性金属層を選択的にエッチングする薬剤として、(a) カルボン酸系の化合物(クエン酸、ジエチレントリアミン五酢酸(DTPA)、エチレンジアミン四酢酸(EDTA)、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸(HEDTA)、1,3-プロパンジアミン三酢酸(1,3PDTA)、ニトリロ3酢酸(NTA)、ヒドロキシエチリデン2リン酸(HEDT)等)と酸化剤とアルカリを含む薬剤、又は(b) 分子内に1つ以上のアミノ基を有する化合物(エチレンジアミン系の化合物等)と酸化剤と酸を含む薬剤を記載している。

US2019111467(JP, Mitsubishi)
"[0004] In addition, in order to improve heat dissipation directly below the power semiconductor on the base plate, metallic heat dissipation fins are attached to the base plate by means of brazing or via heat dissipation grease. A metal-ceramic bonded substrate for a power module having such a configuration is produced by molten metal bonding as disclosed in Patent Document 1 in some cases. In molten metal bonding, a ceramic is placed in a mold, a molten metal is poured around the ceramic to insert-cast the ceramic, whereby a circuit pattern, the ceramic, and a heat dissipation base plate are integrally molded."

[0003] また、ベース板のパワー半導体直下では放熱性を向上させるため、金属製の放熱フィンをろう付けや放熱グリースを介してベース板に取付ている。このような構成のパワーモジュール用金属−セラミック接合基板を特許文献１のような溶湯接合で製造する場合がある。溶湯接合では鋳型内にセラミックを配置しその周囲に金属溶湯を流し込むことでセラミックを鋳包むことで、回路パターンとセラミックおよび放熱用のベース板を一体に成形している。

US2018005922
"[0067] In some embodiments, a semiconductor wafer may be bonded to an inorganic wafer to form a bonded substrate. As used herein, “wafer” refers to a physical object that is the basic work piece transformed by various process operations into the desired configuration. A “wafer” may also be referred to as a “substrate” in the present disclosure. In some embodiments, FIG. 1 illustrates bonding a semiconductor wafer 110 to an inorganic wafer 120. Semiconductor wafer 110 may be any wafer made of a semiconductor material in the crystalline, amorphous, or alloy form, including elemental semiconductors, such as silicon (Si) or germanium (Ge), compound semiconductors, such as gallium arsenide (GaAs), silicon carbide (SiC), silicon nitride (SiN), indium gallium arsenide (InGaAs), or indium gallium zinc oxide (IGZO), and organic semiconductors, such as phenyl-C61-butyric acid methyl ester (PCBM), to name a few. Depending on the material, form, and/or size of semiconductor wafer 110, the thickness of semiconductor wafer 110 may vary from 100 μm to 1 mm."

[0055] いくつかの実施形態において、半導体ウェハを無機ウェハに接合して接合基板を形成してもよい。ここで使用されているとき、「ウェハ」とは、様々なプロセス作業によって所望の構成に転換された基本的なワークピースである物理的物体を指す。また、「ウェハ」は、本開示において「基板」と呼ばれる場合もある。いくつかの実施形態において、図１は、無機ウェハ１２０への半導体ウェハ１１０の接合を示す。半導体ウェハ１１０は、２、３の例を挙げると、ケイ素（Ｓｉ）またはゲルマニウム（Ｇｅ）などの元素半導体、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、ヒ化インジウムガリウム（ＩｎＧａＡｓ）、または酸化インジウムガリウム亜鉛（ＩＧＺＯ）などの化合物半導体、および、フェニル‐Ｃ６１‐酪酸メチルエステル（ＰＣＢＭ）などの有機半導体を含む、結晶形態、アモルファス形態、または合金形態の半導体材料から作製された任意のウェハであってもよい。半導体ウェハ１１０の材料、形態、および／またはサイズに応じて、半導体ウェハ１１０の厚みは、１００μｍから１ｍｍまで異なってもよい。

US2017192687
"[0032] With continued reference to FIG. 1, embodiments of the computing system 120 may include an inspection module 134. Embodiments of the inspection module 134 may include one or more components of hardware and/or software program code for inspecting the bonded substrates 210, 211 for PRECISI.51 79PCT-NY a presence of air bubbles, foreign objects or debris, prior to resuming the automated process, or prior to initiating a curing step, wherein the inspecting includes examining a video or image of the bonded substrates 210, 211 captured by a camera 111 positioned beneath the first substrate 210. If air pockets are detected, then the inspection module 134 may cancel the curing step, and request new substrates and the process to start over. If no air pockets are detected, then the inspection module 134 may transmit a confirmation signal to the computing system 120, or may simply not send a cancel signal. The curing step involves actuating, by the processor of the computing system 120, a UV source 235 to move into a position beneath the bonded substrates 210, 211, which may cure the adhesive bonding the substrate 210, 211. Embodiments of the UV source 235 may an array of UV emitting lamps/lights, LED lamps/lights, mercury halide, or other UV emitting devices. Various UV sources 235 may be selected based on different wavelengths output by the UV device, which may be ideal for a particular adhesive used for the a particular project."

[0024] 引き続き図１を参照すると、コンピューティングシステム１２０の実施形態は、検査モジュール１３４を含むことができる。検査モジュール１３４の実施形態は、自動化プロセスを再開する前に、または硬化ステップを開始する前に、気泡、異物、または破片の存在について接合基板２１０、２１１を検査するためのハードウェアおよび／またはソフトウェアプログラムコードの１つまたは複数の構成要素を含んでもよく、検査するステップは、第１の基板２１０の下に配置されたカメラ１１１によって取り込まれた接合基板２１０、２１１の動画または画像を検査するステップを含む。エアポケットが検出された場合、検査モジュール１３４は、硬化ステップをキャンセルし、新しい基板およびプロセスに再開を要求することができる。エアポケットが検出されない場合、検査モジュール１３４は、コンピューティングシステム１２０に確認信号を送信してもよいし、単にキャンセル信号を送信しなくてもよい。硬化ステップは、コンピュータシステム１２０のプロセッサによって、ＵＶ源２３５を作動させて、接合された基板２１０、２１１の下の位置に移動させ、基板２１０、２１１を接合する接着剤を硬化させることを含む。ＵＶ源２３５の実施形態は、ＵＶ放射ランプ／ライト、ＬＥＤランプ／ライト、ハロゲン化水銀、または他のＵＶ放射デバイスのアレイであり得る。各種ＵＶ源２３５は、ＵＶ装置によって出力される異なる波長に基づいて選択されることができ、これは、特定のプロジェクトに使用される特定の接着剤に理想的であり得る。