ショットキーバリアダイオード

US7416929(Ab)
A switching element combining a self-aligned, vertical junction field effect transistor with etched-implanted gate and an integrated antiparallel Schottky barrier diode is described.
【解決手段】自己整合縦型接合型電界効果トランジスタを、エッチング注入ゲートおよび集積逆並列ショットキーバリアダイオードと組み合わせたスイッチング素子が、記載されている。

The anode of the diode is connected to the source of the transistor at the device level in order to reduce losses due to stray inductances.
ダイオードのアノードは、漂遊インダクタンスによる損失を低減するために、デバイスレベルでトランジスタのソースに接続される。

The SiC surface in the SBD（＊突然省略形）anode region is conditioned through dry etching to achieve a low Schottky barrier height so as to reduce power losses associated with the turn on voltage of the SBD.
ＳＢＤアノード領域におけるＳｉＣ表面は、ＳＢＤのターンオン電圧と関連するパワー損失が低減されるよう低いショットキーバリア高さを達成するために、乾式エッチングによって調整される。