抵抗素子：resistive or resistance or resistor element?

US10446229
[0027] Heat source 130 represents a source of heat for PM 110 .
【００２６】
  熱源１３０はＰＭ１１０のための熱の供給源を表す。

In one embodiment, when PM 110 is integrated onto an I/C (integrated circuit), such as for a PCM application,
一実施形態において、ＰＣＭ応用のためなどに、ＰＭ１１０がＩ／Ｃ（集積回路）の上に統合された場合、

heat source 130 can include a terminal or resistive element adjacent a memory cell or other I/C component that will create heat when current is applied to the circuit.
熱源１３０は、メモリセル、又は回路に電流が印加された場合に熱を生み出す他のＩ／Ｃコンポーネントに隣接する端子又は抵抗素子を含み得る。

US11025214
[0049] In some embodiments, resistor R is implemented as a transistor operating in linear region.
【００３８】
  いくつかの実施形態で、抵抗Ｒは、線形領域で動作するトランジスタとして実装される。

In some embodiments, resistor R is a discrete resistor device offered by a process technology node.
いくつかの実施形態で、抵抗Ｒは、プロセス技術ノードによって提供されるディスクリート抵抗素子である。

For example, resistor R is a poly resistor. In some embodiments, resistor R is a combination of a transistor and a resistor available by the process node.
例えば、抵抗Ｒは、ポリ抵抗（poly  resistor）である。いくつかの実施形態で、抵抗Ｒは、プロセスノードによって利用可能な抵抗及びトランジスタの組み合わせである。

US10600462
[0056] In this example, a logical one is represented by a high resistance state (antiparallel polarization ( FIG. 4b ) of the variable resistive element Rmem ( FIG. 3b ) which is the magnetic tunnel junction (MTJ) device 70 . 
【００３６】
  この実施例において、論理１は、磁気トンネル接合（ＭＴＪ）デバイス７０である可変抵抗素子Ｒ_ｍｅｍ（図３ｂ）の高抵抗状態（逆平行分極（図４ｂ）で表される。

US2020033560
Information reader 82 may be, for example, an electrically programmed read-only memory reader,
情報読取機８２は、例えば、電気的にプログラムされた読み出し専用メモリ読取機、

a memory reader that reads laser-programmed storage or other programmable memory,
レーザープログラムされた記憶装置又は他のプログラム可能メモリを読み取るメモリ読取機、

circuitry that electrically measures storage 84 (e.g., to detect a pattern of conductive traces and/or resistive elements that are being used to store data),
（例えば、データを記憶するために使用されている導電トレース及び／又は抵抗素子のパターンを検出するため）記憶装置８４を電気的に測定する回路、

and/or other reader circuitry.
及び／又は他の読取機回路であってもよい。

US11205834
[0147] The examples of FIGS. 9A-9D are merely illustrative.
【０１３７】
  図９Ａ～図９Ｄの例は、単なる例示にすぎない。

In general, adjustable components 136 , 142 , 148 , and 154 may each include any desired number of inductive, capacitive, resistive, and switching elements arranged in any desired manner (e.g., in series, in parallel, in shunt configurations, etc.). 
一般的に、調整可能構成要素１３６、１４２、１４８、及び１５４はそれぞれ、任意の所望の方法（例えば、直列、並列、シャント構成など）で配置された任意の所望の数の誘導素子、容量素子、抵抗素子、及びスイッチング素子を含むことができる。

EP3446195
[0054] In one embodiment, the individually-addressable segment 106 includes a thermal transducer configured, in an output mode, to increase or decrease the temperature of the outer protective layer of the electronic device 100.
【００４１】
  一実施形態では、個別にアドレス指定可能なセグメント１０６は、出力モードで電子デバイス１００の外部保護層の温度を上昇又は低下させるように構成された熱トランスデューサを含む。

The thermal transducer can be implemented as a Peltier element, a resistive element, or any other suitable element configured to change temperature in response to an electronic signal. 
熱トランスデューサは、ペルチェ素子、抵抗素子、又は電気信号に応じて温度を変更するように構成された任意の他の好適な要素として実装することができる。