弁作用金属

US9959979
"The construction and manufacture of solid electrolyte capacitors is well documented. In the construction of a solid electrolytic capacitor a valve metal preferably serves as the anode. The anode body can be either a porous pellet, formed by pressing and sintering a high purity powder, or a foil which is etched to provide an increased anode surface area. An oxide of the valve metal is electrolytically formed to cover up to all of the surfaces of the anode and to serve as the dielectric of the capacitor. The solid cathode electrolyte is typically chosen from a very limited class of materials, to include manganese dioxide or electrically conductive organic materials such as 7,7,8,8 tetracyanoquinonedimethane (TCNQ) complex salt, or intrinsically conductive polymers, such as polyaniline, polypyrol, polythiophene and their derivatives. The solid cathode electrolyte is applied so that it covers all dielectric surfaces and is in direct intimate contact with the dielectric. In addition to the solid electrolyte, the cathodic layer of a solid electrolyte capacitor typically consists of several layers which are external to the anode body. In the case of surface mount constructions these layers typically include: a carbon layer; a cathode conductive layer which may be a layer containing a highly conductive metal, typically silver, bound in a polymer or resin matrix; and a conductive adhesive layer such as silver filled adhesive. The layers including the solid cathode electrolyte, conductive adhesive and layers there between are referred to collectively herein as the cathode layer which typically includes multiple interlayers designed to allow adhesion on one face to the dielectric and on the other face to the cathode lead. A highly conductive metal lead frame is often used as a cathode lead for negative termination. The various layers connect the solid electrolyte to the outside circuit and also serve to protect the dielectric from thermo-mechanical damage that may occur during subsequent processing, board mounting, or customer use. "

固体電解コンデンサーの構造及び製造は詳細に文書化されている。固体電解コンデンサーの構造において、弁作用金属が陽極として働くことが好ましい。陽極本体は高純度の粉体を押圧し焼結することによって形成される多孔質ペレットか、又はエッチングされて陽極の表面積を増加させた箔のいずれかとすることが可能である。弁作用金属の酸化物は電気分解によって形成されて陽極の表面全体を覆うとともにコンデンサーの誘電体として働く。通常、固体陰極電解質は非常に限られた材料の種別から選択されて、それらの材料は二酸化マンガン、又は７，７，８，８テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）錯塩等の導電性の有機材料、又はポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン及びそれらの誘導体等の真性導電性ポリマーを含む。固体陰極電解質は、固体陰極電解質が誘電体表面全体を覆い、誘電体と直接密接に接触するように適用される。固体電解質に加えて、固体電解コンデンサーの陰極層は、通常、陽極本体の外側にあるいくつかの層から構成される。面実装構造体の場合、通常、これらの層は炭素層と、ポリマーマトリックス又は樹脂マトリックスに包まれた通常は銀である高導電性金属を含む層とすることができる陰極導電性層と、銀粒子を充填した接着剤等の導電性接着剤層とを含む。固体陰極電解質、導電性接着剤を含む層及びそれらの間の層は、本明細書において集合的に陰極層と呼ばれ、これらの層は、通常、一方の面を誘電体に、他方の面を陰極リードに接着させることを可能にするように設計された複数の中間層を含む。多くの場合、高導電性金属リードフレームが負極端子のための陰極リードとして用いられる。様々な層が固体電解質を外側の回路に接続し、誘電体を後続の処理中、ボード実装中又は顧客の使用中に発生する可能性がある熱機械的損傷から保護する働きもする。

容量発現率

US10049780(JP, Mitsubishi)
"However, in case of the polymer suspension coating method, it is difficult for a dispersion of an electroconductive polymer to impregnate in the inside of a dielectric layer. As a result, a solid electrolyte layer is not easily formed in the inside of the fine irregularities (pores) of a dielectric layer and it is formed only on a surface layer. Thus, there is a problem that the electric capacitance exhibition rate of the obtained solid electrolyte condenser is low. "

しかし、ポリマー懸濁液塗布法の場合、導電性ポリマーの分散液が誘電体層の内部まで含浸しにくかった。その結果、誘電体層の微細な凹凸の内部（細孔）には固体電解質層が形成されにくく、表層のみに固体電解質層が形成されるため、得られる固体電解コンデンサの電気容量発現率が低くなるという問題があった。

EP3361537(JP, Sekisui)
"[0149] With regard to the lithium ion secondary batteries obtained in the above Examples and Comparative Examples, constant current constant voltage charge of 0.2 C at 25°C was performed until a current value converged to 0.1 C with an upper limit voltage of 4.2 V. Thereafter, constant current discharge of 0.2 C was performed up to 2.7 V. Subsequently, the charge and discharge cycle was repeated a plurality of times at a charge and discharge current of 1 C in a similar manner to stabilize a state of each of the lithium ion secondary batteries. Subsequently, the charge and discharge cycle was repeated at a charge and discharge current of 1 C in a similar manner, and a capacity development ratio ({[discharge capacity at first cycle (mAh)]/[rated capacity (mAh)]} × 100) (%) and a capacity retention ratio at 100th cycle ({[discharge capacity at 100th cycle (mAh)]/[discharge capacity at first cycle (mAh)]} × 100) (%) were calculated. Note that the rated capacity (theoretical capacity) of each of the secondary batteries was 4 mAh. Evaluation results of the secondary batteries are written in Tables 1 and 2."

上記各実施例及び比較例で得られたリチウムイオン二次電池について、２５℃において０．２Ｃの定電流定電圧充電を、上限電圧４．２Ｖとして電流値が０．１Ｃに収束するまで行った後、０．２Ｃの定電流放電を２．７Ｖまで行った。次いで、充放電電流を１Ｃとして同様の方法で、充放電サイクルを複数回繰り返し、リチウムイオン二次電池の状態を安定させた。次いで、充放電電流を１Ｃとして同様の方法で、充放電サイクルを繰り返し、容量発現率（{［１サイクル目の放電容量（ｍＡｈ）］／［定格容量（ｍＡｈ）］}×１００）（％）、及び１００サイクルでの容量維持率（{［１００サイクル目の放電容量（ｍＡｈ）］／［１サイクル目の放電容量（ｍＡｈ）］}×１００）（％）を算出した。なお、各二次電池の定格容量（理論容量）は、４ｍＡｈであった。各二次電池の評価結果を表１及び表２に示す。

US10305143(JP, Toray)
"A 9 μm-thick polyethylene (PE) separator E09HMS (manufactured by Toray Battery Separator Film Co., Ltd.) was used to prepare a battery cell having a cell structure of positive electrode/PE separator/polymer-ion-permeable membrane sample/PE separator/negative electrode. The prepared battery cell was similarly evaluated, and the result showed that the battery had a capacity achievement ratio of 98% in finishing charge-discharge, and a power characteristic of 95% at 0.5 C, 86% at 1 C and 68% at 3 C. Thus, the capacity achievement ratio at a high rate was improved as compared to the polymer-ion-permeable membrane alone. "

さらに、厚み９μｍのポリエチレン（ＰＥ）セパレータＥ０９ＨＭＳ（東レバッテリーセパレータフィルム社製）を用い、セル構成を、正極／ＰＥセパレータ／ポリマーイオン透過膜の試料／ＰＥセパレータ／負極として電池セルを作製した。作製した電池セルについて同様に評価を実施した結果、仕上充放電の容量発現率が９８％、出力特性は０．５Ｃで９５％、１Ｃで８６％、３Ｃで６８％と、単独の場合に比べ、高レートにおける容量発現率が向上した。

EP3147975(JP, Nippon Chem. Con.)
"[0037] With a C.C. mode (constant current mode) set in which the discharge rate is 1 C and the working voltage of this cell is from 2.5 V to 4.3 V, the charging/discharging characteristic was examined. The C rate was calculated using a theoretical capacity of 117.9 mAhgFig. 9 is a graph showing the charging/discharging characteristic of the cathode material including the lithium vanadium phosphate with aluminum as a solid solution. In Fig. 9 , the horizontal axis indicates the discharge capacity and the vertical axis indicates the potential. As shown in Fig. 9 , as a result of using the composite body of CNF and the lithium vanadium phosphate with aluminum as a solid solution of the first embodiment example in the electrode material, the charge capacity was 126 mAhg, which is slightly higher than the theoretical capacity 117.9 mAhgcalculated when the theoretical capacity is reduced by an amount corresponding to doping with aluminum, and this indicates a capacity expression rate of 107%. Furthermore, the discharge capacity was 124 mAhgwhich is slightly higher than the theoretical capacity 117.9 mAhgand this indicates a capacity expression rate of 105%. "

 このセルを作用電圧２．５〜４．３Ｖとして、放電レートを１ＣとするＣ．Ｃモード（定電流モード）にて、その充放電特性を調べた。尚、Ｃレートは、理論容量１１７．９ｍＡｈｇ−１を用いて計算した。図９は、アルミニウムが固溶したリン酸バナジウムリチウムを含む正極材料の充放電特性を示すグラフである。図９において、横軸は放電容量を示し、縦軸は電位を示す。図９に示すように、実施例１のアルミニウムが固溶したリン酸バナジウムリチウムとＣＮＦの複合体を電極材料に用いた結果、充電容量は、アルミニウムを添加した分だけ理論容量が減るとして算出した理論容量１１７．９ｍＡｈｇ−１に対し、若干増えて１２６ｍＡｈｇ−１となり、容量発現率は１０７％であった。また、放電容量は、理論容量１１７．９ｍＡｈｇ−１に対し、若干増えて１２４ｍＡｈｇ−１となり、容量発現率は、１０５％であった。

硫黄変性ポリアクリロニトリル

US2013029222(JP)
"1. In a positive electrode for lithium-ion secondary battery, the positive electrode having: a current collector; and an electrode layer that is formed on a surface of said current collector, and which includes a binder resin, an active material and a conductive additive, 
the positive electrode being characterized in that:
said active material includes a sulfur-modified polyacrylonitrile that is produced by heating a raw-material powder comprising a sulfur powder and a polyacrylonitrile powder in an enclosed nonoxidizing atmosphere; and
said binder resin includes a polyimide resin and/or a polyamide-imide resin."

集電体と、前記集電体の表面に形成されたバインダー樹脂と活物質と導電助剤とを含む電極層とを有するリチウムイオン二次電池用正極において、
  前記活物質は、硫黄粉末とポリアクリロニトリル粉末とからなる原料粉末を、密閉された非酸化性雰囲気下において加熱して製造された硫黄変性ポリアクリロニトリルを含み、
  前記バインダー樹脂は、ポリイミド樹脂及び／またはポリアミドイミド樹脂を含むことを特徴とするリチウムイオン二次電池用正極。

US2011200875(JP)
"1. A method of manufacturing sulfur-modified polyacrylonitrile, comprising: mixing a base powder comprising sulfur powder and polyacrylonitrile powder; and heating the base powder under a nonoxidative atmosphere while preventing the effluence of sulfur vapor."

硫黄粉末とポリアクリロニトリル粉末を含む原料粉末を混合し、硫黄蒸気の流出を防止しつつ、非酸化性雰囲気下で加熱することを特徴とする、硫黄変性ポリアクリロニトリルの製造方法。

との接合面

US2019189548(JP)
"[0058] First, as shown in FIG. 6, the Cu—P—Sn-based brazing filler material 24, the Ti material 25, and the Cu foil 22 which becomes the circuit layer 12 are laminated in this order on one surface (upper surface in FIG. 6) of the ceramic substrate 11, and the Cu—P—Sn-based brazing filler material 24, the Ti material 25, and the Cu foil 23 which becomes the metal layer 13 are laminated in this order on the other surface (lower surface in FIG. 6) of the ceramic substrate 11 (FIG. 6(a)). That is, between the ceramic substrate 11 and the Cu foil 22 and between the ceramic substrate 11 and the Cu foil 23, the Cu—P—Sn-based brazing filler material 24 is disposed on the ceramic substrate 11 side, and the Ti material 25 is disposed on the Cu foil 22 side and the Cu foil 23 side. The bonding surface between the Ti material 25 and the Cu foil 22 or 23 is a surface that is made smooth in advance.

まず、図６に示すように、セラミックス基板１１の一方の面（図６において上面）に、Ｃｕ−Ｐ−Ｓｎ系ろう材２４、Ｔｉ材２５、及び回路層１２となるＣｕ板２２を順に積層するとともに、セラミックス基板１１の他方の面（図６において下面）に、Ｃｕ−Ｐ−Ｓｎ系ろう材２４、Ｔｉ材２５、及び金属層１３となるＣｕ板２３を順に積層する（図６（ａ））。すなわち、セラミックス基板１１とＣｕ板２２及びＣｕ板２３の間において、セラミックス基板１１側にＣｕ−Ｐ−Ｓｎ系ろう材２４を配置し、Ｃｕ板２２，２３側にＴｉ材２５を配置している。なお、Ｔｉ材２５とＣｕ板２２、２３との接合面は、予め平滑な面とされている。

[0059] In the present embodiment, the composition of the Cu—P—Sn-based brazing filler material 24 is Cu-6.3 mass % P-9.3 mass % Sn-7 mass % Ni. The solidus temperature (melting start temperature) of the Cu—P—Sn-based brazing filler material 24 is 600° C. Furthermore, in the present embodiment, as the Cu—P—Sn-based brazing filler material 24, a foil material is used, and the thickness thereof is within a range equal to or greater than 5 μm and equal to or smaller than 150 μm. "

本実施形態においては、Ｃｕ−Ｐ−Ｓｎ系ろう材２４の組成は、Ｃｕ−６．３ｍａｓｓ％Ｐ−９．３ｍａｓｓ％Ｓｎ−７ｍａｓｓ％Ｎｉとされており、その固相線温度（溶融開始温度）は６００℃とされている。また、本実施形態では、Ｃｕ−Ｐ−Ｓｎ系ろう材２４として箔材を用い、その厚さは、５μｍ以上１５０μｍ以下の範囲内とされている。

WO2013032631
2 1 . The product package of claim 9. wherein the closure has a surface having, an interface with a surface of the container and at least a portion of the aroma delivery system is positioned at the interface."

前記蓋が、前記容器の表面との接合面を有する表面を有し、前記芳香送出システムの少なくとも一部が該接合面に配置されている、請求項９記載の製品パッケージ。

US2011073217
"20. The method as recited in claim 19, further including boronizing the wear resistant layer at a boronizing temperature that causes interdiffusion between the matrix and the particulates, between the matrix and a substrate on which the matrix is disposed, or both. "

上記マトリクスと上記微粒子との間、および上記マトリクスと上記基材との接合面のいずれかまたは両方において相互拡散を生じさせるホウ化処理温度において、上記耐摩耗層をホウ化処理することをさらに含む、請求項１９に記載の方法。

WO2010022066
"[0185] Molecular sieves are materials with precise and uniform size pores used as an adsorbent for gases and liquids. Non-limiting examples of molecular sieves include clays, porous glasses, zeolites, active carbons and aluminosilicate minerals. The size of the pores determines which molecules can pass through and which cannot. For water vapor transport a pore size of about 3A to 4A are preferred. In various embodiments, molecular sieves are incorporated at different loadings in the separate layers of the multilayer film to create directional flow towards the outside of the laminated product, i.e. away from the interface with the fabric."

分子篩は、気体や液体の吸着材として使用される、精密で均一なサイズの細孔を有する材料である。分子篩の非限定的な例は、クレイ、多孔質ガラス、ゼオライト、活性炭およびアルミノケイ酸鉱物を含む。細孔のサイズは、どの分子が通れ、どの分子が通れないかを決める。水蒸気を運ぶには、約３Å〜４Åの細孔のサイズが好ましい。種々の実施形態では、分子篩は、多層フィルムの個別の層に異なる流送量で組み込まれ、積層製品の外部への方向流量、すなわちファブリックとの接合面からの離間、を作り出す

絶縁回路基板

WO2015142859
"Referring to figures 5 and 6, the light source assembly (5) comprises an insulated circuit board (5a), one or more sources of light, such as one or more LED lights (5b) having positive and negative electrical leads (5e, 5f), and electrical conductors (5c, 5d) affixed to either side of the board. The circuit board is housed in the back section (2b) of the light source housing, while the light source (5b) extends into the front section (2c), just behind the lens (4). The electrical conductor (5c) on the backside of the circuit board (5a) maintains electrical contact with a negative node (6a) of the power source (6), and with a corresponding negative node (5e) of the light source (5b). The electrical conductor (5d) on the front side of the circuit board maintains electrical contact with a positive node (5f) of the light source, and with a stationary portion (9a) of the flexible conductor (9). The stationary portion is stationary relative to the actuator (1)."

図５、６を参照すると、光源アセンブリ（５）は、絶縁回路基板（５ａ）と、正極及び負極のリード（５ｅ、５ｆ）を有する一つ以上のＬＥＤライト（５ｂ）のような一つ以上の光源と、基板の両側に取り付けられる電気導体（５ｃ、５ｄ）とを含む。回路基板は、光源ハウジングの後方セクション（２ｂ）に収容され、光源（５ｂ）は、レンズ（４）の真後ろに、前方セクション（２ｃ）内へと延在する。回路基板（５ａ）の背面にある電気導体（５ｃ）は、電源（６）の負ノード（６ａ）との電気接触及び光源（５ｂ）の対応する負ノード（５ｅ）との電気接触を維持する。回路基板の前面にある電気導体（５ｄ）は、光源の正ノード（５ｆ）との電気接触及び可撓性導体（９）の静止部分（９ａ）との電気接触を維持する。静止部分は、アクチュエータ（１）に対して静止している。

US9282655
"With continued reference to FIGS. 1-6, circuit board assembly 16 includes an electrically insulative circuit board 26 defining a plane onto which a plurality of two-way pass-through terminals 28, a plurality of one-way terminals 30, bus bar 32, and one or more electronic devices 34, for example only, relays and resistors, are mounted. A plurality of electrical traces 35 may be provided on circuit board 26 to connect two-way pass-through terminals 28, one-way terminals 30, bus bar 32, and electronic devices 34 into various desired circuit patterns. Two-way pass-through terminals 28 have upper contact portions 36 above circuit board 26 and lower contact portions 38 below circuit board 26. Some one-way terminals 30 include only upper contact portions 36 while other one-way terminals 30 include only lower contact portions 38. Lower contact portions 38 extend from circuit board 26 no more than a first predetermined distance 40. It should be noted that, for clarity, only one of each of two-way pass-through terminals 28, one-way and one-way terminals, electrical devices, electrical traces 35, upper contact portions 36 and lower contact portions 38 are labeled in the drawings. "

図１乃至図６の参照を続けると、回路基板アッセンブリ１６は、平面を形成する電気絶縁回路基板２６を含む。電気絶縁回路基板２６には、複数の二路パススルー端子(two-way pass-through terminal) ２８と、複数の一路端子３０と、バスバー３２と、一つ又はそれ以上の電子デバイス３４（単なる例としてリレーや抵抗器）とが取り付けられている。二路パススルー端子２８、一路端子３０、バスバー３２、及び電子デバイス３４を様々な所望の回路パターンで接続するため、回路基板２６には、複数の電気トレース３５が設けられていてもよい。二路パススルー端子２８は、回路基板２６の上方の上接触部３６と、回路基板２６の下方の下接触部３８とを有する。幾つかの一路端子３０は、上接触部３６だけを含むが、他の一路端子３０は、下接触部３８だけを含む。下接触部３８は、回路基板２６から第１所定距離４０しか延びていない。明瞭化を図るため、添付図面では、二路パススルー端子２８、一路端子３０、電気デバイス、電気トレース３５、上接触部３６、及び下接触部３８の各々の一つだけにしか参照番号が付してない。

WO2011150232
"[0006] One aspect of the technology is an apparatus with an electrically insulating circuit board, at least one electrical path attached to the circuit board, and at least one electrophoresis capillary in thermal contact with at least one thermal area. The electrical path forms a thermal area. The electrical path is thermally regulated responsive to electrical current through the electrical path. The at least one electrophoresis capillary is thermally regulated responsive to electrical current through the electrical path."

本技術の一側面は、電気絶縁回路基板と、回路基板に取り付けられている少なくとも１つの電気経路と、少なくとも１つの電気泳動キャピラリと熱接触する少なくとも１つの高温エリアとを伴う装置である。電気経路は、高温エリアを形成する。電気経路は、電気経路を通る電流に応答して、熱的に調整される。少なくとも１つの電気泳動キャピラリは、電気経路を通る電流に応答して、熱的に調整される。

ヒートシンク付き

US5057908
"1. A high power semiconductor device with integral heat sink comprising, in combination: an integrated circuit having a substrate and an active semiconductor region formed on one surface of the substrate; an AlN monolithic thin film grown on the said one surface overlying the active semiconductor region, the AlN thin film having a sufficiently low impurity content to cause said thin film to function as a low thermal resistance heat conductor removing heat from the active semiconductor region with which said thin film is in contact; and a microchannel heat sink in thermal contact with the AlN thin film, the microchannel heat sink being supplied with a source of cooling fluid for conducting heat away from the microchannel heat sink."

【請求項１】  基板と該基板の１表面上に形成された半導体装置を有する集積回路と、
前記１表面上のＡｌＮ薄膜であって、自身が接触する前記半導体装置から熱を除去する低熱抵抗熱伝導体として自身が機能するのを可能とするに充分な低不純物含有量を有するＡｌＮ薄膜と、及び前記ＡｌＮ薄膜と熱接触するマイクロチャネルヒートシンクであって、熱を自身から伝導する冷却流体源を具備したマイクロチャネルヒートシンクとから成ることを特徴とする一体型ヒートシンク付き高電力半導体装置。

US5666355
"FIG. 4 depicts a simplified schematic diagram illustrating one way to control power consumption of an amplifier by turning on and off its bias current. Such bias current control is advantageous for, e.g., power amplifiers because their relatively high operating power supply current may involve use of a relatively costly, heat-sinked, power transistor to switch such current. In the diagram, an amplifier 24 to be controlled has the usual power supply connections represented by a grounded voltage source 25. Input signals to be amplified are applied at terminal 54 "

図４は、バイアス電流をオンおよびオフ制御することによって増幅器の電力消費を制御する一手法を図解する概略図である。このようなバイアス電流制御は、例えば電力増幅器に有効である。すなわち、電力増幅器の動作電力供給電流は比較的大きいので、そのような電流の切換えには比較的コストが高いヒートシンク付きの電力トランジスタの使用を伴うからである。この図では、制御対象の増幅器２４は、一方の電極を接地した電圧源２５で表される通常の電源接続を有している。増幅すべき入力信号は端子５４に供給する。

WO2011005342
"[0083] Referring to FIG. 14, a top view of a passive cooling enclosure system with a rear heat sink 1400 in accordance with a representative embodiment is shown. In one embodiment, the passive cooling enclosure system with a rear heat sink 1400 is configured as a rack. The passive cooling enclosure system with a rear heat sink 1400 includes a heat sink 1410, a cabinet 1420, heat pipes 1430, and pipe connectors 1440."

図１４に関して、典型的な実施形態に基づくヒートシンク付き受動的冷却筐体システム１４００の上面図が示されている。一実施形態において、後部ヒートシンク付き受動的冷却筐体システム１４００はラックとして構成される。後部ヒートシンク付き受動的冷却筐体システム１４００はヒートシンク１４１０、キャビネット１４２０、ヒートパイプ１４３０、およびパイプコネクタ１４４０を含む。

US7922364
"The invention relates to electric lamps and particularly to electric lamps. More particularly the invention is concerned with LED lamps with heat sinks. "

本発明は電灯に関し、詳しくはヒートシンク付きのＬＥＤランプに関する。