数十分の１

EP2209474
"[00150] Additionally, the compounds of this invention are generally effective for inhibiting the growth of bacteria. In this embodiment, bacteria are contacted either in vitro or in vivo with a growth-inhibiting amount of a compound of formula I-V or pharmaceutically-acceptable salts thereof. Inhibition of bacterial growth is typically evidenced by a decrease or lack of reproduction by the bacteria and/or by lysis of the bacteria, i.e., by a decrease in colony-forming units in a given volume over a given period of time (i.e., per hour) compared to untreated bacteria. Compounds of this invention may be baceteriostatic or bacteriocidal. Typical concentrations of beta-lactam antibiotics effective for bacterial growth inhibition rang from tenths of micrograms to tens of micrograms per mL."

  [00150]さらに、本発明の化合物は、一般に、細菌の増殖を阻害するのに有効である。この実施形態では、細菌を、インビトロ（ｉｎ  ｖｉｔｒｏ）又はインビボで、増殖を阻害する量の式Ｉ～Ｖの化合物又はその薬学上許容される塩と接触させる。細菌増殖の阻害は、典型的には、細菌による繁殖の減少又は欠如によって、及び／又は細菌の溶解によって、即ち、所定容積中での所定期間（即ち、時間当たり）にわたるコロニー形成単位の、未処理細菌と比較した減少によって証明される。本発明の化合物は、静菌性又は殺菌性でもよい。細菌増殖を阻害するのに有効なβ－ラクタム系抗生物質の典型的な濃度は、ｍＬ当たりでマイクログラムの数十分の１～数十倍の範囲である。

EP1603702
"[0051] In a second embodiment, the VSE process uses wet chemicals. For example, an InP wafer having a deposited silicon oxide layer, as in the first embodiment, and a device layer are bonded to a AlN substrate having a deposited oxide layer. After smoothing and planarizing the InP wafer bonding surface and the AlN wafer bonding surface, both wafers are cleaned in an standard RCA cleaning solution. The wafers are very slightly etched using a dilute HF aqueous solution with an HF concentration preferably in the range of 0.01 to 0.2%. About a few tenths of a nm is removed and the surface smoothness is not degraded as determined by AFM (atomic force microscope) measurements. Without deionized water rinse, the wafers are spin dried and bonded in ambient air at room temperature. The resulting bonding energy has been measured to reach ∼700 mJ/m<2>after storage in air. After annealing this bonded pair at 75°C the bonding energy of 1500 mJ/m<2>was obtained., The bonding energy has been measured to reach silicon bulk fracture energy (about 2500 mJ/m<2>) after annealing at 100°C. If the wafers are rinsed with deionized water after the HF dip, the bonding energy at 100°C is reduced to 200 mJ/m<2>, that is about one tenth of that obtained without the rinse. This illustrates the preference of F to OH as a terminating species."

第２の態様において、ＶＳＥプロセスは、ウエット化学物質を用いる。例えば、第１の態様におけるような堆積されたシリコン酸化物層を有するＩｎＰウエーハーおよびデバイス層は、堆積された酸化物層を有するＡｌＮ基板にボンディングされる。ＩｎＰウエーハーボンディング表面およびＡｌＮウエーハーボンディング表面を平滑化し、平坦化した後、両方のウエーハーは、標準ＲＣＡ洗浄溶液中で洗浄される。ウエーハーは、好ましくは、０．０１～０．２％の範囲のＨＦ濃度を有する希釈ＨＦ水溶液を用いてきわめてわずかにエッチングされる。ｎｍの約数十分の１が除去され、表面の平滑性は、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）測定により測定すると低下していない。脱イオン水によるすすぎなしに、ウエーハーはスピン乾燥され、室温で周囲空気中でボンディングされる。得られる結合エネルギーは、空気中での貯蔵後、～７００ｍＪ／ｍ2 に達することが測定された。７５℃でこの結合対をアニーリングした後、１５００ｍＪ／ｍ2 の結合エネルギーが得られた。結合エネルギーは、１００℃でのアニーリングの後、シリコンバルク破壊エネルギー（約２５００ｍＪ／ｍ2 ）に達することが測定された。もしウエーハーがＨＦ浸漬後に脱イオン水によりすすがれるならば、１００℃での結合エネルギーは、２００ｍＪ／ｍ2 に減少し、それは、すすぎなしで得られる値の約１０分の１である。このことは、終端種としてＯＨよりＦが好ましいことを示す。

WO2010099396
"[0082] The heat transfer fluid circulates in heat exchanger, so the Heat Transfer Fluid PID essentially controls the temperature of the heat transfer fluid. In this way, the control scheme is able to automatically achieve a specified target based on input from sensors placed on the patient and the logic built into the controller. Additionally, this scheme allows the unit to automatically alter the patient temperature very gradually the last few tenths of a degree to achieve the target temperature very gently and avoid overshoot or dramatic, and potentially damaging, swings in the electronic power to the heat exchanger. Once the target temperature is achieved, the system continues to operate automatically to add or remove heat at precisely the rate necessary to maintain the patient at the target temperature."

 [0082]伝熱流体は、熱交換器において循環し、したがって、伝熱流体ＰＩＤは、伝熱流体の温度を基本的に制御する。このようにして、この制御方式は、患者上に配置されたセンサからの入力と制御装置に組み込まれたロジックとに基づいて、指定された目標を自動的に達成することができる。さらに、この方式は、ユニットが、患者体温を最後の数十分の１度まで非常に少しずつ自動的に変化させることができるようにして、目標温度を非常に穏やかに達成し、行き過ぎや、潜在的に損傷を生じる熱交換器への電力の著しい揺れを回避する。目標温度が達成されると、システムは、目標温度に患者を維持するのに必要な速度で精密に熱を追加または除去するように自動的な動作を継続する。