過日、直流耐圧、交流耐圧試験した14sq3芯＊9mCV高圧ケーブル。
交流耐圧試験10,350V時に3本一括に流れた二次側充電電流(漏れ電流)は17mA。
同じデータロガーは17．5mA。
★この試験データを元にtanδ値計算してみる。
エクセルセル内のキュービクル．．．は高圧ケーブルの間違い。
計算上はIo=合成電流21．9mAとなったが、静電容量の誤差もあるので当然、近傍一致しかならない。
これで判ることはIo=合成電流のIgr(対地抵抗分電流)は無く、高圧ケーブルが持っているIc(対地静電容量成分電流)の進み電流(位相角89．99)だけとなる。
リアクトルを入れて二次側充電電流を遅れ電流で相殺して一次側励磁電流の低減をはかる理由ともつながる。
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この交流耐圧試験の電圧を直流耐圧試験20,750V(2倍)を入力すると当然、二次側充電電流、Igr(対地抵抗分電流)も倍となる。
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今回の交流耐圧～直流耐圧試験まで理屈をブロク学習したが電気技術者としては、この程度でベター．．．まだ追跡研究は有るが。