単体の金属

US11152131
[0022] Metal coated fibers of the present disclosure include neutral metal coated fibers and oxidized metal coated fibers.
【００１４】
  本開示による金属コーティングされた繊維は、中性の金属コーティングされた繊維と、酸化された金属コーティング繊維とを含む。

Metals of the metal coated fiber include any suitable metal for contacting a conductive polymer.
金属コーティングされた繊維の金属には、導電性ポリマーと接触させるために適切なあらゆる金属が含まれる。

A metal can be an elemental metal, such as a neutral or oxidized elemental metal, and/or alloys thereof. 
金属は、単体の金属、例えば中性又は酸化された単体金属、及び／又はその合金であり得る。

US2011012091
[0062] The device presently disclosed comprises two electrodes comprising an anode and a cathode.
【００６７】
  ここで開示されるデバイスは、アノードおよびカソードを含む２つの電極を有する。

Electrodes or contacts are usually metals or “metal substitutes.”
電極または端子（ｃｏｎｔａｃｔｓ）は、通常「金属」または「金属置換体」である。

Herein the term metal is used to embrace both materials composed of an elementally pure metal, e.g., Al, and also metal alloys which are materials composed of two or more elementally pure metals. 
ここで「金属」の語は、単体の金属で構成される物質（たとえば、Ａｌ）および二以上の元素単体金属で構成される物質である金属合金をも包含して用いられる。

WO2014013055
According to a preferred embodiment, the first, second and third materials can be or can comprise metallic materials, particularly elementary metals.
【００１４】
  好ましい態様によれば、第１、第２および第３の材料は、金属材料、特に単体金属であり得、またはこれらを含み得る。

The invention therefore has the advantage of being able to be used for metallic coatings, for example in the case of platings of electronic components such as contacts of printed circuit elements, using alloys, but also and preferably pure or elementary metals. 
これにより、本発明は、例えばプリント回路要素のコンタクトなどの電子部品のめっきの場合のように、合金を、また好ましくは純粋なまたは単体の金属を用いた金属コーティングに用いることができるという利点を有する。

～系；材料

US2022194056
 Examples of suitable pigment include
適切な顔料の例としては、

B1G pigment, 30C965 (a CuCr-based pigment), and 20F944 (a MgFe-based pigment) from Shepherd (Cincinnati, Ohio)
Ｓｈｅｐｈｅｒｄ（オハイオ州、シンシナティ所在）からのＢ１Ｇ顔料、３０Ｃ９６５（ＣｕＣｒ系顔料）、および２０Ｆ９４４（ＭｇＦｅ系顔料）、

and V7709 (a CuCr-based pigment) and 240137 (a FeCrCoNi-based pigment) from Ferro Corporation (Mayfield Heights, Ohio). 
並びにＦｅｒｒｏ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ（オハイオ州、メイフィールドハイツ所在）からのＶ７７０９（ＣｕＣｒ系顔料）および２４０１３７（ＦｅＣｒＣｏＮｉ系顔料）が挙げられる。

US2020144676
In some embodiments, the first cap comprises at least one of nickel (Ni) and a Ni-based alloy. In some embodiments, the contact surface of the first cap comprises a helically shaped groove.
実施形態によっては、第１のキャップは、ニッケル（Ｎｉ）およびＮｉ系合金のうちの少なくとも一方を含む。実施形態によっては、第１のキャップの接触面は、螺旋形状の溝を備える。

値を示す図

US10986607
[0028] FIG. 12 is a drawing illustrating a first zone present determination threshold being used by a device, said first zone presence determination threshold being an in-zone threshold.
【図１２】[0028]図１２は、デバイスによって使用されている第１のゾーン存在決定閾値を示す図であって、第１のゾーン存在決定閾値は、ゾーン中閾値である。

US11180816
[0020] FIG. 3 is a diagram showing MIC values of rrs and eis mutant and wild type strains.
【図３】図３は、ｒｒｓおよびｅｉｓ突然変異ならびに野生型菌株のＭＩＣ値を示す図である。

The average MIC values to AMK and KAN for the rrs and the eis mutants and the wild type strains are shown.
ｒｒｓおよびｅｉｓ突然変異ならびに野生型菌株のＡＭＫおよびＫＡＮに対する平均ＭＩＣ値を示す。

Error bars represent the ±one standard deviation of the MIC values. eis-P indicates eis gene promoter.
エラーバーは、ＭＩＣ値の±１標準偏差を表す。ｅｉｓ－Ｐは、ｅｉｓ遺伝子プロモーターを示す。

US2022152154
[0020] FIG. 3A shows the glucose levels from the oral glucose tolerance test (OGTT) of the mice in Groups A-F two weeks after treatment.
【図３Ａ】治療の２週間後のＡ～Ｆ群におけるマウスの経口糖耐能試験（ＯＧＴＴ）からの血糖値を示す図である。

[0025] FIG. 5B shows the serum insulin levels measured two weeks and five weeks after treatment of the mice in Groups A-F.
【図５Ｂ】Ａ～Ｆ群におけるマウスの治療２週間後及び５週間後に測定した血清インスリン値を示す図である。

US2022137455
[0010] FIG. 8 illustrates optical transmittance values for light incident on an optical film at various angles of incidence, in accordance with an embodiment of the present description.
【図８】本明細書の一実施形態に係る、様々な入射角で光学フィルムに入射する光に対する光透過率値を示す図である。

US8901537
[0011] FIG. 6A illustrates Schottky barrier nickel germanide (NiGe) diode measurements,
【図６Ａ】本発明の一部の実施形態に応じた、ショットキバリアゲルマニウムニッケル（ＮｉＧｅ）ダイオードの測定値を示す図であり、

confirming that the NiGe workfunction is about 85 mV of the valance band edge, in accordance with some embodiments of the present invention.
ＮｉＧｅの仕事関数は価電子帯端において約８５ｍＶであることが分かる図である。

内蔵

US8661700
[0011] FIG. 2 is rear perspective view of an interchangeable probe with an embedded integrated circuit;
【図２】集積回路内蔵型可換プローブの後斜視図である。

EP3459076
[0060] In some examples, a non-transitory computer-readable storage medium of memory 202
[0070] いくつかの例では、メモリ２０２の非一時的コンピュータ可読記憶媒体は、

can be used to store

instructions (e.g., for performing aspects of process 1200, described below) for use by or in connection with an instruction execution system, apparatus, or device, such as a computer-based system, processor-containing system, or other system that can fetch the instructions from the instruction execution system, apparatus, or device and execute the instructions. 
命令実行システム、装置、又はデバイスから命令をフェッチして命令を実行することができるコンピュータベースシステム、プロセッサ内蔵システム、又は他のシステムなどの命令実行システム、装置、又はデバイスによって使用される又はこれらと関連する命令（例えば、以下に説明する処理の態様を実行するための）

を格納するために使用される。

US11099853
As examples, computing environment 10 may include
例として、コンピューティング環境１０は、

a PowerPC® processor offered by International Business Machines Corporation, Armonk, N.Y.;
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション、ニューヨーク州アーモンクにより提供されるＰｏｗｅｒＰＣ（Ｒ）プロセッサ、

an HP Superdome with Intel Itanium II processors offered by Hewlett Packard Co., Palo Alto, Calif.;
ヒューレット・パッカード、カリフォルニア州パロ・アルトにより提供されるＩｎｔｅｌ（Ｒ）  Ｉｔａｎｉｕｍ  ＩＩプロセッサ内蔵ＨＰ  Ｓｕｐｅｒｄｏｍｅ、

and/or other machines based on architectures offered by International Business Machines Corporation, Hewlett Packard, Intel Corporation, Oracle, or others. 
または、インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション、ヒューレット・パッカード、インテル、オラクルなどによって提供されるアーキテクチャに基づく他のマシン、あるいはその組合せを含むことができる。

US10637694
[0102] Generally, applications (e.g., program modules) can include routines, programs, components, data structures, etc., that perform particular tasks or implement particular abstract data types.
【００８５】
  一般に、アプリケーション（例：プログラムモジュール）は、特定のタスクを実行する、又は特定の抽象データ型を実装するルーティン、プログラム、要素、データ構造等を含んでよい。

Moreover, those skilled in the art will appreciate that the methods described herein
更に、当業者には本明細書に記述する方法が、

can be practiced with

other system configurations, including single-processor or multiprocessor systems, minicomputers, mainframe computers, as well as personal computers, hand-held computing devices, microprocessor-based or programmable consumer electronics, and the like, each of which can be operatively coupled to one or more associated devices.
各々が１個以上の関連装置に動作可能に結合できるシングルプロセッサ又はマルチプロセッサシステム、ミニコンピュータ、メインフレームコンピュータ、及びパーソナルコンピュータ、ハンドヘルドコンピュータ、マイクロプロセッサ内蔵又はプログラム可能家電製品等を含む他のシステム構成

により実施できることを評価されよう。

US2020052896
[0033] The controlled access system 100 may include a client device 170 .
【００４３】
  アクセス管理システム１００は、クライアントデバイス１７０を備えてもよい。

Client device 170 may be
クライアントデバイス１７０は、

any computing device belonging to a user, such as a smartphone or other handheld computing device, a tablet,
スマートフォンまたはその他の携帯コンピューティングデバイス、タブレット端末、

a wearable computing device, a laptop computer, a netbook, an e-reader,
ウェアラブルコンピューティングデバイス、ラップトップコンピュータ、ネットブック、電子ブック、

a personal computer, a smart speaker, a television with a processor, etc.,
パーソナルコンピュータ、スマートスピーカー、プロセッサ内蔵テレビなど、

that is capable of requesting resources via recognized location 160 as well as via other locations.
認識済みの所在地１６０を経由およびその他の位置を経由してリソースを要求可能なユーザ所有の任意のコンピューティングデバイスであってもよい。

Client device 170 may be an example of computer device 400 or 450 , as depicted in FIG. 4.
クライアントデバイス１７０は、図４に示すようなコンピュータデバイス４００または４５０の例であってもよい。

US2015248845
[0147] In summary, disclosed is
【０１０３】
  要約すれば、

a real-time virtual reality welding system including

a programmable processor-based subsystem,
プログラム可能プロセッサ搭載サブシステムと、

a spatial tracker operatively connected to the programmable processor-based subsystem,
プログラム可能プロセッサ内蔵サブシステムに動作的に接続された空間トラッカと、

at least one mock welding tool capable of being spatially tracked by the spatial tracker,
間トラッカによって空間的に追跡可能な少なくとも１つの模擬溶接ツールと、

and at least one display device operatively connected to the programmable processor-based subsystem. 
空プログラム可能プロセッサ内蔵サブシステムに動作的に接続された少なくとも１つの表示装置と、

を含むリアルタイム仮想現実溶接システムが開示される。

US10076751
As described in more detail below, the interface system 14 may be
以下により詳細に記載されるように、インターフェースシステム１４は、

a processor-based machine that is configured to perform and/or to initiate the synthesis steps without user intervention,
ユーザーが介入しなくても合成工程を実施させ、かつ／又は開始させるように構成されたプロセッサ内蔵機械であってよい、

or the interface system 14 may be configured to receive a user input and to execute instructions in response to the user input. 
或いは、インターフェースシステム１４は、ユーザー入力を受け取り、ユーザー入力に応じて命令を実施するように構成されていてよい。

US9337997
A storage medium may be coupled to the processor such that the processor can read information from, and write information to, the storage medium.
プロセッサが記憶媒体から情報を読出し可能であり、それに情報を書込み可能であるように、記憶媒体はプロセッサに連結されてよい。

In the alternative, the storage medium may be integral to the processor.
代わりに、記憶媒体はプロセッサ内蔵であってよい。

US2003141981
The medical device operating system 210 
システム２１０は、

can be embodied in any computer-readable medium for use by or in connection with

an instruction execution system, apparatus, or device, such as a computer-based system, processor-containing system, or other system that can fetch the instructions from the instruction execution system, apparatus, or device and execute the instructions.
コンピュータベースシステム、プロセッサ内蔵システム、または命令実行システム、装置、またはデバイスから命令をフェッチし、かつ命令を実行し得る他のシステムなどの命令実行システム、装置、またはデバイス

によって、またはこれらと共に、用いれる任意のコンピュータ読み取り可能媒体に具体化され得る。

求められている、必要とされている、需要がある

US8026132（既出）
Thus, there is a need for an HEMT device formed from GaN material with reduced leakage current, which also eliminates current constrictions resulting from deposition of the gate metal over discontinuities in the device.
よって、リーク電流が低減された、ＧａＮ材料から形成された、また、デバイス内の不連続部の上にゲート金属を堆積することによる電流狭窄が排除される、ＨＥＭＴデバイスが求められている。

WO2013169853（既出）
there is a need to provide feedback that enables the user to more efficiently and conveniently navigate through the user interface environment. 
ユーザがユーザインタフェース環境内をより効率よくかつ便利にナビゲートすることを可能とするフィードバックの提供が必要とされている。

US10375037（既出）
Accordingly, a need exists for methods and apparatus for a distributed database system that does not require a leader or a trusted third party to operate the database system.
従って、データベースシステムを運営するのにリーダ又は信頼できるサードパーティを必要としない分散データベースシステムのための方法及び機器が求められている。

WO2018107170（既出）
As intermittent solar and wind sources become significant contributors to future electrical grid supply while at the same time fossil fuel burning plants become less significant contributors, needs exist for nuclear power plants in the small modular reactor (SMR) class possessing a "load following" mode of operation.
断続的な太陽および風の資源は、将来の配電網供給に対する有意な一因になり、それと同時に化石燃料燃焼プラントは、それほど有意な一因にはならず、「負荷追従」動作モードを保有する小型モジュール炉（ＳＭＲ）クラスでの原子力発電所が求められている。

WO2018185663（既出）
There remains a need in the art for improved systems for delivering the necessary reductant for SCR catalyst function in emission control systems.
排出制御システムでのＳＣＲ触媒機能に必要な還元剤を送達するための改善されたシステムが、当技術分野で依然として求められている。

WO2014001931（既出）
The need is apparent for molded articles having non-linear branching channels that allow for compact construction.
【０００４】
  非線形の分枝状チャンネルを有し、かつ小型化が可能な成形品が求められている。

US8776952（既出）
Hence, there is a strong desire for a lubricating oil thermal management system to control fuel and oil temperatures that also reduces such thrust losses and additionally reduces the volume required therefor in the more compact available spaces in advanced turbofan engines.
そこで、改良型ターボファンエンジンのより小型化が可能な空間配置において、このような推力損失を低減し、熱交換器に必要とされる容積をさらに低減する、燃料温度および潤滑油温度を制御する潤滑油熱管理システムが強く求められている。

EP3024957（既出）
[0006] Though alloys such as R88DT and R104 have provided significant advances in high temperature capabilities of superalloys, further improvements are continuously being sought.
【０００５】
  Ｒ８８ＤＴやＲ１０４等の合金は超合金の高温能力に大きな進歩をもたらしたが、さらなる向上が引き続き求められている。

WO2013142790（既出）
What the art needs is a galley power system than can interface with all of the various equipment in the galley, run diagnostics and service inquiries, and control the galley through an interface that manages the power according to a hierarchy.
必要とされているのは、階層構造にしたがって、電源管理用インタフェースを介して、ギャレーのすべての装備と対話し、診断とサービス確認を実行し、ギャレーを制御できるギャレーの電源システムである。

WO2018237321（既出）
what is needed in the art is a method and/or system（＊無冠詞）for converting rotating motion into linear motion (and/or vice- versa) that is stable at high RPMs and is less prone to mechanical wear relative to the conventional cardan-gear.
当業では、高ＲＰＭにおいて安定するとともに従来のカルダン歯車に比べて機械的摩耗を生じにくい、回転運動を線形運動に（及び／又は線形運動を回転運動に）変換する方法及び／又はシステムが必要とされている。

WO2018044989（既出）
[0012] Due to the importance of sufficient interbed fluid mixing for good catalyst lifetimes, high throughput, long cycle length, and overall reactor performance, improved mixing devices are needed.
【００１２】
  良好な触媒寿命、高処理量、長いサイクル長、および全体としての反応器の性能のために、充分な床間の流体の混合が重要であるがゆえに、改良された混合デバイスが必要とされている。

WO2013112383（既出）
The continual decrease in the size of microelectronics components has increased the need for the use of such thin films.
超小型電子部品の絶え間ない小型化によって、上記のような薄膜の使用に対する需要が増加してきている。

WO2017127597（既出）
As such, there is a growing demand for packaging such on-chip electronic parts on a mass-production basis, for example, on an elongated tape using an automatic inserting machine.
したがって、そのようなオンチップ電子部品を量産ベースで、例えば自動挿入機を用いる延伸テープ上で、パッケージングする需要が高まっている。

WO2016046204（既出）
In recent years, the demand for streaming media content, such as video and/or audio content, has rapidly increased.
近年、動画や音声コンテンツなど、メディアコンテンツのストリーミングに対する需要が急速に高まっている。

電流検出用

US10492984
[0097] As described above, the negative terminal of the battery unit 214 is connected to the circuit ground 810 via the low-resistance current sensing resistor 900 , which may have a resistance of, for example, 0.1 ohm.
【００７１】
  上記したように、バッテリユニット２１４の負極は、例えば抵抗値が０．１  ｏｈｍの低抵抗値電流検出用抵抗器９００を介して回路グランド８１０に接続されている。

A voltage develops across the current sensing resistor proportional to the current flowing through the battery unit when charging.
充電時にはバッテリユニットを流れる電流に比例して電流検出用抵抗器の両端で電圧が生じる。

The voltage is provided as an input to a current sensing (ISENSE) input of the battery charger controller 860 via a high-resistance (e.g., 20,000-ohm) resistor 930 .
電圧は、高抵抗（例えば２０，０００  ｏｈｍ）抵抗器９３０を介してバッテリ充電コントローラ８６０の電流検出用（ＩＳＥＮＳＥ）入力への入力として印加される。

The current sensing input is filtered by a filter capacitor 932 . 
電流検出用入力はフィルタコンデンサ９３２によってフィルタ処理される。

EP3787665
The power generation board includes a Hall Effect sensor U27 for secondary current sense to potentially use for the crowbar overcurrent circuit. 
発電基板には、二次電流検出用のホール効果センサーＵ２７が含まれ、クローバー過電流回路に使用することができる。

US8581687
[0002] The present invention relates to four-terminal current sensing resistors and more particularly to
【０００１】
  本発明は、４端子型の電流検出用抵抗器に関し、より詳細には、

precision four-terminal resistors with capacity to adjust temperature coefficient of resistance (TCR) during manufacturing process.
その製造プロセスにおいて抵抗温度係数（temperature coefficient of resistance，以降、ＴＣＲとも称する）を調整可能な精密な４端子型の抵抗器に関する。

US11346862(JP)
[0003] Conventionally, there is proposed a current sensing device including a resistive element-incorporating substrate in which a current sensing resistive element is incorporated into a laminate of a plurality of insulating layers (ceramic layers) (see, for example, Patent Literature 1, Patent Literature 2).
【０００２】
  従来、複数の絶縁層（セラミック層）が積層された積層体に電流検出用の抵抗素子が内蔵された抵抗素子内蔵基板からなる電流検出装置が提案されている（例えば特許文献１、特許文献２参照）。

[0004] In Patent Literature 1, a metal via is embedded in a via, which penetrates through the laminated insulating layers, to connect to the electrodes of a resistor in order to increase the effect of heat dissipation of the resistor incorporated into the laminated substrate.
【０００３】
  特許文献１では、積層された複数の絶縁層を貫通するビア内に金属ビアを埋め込んで抵抗器の電極と接続させることで、積層基板内に内蔵されている抵抗器の放熱効果を向上させるようにしている。

[0005] Patent Literature 2 describes the similar structure to the one described in Patent Literature 1, in which the number of a plurality of first (second) sensing via conductors arranged in a predetermined direction is adjusted
so that,
【０００４】
  特許文献２では、特許文献１と同様の構造において、所定方向に配列される複数の第１（第２）のセンス用ビア導体の数を調整することにより、

without adjusting a via diameter of each of the first (second) sensing via conductors,
第１（第２）のセンス用ビア導体それぞれのビア径を調整せずとも、

the plurality of first (second) sensing via conductors is arranged in parallel connection, thereby artificially increasing the width W of a resistive film of a resistor to artificially adjust the width of the resistive film.
複数の第１（第２）のセンス用ビア導体を並列接続することで疑似的に抵抗器の抵抗膜の幅Ｗを大きくして、疑似的に抵抗膜の幅を調整する技術が開示されている。

電流検出

EP2342552
[00121] It should be understood that

the readout at the chemFET may be current or voltage (and change thereof) and that any particular reference to either readout is intended for simplicity and not to the exclusion of the other readout.
【０１２１】
  ｃｈｅｍＦＥＴにおける読出し情報は、電流または電圧（およびその変化）であってよいこと、また、いずれの読出し情報に対する任意の特定の参照は、簡潔であることを目的とし、他の読出し情報の排除を意図するものではないこと

が理解されるべきである。

Therefore any reference in the following text to either current or voltage detection at the chemFET
したがって、ｃｈｅｍＦＥＴにおける電流検出または電圧検出に対する以下のテキストでの任意の参照は、

should be understood to contemplate and apply equally to the other readout as well. In important embodiments, the readout reflects a rapid, transient change in concentration of an analyte. 
他の読出し情報を想定し、他の読出し情報にも同様に適用されることが理解されるべきである。

US10052441
[0082] The heater is preferably a thermistor whose（＊学校文法的にはof which）resistance and resulting current change with temperature,
【００６３】
  加熱器は、好ましくは、抵抗および得られた電流が温度とともに変化するサーミスタであり、

and so a constant voltage drive can have some thermally induced variability during operation. 
したがって、一定の電圧駆動は、動作中に何らかの熱的に誘導される変動性を有し得る。

An alternate heater drive scheme using constant current with a feedback mechanism such as voltage feedback on a current sense resistor could be used for more precise control. 
より正確な制御のために、電流検出抵抗器上の電圧フィードバックなどのフィードバック機構とともに一定の電流を使用する代替加熱器駆動方式が使用され得る。

US9322798
An array of nanogap transducers is optionally
ナノギャップトランスデューサのアレイには、任意選択で、

equipped with

circuitry for individually addressing the electrodes, driving the electrodes at selected voltages, 
電極を個々に処理する、選択した電圧にて電極を駆動するための回路部品、

memory for storing voltage current information to be supplied to the electrodes,
電極に供給されることになる電圧電流情報を記憶するためのメモリ、

memory and microprocessors for measuring electrode characteristics,
電極特徴を測定するためのメモリ及びマイクロプロセッサ、

differential amplifiers, current-sensing circuits (including variants of circuits used in CMOS image sensors),
差動増幅器、（ＣＭＯＳイメージセンサにおいて使用される回路の変形を含む）電流検出回路、

and/or field effect transistors (direct and floating gate).
並びに／又は、電界効果トランジスタ（ダイレクト及びフローティングゲート）

が備え付けられる。

Alternatively, one or more of these functions can be performed by external instruments and/or attached computer system(s).
或いは、これらの機能のうち１つ又は複数を、外部の器具及び／又は付属の１つ又は複数のコンピュータシステムによって行うことができる。

US7737526
[0005] Although conventional CMOS wafer fabrication offers high density transistor integration, it does not facilitate complete electrical isolation of its fabricated devices.
【０００３】
  従来のＣＭＯＳウェハ製造により高密度のトランジスタの集積が提供されるが、製造されたデバイスにおける完全な電気的分離は容易に行われない。

In particular, the NMOS transistor contained in conventional CMOS fabricated in a P-type substrate has its P-well “body” or “back-gate” shorted to the substrate and therefore cannot float above the substrate potential.
特に、Ｐ型基板に製造された従来のＣＭＯＳに含まれるＮＭＯＳトランジスタは、基板に短絡されたＰウェル「ボディ（body）」または「バックゲート（back-gate）」を有し、そのため基板ポテンシャルの上方へ浮遊できない。

This restriction is substantial, preventing the use of an NMOS transistor as a high-side switch, an analog pass transistor, or as a bidirectional switch.
この制限は重大であり、ＮＭＯＳトランジスタのハイサイドスイッチ、アナログパストランジスタ、または双方向スイッチとしての使用の妨げとなる。

It also makes current sensing more difficult and often precludes the use of integral source-body shorts needed to make NMOS devices more avalanche rugged.
このことはまた、電流検出をより困難にし、ＮＭＯＳデバイスをより電子なだれ耐性（avalanche rugged）にするために必要とされる集積ソース－ボディ短絡（integral source-body shorts）の使用を妨げることが多い。

US7696764
1. A system comprising:

a current sense apparatus（＊電流検出装置）having a sense element comprising a winding coupled in series with a power line between a power supply and a load and having a compensation element comprising a winding proximate to the sense element to track the effect of temperature changes of the sense element, the current sense apparatus having an output to provide a temperature compensated signal in response to a temperature of the sense element and a current through the power line; and

a power management system coupled to the output and configured to control power delivered to the load.

 

US7449877
FIG. 5 illustrates a block diagram of a system 500 having an embodiment of a current sense apparatus（＊電流検出装置）502 coupled to a conductor 505. Conductor 505 may be any current-carrying element of system 500. In various embodiments, the current sense apparatus 502 may be configured in manner as shown in FIGS. 1-4. In addition to current sense apparatus 502, system 500 may include a power supply 525 and a control unit 515. Control unit 515 may manage operation of switches 507, 527, and 520. Switches 507, 527, and 520 may each be realized as a semiconductor switch, a relay, other electronic and/or electro-mechanical switch, or a device to selectively direct current to current-measurement element 510. A semiconductor switch may include using a transistor arrangement in which one or more transistors may be turned on or off to momentarily provide a current path to current-measurement element 510. A semiconductor switch may include a MOSFET or other FET type device.

 

US20220183377
FIG. 13 shows further components for a particular example of the control arrangement for the circuit 600. The components shown in FIG. 13 define current sense apparatus（＊電流検出装置）1300 for providing a signal I_SENSE indicative of an amount of current drawn from the DC voltage supply 118 during operation of the circuit 600. From this signal, the controller 1001 may determine a current drawn from the voltage supply 118, and may use this along with a value of the voltage supplied by the DC voltage supply 118 to determine a value for a power supplied to the circuit 600. In some examples, as will be described below, a determined value of power may be used by the controller 1001 for controlling the circuit 600.

外部に露出

US20160379940
FIG. 5C schematically discloses reconstituted wafer 260 after having been removed from carrier 201, and turned upside down. In the case of the carrier 201 being a thermo-releasable tape, reconstituted wafer 260 may have been removed from carrier 201 by a heating procedure. Like in the previous embodiment, reconstituted wafer 260 consists of the molded material covering semiconductor chips 2 whose first main faces 104 and connection elements 102 are exposed to the outside.

US4573873
Consider now the pitch control elements of the present invention starting with cyclic pitch control tube 100 and collective pitch control tube 102. Cyclic pitch control tube 100 is disposed within stationary mast 52 and is concentric with longitudinal axis 50. Disposed outside of cyclic pitch control tube 100 is collective pitch control tube 102 which is disposed within drive shaft 66 and stationary mast 52. Thus, beginning from longitudinal axis 50, cyclic pitch control tube 100, collective pitch control tube 102, drive shaft 66, and stationary mast 52 form a nested series of concentric tubes each substantially centered and aligned with longitudinal axis 50 in the order recited. Thus, the only shaft or tube exposed to the outside is stationary mast 52. What results is a highly compact control and drive system totally contained within a single aerodynamic, stationary housing. Thus, the amount of air drag which arises from rotational motion of the control elements can be minimized and controlled. Damage vulnerability is also decreased.

US10236683
FIG. 1 is a combined block diagram and circuit schematic of an electronic system in which a controller 12 is provided to detect liquid intrusion through an external connector 3 (e.g., a receptacle connector as depicted in FIG. 6a ), and also to take a preventative action that mitigates corrosion in the connector 3. In this example, the system is a consumer electronics portable device 1, such as a smartphone, a mobile or cellular phone, a tablet computer, a laptop computer, or a wearable such as a wristwatch or a headset, whose housing has the external connector 3 built-in but exposed to the outside (and hence liquid intrusion). 

US20140248472
FIG. 7 shows both a top surface 102 and a bottom surface 103 of the sapphire part 100 having a compressive layer 160 created through ion implantation. In some embodiments, the top surface 102 and/or a portion of the top surface may be implanted with different ions and/or a different concentration of ions than the bottom surface 103. It should be appreciated that in other embodiments, one of the surfaces may not be implanted with ions. This may be the case when one of the surfaces is not to be exposed externally from a device housing, thus limiting its exposure to defect inducing impacts and other operational effects.

US2015116958
In some embodiments, at least a portion of the internal stiffener 300 may be exposed externally through the surface of the feature and/or region of overmold material 105. Accordingly, the internal stiffener 300 need not be totally encompassed within the feature 305 (e.g., hook) and/or overmold. Likewise, certain connecting structures may be only partially encapsulated in order to secure the connecting structure, and thus the modularized PCB, to a support. The location and configuration of any such connecting structure may vary between embodiments.