US8551088
where R is the ohmic resistance, ρ the specific resistance, A the area, and d the thickness of the fused tissue,
【0116】
ここで、Rはオーム抵抗、ρは比抵抗、Aは面積、dは融合された組織の厚みであり、
US10256603
In the present context, one preferably seeks a spreader having a resistivity of at least 104 Ω·m (and more preferably at least 106 Ω·m).
本状況において、好ましくは、少なくとも104Ω・m(より好ましくは少なくとも106Ω・m)の比抵抗を有するスプレッダが求められる。
In all cases, the minimal electrical resistivity and the minimal thermal conductivity of the spreader need be substantially larger than those of the base cladding material (e.g., SiO2 or Al2 O3 ).
すべての場合に、スプレッダの最小電気抵抗率および最小熱伝導率は、基礎クラッド材料(例えばSiO2またはAl2O3)のものよりかなり大きい必要がある。
US2016216223
[0038] For the conducting particles, a conducting particle-forming powder of a metal material that is stable and has a low specific resistance and low mutual contact resistance is preferably used.
【0035】
[38]導電性粒子については、安定であるとともに低比抵抗および低相互接触抵抗を有する金属材料の導電性粒子成形粉末が、好ましくは使用される。
US2007166996
[0029] It has also been proposed, as shown in FIG. 3, to conformally deposit a ruthenium layer 26 as part of the formation of the semiconductor structure 10'' in place of the copper seed layer.
【0017】
図3に示されるように、銅シード層の代わりに半導体構造物10″の形成の一部としてルテニウム層26を共形堆積することも提案された
Ruthenium, however, has higher resistivity than copper.
しかし、ルテニウムの比抵抗は、銅より高い。
That is, the present PVD-deposited copper seed has a resistivity around 2.2 [mu][Omega]-cm. whereas CVD-deposited ruthenium seed has a resistivity of around 30 [mu][Omega]-cm.
すなわち、現在のPVD堆積銅シードの比抵抗は約2.2μΩ・cmであるが、一方CVD堆積ルテニウム・シードの比抵抗は約30μΩ・cmである。