US11218808(TECTONIC FLUDIO LABS INC [US])
[0003] Balanced mode radiators are
【０００３】
平衡化モードラジエータ（ＢＭＲ：ｂａｌａｎｃｅｄ ｍｏｄｅ ｒａｄｉａｔｏｒ）は、
acoustic loudspeaker transducers that are designed and capable of providing wide directivity, full-range sound across multiple frequency spectrums including bass, treble and mid-range acoustic frequencies and at times ultrasonic frequencies in a single diaphragm audio device.
単一振動板オーディオ装置において、低音域、高音域及び中音域の音響周波数並びに時には超音波周波数を含む複数の周波数スペクトルにわたる広い指向性の全音域サウンドを提供することが可能であるように設計された音響スピーカトランスデューサである。
These devices are commonly referred to as BMRs and are often created using flat disks as the diaphragm elements for radiating acoustic energy from vibrations generated by the electromechanical portion of the transducer.
これらの装置は一般にＢＭＲと称され、トランスデューサの電気機械的部分によって生成される振動から音響エネルギーを放射するための振動板要素として平坦な円板を用いて作成されることが多い。
These BMR transducers are
これらのＢＭＲトランスデューサは、
comprised of multiple inter-operating components that generally include one or more magnets, a pole piece, a steel spacer (in some though not all embodiments), a back plate, a front plate, a coil-former, a voice coil wound onto a portion of the coil-former, a roll surround suspension element and an optional secondary suspension element
一般に１つ又は複数の磁石、磁極片、スチールスペーサ（全てではないがいくつかの実施例で）、バックプレート、フロントプレート、コイル巻型、コイル巻型の一部の上に巻回されたボイスコイル、ロールサラウンドサスペンション要素及び任意選択的な二次サスペンション要素を含む複数の相互作用する構成要素からなり、
which is made with corrugated textile, one or more flexible armatures, or an additional roll surround.
二次サスペンション要素は、波形テキスタイル、１つ又は複数の可撓性アーマチュア、又は追加的なロールサラウンドで形成される。
////////
[0006] The mechanical admittance functions of all the bending modes that occur within the target bandwidth of the device are determined, typically through finite element analysis.
【０００６】
装置の目標帯域幅内に生じる全ての曲げモードの機械アドミタンス関数は通常、有限要素解析を通じて決定される。
These in-band mechanical admittance functions of bending modes are combined in a weighted sum
曲げモードのこれらの帯域内の機械アドミタンス関数を重み付き和として組み合わせることにより、
to determine positions of minimum modal mechanical admittance for the highest utilized bending mode
最高の利用曲げモードに対する最小モード機械アドミタンスの位置が決定され、
and this modal mechanical admittance function is generally dominated by the highest bending mode considered in the sum.
このモード機械アドミタンス関数は一般に、和で考慮される最高の曲げモードによって支配される。
These positions of minimum modal mechanical admittance
最小モード機械アドミタンスのこれらの位置は、
define prescriptive locations where the voice coil former and corresponding inertial balancing mechanical impedance elements can be mounted to a diaphragm.
ボイスコイル巻型及び対応する慣性平衡化機械インピーダンス要素が振動板に装着され得る規定の位置を定める。
Mechanical impedance elements are components comprising mechanical properties of mass, stiffness, and damping.
機械インピーダンス要素は、質量、スチフネス、及び制動の機械的特性を含む構成要素である。
Inertial balancing is the process where these mechanical impedance elements are attached to the diaphragm at prescribed locations to compensate for the necessary addition of the force input components, comprising the voice coil assembly.
慣性平衡化は、これらの機械インピーダンス要素が規定の位置で振動板に取り付けられることで、ボイスコイル・アセンブリを含む力入力構成要素の必要な追加を補償するプロセスである。
In an inertially balanced device, such as a BMR, the radiation from all of the bending mode vibrations sums in such a manner so as to produce zero, or approaching zero, net on-axis acoustic radiation.
ＢＭＲなどの慣性平衡化装置では、曲げモード振動の全てからの放射は、０又はおよそ０の正味の軸上音響放射を生成するように足し合わされる。
US11531070(TEXAS INSTRUMENTS INC [US])
[0052] As discussed previously herein, in at least some examples one or more capacitors is（＊動詞は普通複数形だと思ったが）
【００５２】
本明細書で既に説明したように、少なくとも幾つかの例において、一つ又は複数のキャパシタが、
coupled between the output point of the voltage divider and an impedance element providing the termination resistance,
分圧器の出力ポイントと終端抵抗を提供するインピーダンス要素との間に結合され、
potentially modifying the bottom resistance from exactly reflecting the termination resistance.
終端抵抗を正確に反映したものから底部抵抗を潜在的に改変する。
US11508554(APPLIED MATERIALS INC [US])
[0020] In some embodiments, the ESC substrate support 111 A includes a heater element 113 , such as a resistive heating element embedded in the dielectric material of the ESC substrate support 111 A.
【００１６】
幾つかの実施形態において、ＥＳＣ基板支持体１１１Ａは、ＥＳＣ基板支持体１１１Ａの誘電材料に埋め込まれた抵抗加熱要素といったヒータ要素１１３を含む。
The heater element 113 is used to generate heat within the ESC substrate support 111 A due to resistive heating created by the delivery of AC power through one or more conductive elements 114 ,
ヒータ要素１１３は、ＡＣ電力供給部１６５を利用した、１つ以上の導電素子１１４を介したＡＣ電力の伝達により生ぜしめられた抵抗性加熱により、ＥＳＣ基板支持体１１１Ａ内で熱を生成するために利用され、
which are embedded within the material used to form the ESC substrate support 111 A, by use of an AC power supply 165 .
上記１つ以上の導電素子１１４は、ＥＳＣ基板支持体１１１Ａを形成するために利用された材料内に埋め込まれている。
/////////
[0026] FIG. 3 is a schematic diagram of a filter assembly 160 ( FIG. 1) that is coupled between a conductive element 114 and a power supply 165 that is disposed within a plasma processing chamber, according to one embodiment.
【００２２】
図３は、一実施形態に係る、プラズマ処理チャンバ内に配置された、導電素子１１４と電力供給部１６５との間に配置されたフィルタアセンブリ１６０（図１）の概略図である。
FIG. 4 is a schematic diagram of the filter assembly 160 that is coupled between the conductive element 114 and the power supply 165 that is disposed within a plasma processing chamber 100 , according to one embodiment.
図４は、一実施形態に係る、プラズマ処理チャンバ１００内に配置された、導電素子１１４と電力供給部１６５との間に配置されたフィルタアセンブリ１６０の概略図である。
As discussed above, the filter assembly 160 is positioned
先に述べたように、フィルタアセンブリ１６０が配置されており、
and configured to prevent the RF leakage current passing from the biasing electrode 112 to the conductive element 114 from reaching the power supply 165 .
バイアス電極１１２から導電素子１１４へと通るＲＦ漏れ電流が、電力供給部１６５に到達するのを防止するよう構成されている。
The filter assembly 160 includes a plurality of impedance producing elements Zi that are connected together between an input end 201 and an output end 202 , via the conductive leads 211 and 212 .
フィルタアセンブリ１６０は、入力端２０１と出力端２０２との間にリード線２１１及び２１２を介して一緒に接続された複数のインピーダンス生成要素Ｚｉを含んでいる。
The filter assembly 160 also includes a grounded impedance element 305
フィルタアセンブリ１６０はまた、接地されたインピーダンス要素３０５を含み、
that is connected to a conductive lead 211 or 212 at a point positioned between the last two of the connected impedance producing elements, such as impedance producing elements Z4 and Z5 in FIG. 3, and ground.
この接地されたインピーダンス要素３０５は、接続されたインピーダンス生成要素のうちの直近の２つの間、例えば、図３のインピーダンス生成要素Ｚ４とＺ５との間に配置されたポイントで、リード線２１１又は２１２に接続され、かつ接地に接続されている。
US2018076376(MIDYA PALLAB [US])
[0079] FIG. 3 is a cross-section view of an exemplary metamaterial structure illustrating a 3D confinement of plasmonic energy and resulting concentration of e-field 302 at a region where antenna element 202 is positioned.
【００３６】
図３は、アンテナアンテナ素子２０２が配置される領域でのプラズモニックエネルギーの３Ｄ閉込めと、得られる電場３０２の集中とを示す例示的メタマテリアル構造の断面図である。
The concentration of energy is a function of the geometry of the metamaterial features and relative positioning of antenna element 202 and upper reflector 402 (described below).
エネルギーの集中は、メタマテリアル特徴の幾何形状と、アンテナ素子２０２および上側反射器４０２（以下で説明）の相対的配置との関数である。
Upper reflector 402 has a gap above the rectenna in this embodiment but other embodiments may use a contiguous layer or near contiguous reflector layer.
上側反射器４０２は、この実施形態ではレクテナの上にギャップを有するが、他の実施形態は、連続する層またはほぼ連続する反射器層を使用し得る。
Rectenna element 206 may also be positioned at differing positions between reflector layer 402 and the metamaterial
レクテナ要素２０６はまた、反射器層４０２とメタマテリアルとの間の異なる位置に配置され得る。
EP2758992(SHOCKING TECHNOLOGIES INC [US])
[00240] In one embodiment, the circuit element 1592 is embedded in a substrate, such as a PCB, a flexible circuit, or the packaging of a semiconductor device.
【０２２１】
１つの実施形態では、回路素子１５９２は、ＰＣＢ、フレキシブル回路、または半導体デバイスのパッケージング等の基板に埋め込まれている。
With reference to FIG. 15A, for example, the element 1592 may be embedded in a layer of a PCB in which the VSDM formation 1500 may be integrated (e.g., the circuit element 1592 may be incorporated in a core layer, in a pre-preg layer, ina laminated layer, or in any other layer of the PCB).
図１５Ａを参照すると、例えば要素１５９２は、ＶＳＤＭ構成１５００が組み込まれ得るＰＣＢの層に埋め込まれてもよい（例えば、回路素子１５９２は、コア層内、プリプレグ層内、ラミネート層内、またはＰＣＢの任意の他の層内に包含されてもよい）。
In one embodiment, the element 1592 may be an electronic component or circuit element that is attached to a PCB in which the VSDM formation 1500 may be integrated.
１つの実施形態では、要素１５９２は、ＶＳＤＭ構成１５００が中に組み込まれ得るＰＣＢに取り付けられる電子部品または回路素子であり得る。
In one embodiment, the element 1592 may be a circuit element that is incorporated in a semiconductor chip that is protected by a packaging substrate in which a VSDM formation may be integrated.
１つの実施形態では、要素１５９２は、ＶＳＤＭ構成が中に組み込まれ得るパッケージング基板により保護される半導体チップ内に包含される回路素子であり得る。
US9928948(NORTHROP GRUMMAN SYSTEMS CORP [US)
[0024] The filter network 12 also includes a SQUID 18 with a variable inductance coupler (e.g., Josephson junction).
【００１１】
フィルタ回路網１２はまた、可変インダクタンス結合器（例えば、ジョセフソン接合）を備えたＳＱＵＩＤ１８を含む。
The SQUID 18 also includes one or more components that operate both as components of a superconducting loop of the SQUID 18 , and impedance components of the one or more input and/or the one or more output resonators.
ＳＱＵＩＤ１８はまた、ＳＱＵＩＤ１８の超伝導ループの要素と、１つまたは複数の入力共振器および／または１つまたは複数の出力共振器のインピーダンス要素との両方として動作する１つまたは複数の要素を含む。
A bias element 16 is inductively coupled to the SQUID 18 to induce current in the SQUID 18 .
バイアス素子１６がＳＱＵＩＤ１８に誘導結合されて、ＳＱＵＩＤ１８に電流を誘導する。
A change in the current induced in the SQUID 18 can result in a change in inductance of the variable inductance coupler.
ＳＱＵＩＤ１８に誘導される電流の変化によって、可変インダクタンス結合器のインダクタンスが変化する。
