粒子が破砕

EP1991507
"In certain aspects, it is possible to use batch materials that possess single crystal quartz grains or refractory particles having a size greater than 210 [mu]m. In one aspect, described herein is a method for producing a glass composition, comprising heating a mixture of glass precursor components for a sufficient time and temperature to melt the components to produce the glass composition, wherein one of the glass precursor components comprises single crystal quartz grains or refractory particles having a particle size greater than about 210 [mu]m, wherein the glass precursor component is not sand, wherein upon heating the single crystal quartz grains or refractory particles the single crystal quartz grains or refractory particles are reduced to a particle size of less than about 210 [mu]m. For example, it is contemplated that limestone possesses single crystal quartz grains or refractory particles having a size greater than 210 [mu]m, wherein the grains or particles have water entrapped within the grain or particle. Upon heating, the grains or particles fracture (e.g., explode) due to the entrapped water to produce smaller particles (i.e., less than 210 [mu]m). It is contemplated that glass precursor with the large grains or particles can be preheated prior to admixing with the other glass precursor components or, in the alternative, it can be admixed with the other glass precursor components to produce an admixture then subsequently heated."

 特定の態様では、約２１０μｍを超える粒径の、石英の単結晶粒または難溶性の粒子を有するバッチ材料を使用することができる。１つの態様では、本明細書は、ガラス前駆体成分の混合物を、ガラス組成物を製造するために、それらの成分を溶融させるのに十分な時間と温度で加熱する工程を有してなる、ガラス組成物の製造方法について記載する。ここで、ガラス前駆体成分の１つは、約２１０μｍを超える粒径を有する、石英の単結晶粒または難溶性の粒子を含み、ここで、ガラス前駆体成分は砂ではなく、石英の単結晶粒または難溶性の粒子を加熱する際に、該石英の単結晶粒または難溶性の粒子の粒径が約２１０μｍ未満に縮小される。例えば、石灰石が、２１０μｍを超える大きさの、石英の単結晶粒または難溶性の粒子を有することが意図されており、ここで、粒または粒子は、該粒または粒子内に、封入された水を有している。加熱の際に、封入された水に起因して、粒または粒子が破砕され（例えば、破裂）、より小さな粒子（すなわち、２１０μｍ未満）を生成する。より大きい粒または粒子を伴うガラス前駆体を、他のガラス前駆体成分と混合する前に予熱してもよく、別の方法では、他のガラス前駆体成分と混合して混合物を生成した後に、加熱することもできる。

US2019256767
"[0134] A further advantage of the coating of the invention lies in its formability, such that it frequently does not itself fracture on fracturing of the brittle proppant grains and thus encases or retains the resultant fines like a plastic shell and hence overall reduces the release thereof."

本発明のコーティングのさらなる優位性は、その形成性にある。すなわち、脆いプロパント粒子が破砕してもコーティング自体は破砕しないことが多く、その結果、生じた微粒子を、プラスチックの外殻のように包み込むかまたは保持し、それにより全体的に微粒子の放出を減少させる。

GB2498882
"[0064] This data is also plotted in FIG. 2, which shows the diamond volume fraction versus the measured average sintered grain size. As shown in FIG. 2, the relationship between diamond volume fraction and average grain size followed the same trend for the three different sintering pressures. Curve fits were applied to the data, and the resulting equations are shown on the chart for each sintering pressure. FIG. 2 shows that the diamond volume fraction depends on the average grain size of the PCD sample. The diamond volume fraction increases with average grain size (as shown by the upward slope). For a given sintering pressure, increasing the average grain size leads to an increase in diamond volume fraction. This result is likely due to fracturing of the coarser diamond grains, as discussed above."

このデータを、ダイヤモンドの体積分率と焼結後の平均粒子サイズを示す図２にもプロットする。図２に示すように、ダイヤモンドの体積分率と平均粒子サイズとの関係は、３通りの焼結圧力で同じ傾向に沿っていた。このデータにカーブフィットを適用し、得られた式を、各焼結圧力についての図に示す。図２は、ダイヤモンドの体積分率が、ＰＣＤ試料の平均粒子サイズに左右されることを示す。ダイヤモンドの体積分率は、（上向きの勾配で示されるように）平均粒子サイズとともに増加する。特定の焼結圧力について、平均粒子サイズを大きくすると、ダイヤモンドの体積分率の増加につながる。この結果は、上述したように、粗めのダイヤモンド粒子が破砕されることによるものと思われる。

温度、以上、以下

"a temperature of at least 1200C but not more than 3000C"(WO2007117663) １２０℃以上３００℃以下の温度

WO2018039620
"2. The method of claim 1, wherein the second temperature is equal to or greater than a glass transition temperature of an amorphous polymer phase."

【請求項２】
  第2の温度は、非晶質ポリマー相のガラス転移温度以上である、請求項1に記載の方法。

"[0061] In one example, applying pressure may include compressing the flowable resin composition in the mold to any suitable pressure, such as about 1 MPa to about 5,000 MPa, about 20 MPa to about 80 MPa, or such as about 0.1 MPa or less, or less than, equal to, or greater than 0.5 MPa, 1, 2, 3, 4, 5, 10, 15, 20, 25, 30, 35, 40, 45, 50, 55, 60, 65, 70, 75, 80, 90, 100, 125, 150, 175, 200, 250, 300, 400, 500, 750, 1,000, 1,500, 2,000, 2,000, 3,000, 4,000, or about 5,000 MPa or more. The method can include holding the mold cavity in the compressed state (with the flowable resin composition and the cold sinterable ceramic powder) for a predetermined time period, such as about 0.1 s to about 10 h, about 1 s to about 5 h, or about 5 s to about 1 rnin, or about 0.1 s or less, or about 0.5 s, 1, 2, 3, 4, 5, 10, 20, 30, 45 s, 1 rnin, 2, 3, 4, 5, 10, 15, 20, 30, 45 min, 1 h, 2, 3, 4, or about 5 h or more（＊or longerでも良いのか？）."

一例では、圧力をかける工程は、成形金型中の流動性樹脂組成物を、適切な任意の圧力に、例えば約1MPa～約5,000MPa、約20MPa～約80MPa、又は例えば約0.1MPa以下、又は0.5MPa、1、2、3、4、5、10、15、20、25、30、35、40、45、50、55、60、65、70、75、80、90、100、125、150、175、200、250、300、400、500、750、1,000、1,500、2,000、2,000、3,000、4,000、よりも小さいか、それに等しいか、若しくはそれより大きい、又は約5,000MPa以上に圧縮する工程を含んでよい。方法は、所定の期間、例えば、約0.1秒～約10時間、約1秒から約5時間、又は約5秒から約1分、又は約0.1秒以下、又は約0.5秒、1、2、3、4、5、10、20、30、45秒、1分、2、3、4、5、10、15、20、30、45分、1時間、2、3、4、又は約5時間以上、(流動性樹脂組成物及び冷間易焼結性セラミック粉末と共に)成形金
型キャビティを圧縮状態に保つ工程を含んでよい。

"[0085] In selected examples, any cold sinterable ceramic powder as described in the present disclosure may be annealed after cold sintering. In selected examples, an annealing process may include holding a cold sintered ceramic composite as described in the present disclosure at a temperature at or above a glass transition temperature (T_g) of the polymer component for a given amount of time after cold sintering. In selected examples, an annealing process may include holding a cold sintered ceramic composite as described in the present disclosure at a temperature at or above a melting temperature (T_m) of the polymer component for a given amount of time after cold sintering. A glass transition temperature may apply generally to an amorphous polymer or amorphous component of a polymer. A melting temperature may apply generally to a crystalline or semicrystalline polymer or a crystalline or semicrystalline component of a polymer."

選択された例では、本開示に記載の任意の冷間易焼結性セラミック粉末は、冷間焼結後にアニーリング（アニール、焼きなまし）を施されてよい。選択された例では、アニーリングプロセスは、本開示に記載の冷間焼結セラミック複合体を、冷間焼結後の所与の時間の間ポリマー成分のガラス転移温度(T_g)以上の温度に保つ工程を含んでよい。選択された例では、アニーリングプロセスは、本開示に記載の冷間焼結セラミック複合体を、冷間焼結後の所与の時間の間ポリマー成分の溶融温度(T_m)以上の温度に保つ工程を含んでよい。ガラス転移温度は、一般に、非晶質ポリマー又はポリマーの非晶質成分に適用されうる。溶融温度は、一般に、結晶性若しくは半結晶性ポリマー又はポリマーの結晶性若しくは半結晶性成分に適用されうる。

WO2017132216
"1. A process of forming a sintered article, comprising:
supporting a piece of inorganic material with a pressurized gas; and sintering the piece of inorganic material while supported by the pressurized gas by heating the piece of inorganic material to a temperature at or above a sintering temperature of the inorganic material such that the inorganic material is at least partially sintered forming the sintered article, wherein at least a portion of the inorganic material being sintered is not in contact with a solid support during sintering."

【請求項１】

  焼結品を形成するプロセスにおいて、
  一枚の無機材料を加圧ガスで支持する工程と、
  前記一枚の無機材料が前記加圧ガスによって支持されている間に、前記無機材料が少なくとも部分的に焼結されて前記焼結品を形成するように、前記一枚の無機材料を該無機材料の焼結温度以上の温度まで加熱することによって、前記一枚の無機材料を焼結する工程であって、焼結されている前記無機材料の少なくとも一部分が、焼結中に固体の支持体と接触しない、工程と
を含むことを特徴とするプロセス。

WO2017040384
"1. A method of making acrylic acid, acrylic acid derivatives, or mixtures thereof comprising contacting the following compositions under conditions including a water partial pressure and a temperature:
a) hydroxypropionic acid, hydroxypropionic acid derivatives, or mixtures thereof;
b) water vapor; and
c) a dehydration catalyst consisting essentially of one or more amorphous phosphate salts; wherein said one or more amorphous phosphate salts consist essentially of:
i) one or more monovalent cations, and
ii) one or more phosphate anions selected from the group represented by empirical formula (I):

 

wherein x is any real number equal to or greater than 0 and equal to or less than 1 ; wherein said one or more amorphous phosphate salts in said dehydration catalyst are neutrally charged; wherein the water partial pressure during said contacting step is equal to or greater than the water partial pressure at the triple point of said one or more amorphous phosphate salts; wherein said contacting step is performed at a temperature equal to or greater than the temperature at the triple point of said one or more amorphous phosphate salts; and whereby said acrylic acid, acrylic acid derivatives, or mixtures thereof is produced as a result of said water vapor and said hydroxypropionic acid, hydroxypropionic acid derivatives, or mixtures thereof being contacted with said dehydration catalyst."

【請求項１】

  アクリル酸、アクリル酸誘導体、又はこれらの混合物を製造する方法であって、水分圧及び温度を含む条件下で、以下の組成物、
  ａ）ヒドロキシプロピオン酸、ヒドロキシプロピオン酸誘導体、又はこれらの混合物、
  ｂ）水蒸気、及び
  ｃ）１つ又は２つ以上の非晶質リン酸塩から本質的になる脱水触媒、を接触させることを含み、
前記１つ又は２つ以上の非晶質リン酸塩は、
    ｉ）１つ又は２つ以上の一価カチオン、及び
    ｉｉ）実験式（Ｉ）：
  ［Ｈ_{２（１－ｘ）}ＰＯ_{（４－ｘ）}］^－  （Ｉ）；
  で表され、式中、ｘは、０以上かつ１以下の任意の実数である、群から選択される、１つ又は２つ以上のリン酸アニオン、から本質的になり、前記脱水触媒中の前記１つ又は２つ以上の非晶質リン酸塩は、電荷的に中性であり、前記接触工程中の水分圧は、前記１つ又は２つ以上の非晶質リン酸塩の三重点における水分圧以上であり、前記接触工程は、前記１つ又は２つ以上の非晶質リン酸塩の三重点における温度以上の温度で実施され、
  それによって、前記アクリル酸、アクリル酸誘導体、又はこれらの混合物は、前記水蒸気及び前記ヒドロキシプロピオン酸、ヒドロキシプロピオン酸誘導体、又はこれらの混合物が前記脱水触媒と接触した結果として生成される、方法。

脱脂

WO2017181054
"[0004] Additive manufacturing techniques may be employed to fabricate green parts suitable for debinding and sintering into metallic final objects. While various approaches have been used to fabricate net shapes within a powder bed, there remains a need for improved techniques to fabricate net shapes layer by layer within a bed of sinterable powdered material."

付加製造技術を用いて、金属製の最終部品への脱脂および焼結に適したグリーンパーツを製造することができる。粉末床内にネットシェイプを製造するために様々な手法が使用されてきたが、焼結可能な粉末材料の床内に、層ごとにネットシェイプを製造するための技術を改良する必要性が残っている。

"[0005] A powder bed is filled layer by layer with a powdered build material containing an activatable binder. The binder in each new layer is locally activated according to a computerized three-dimensional model of an object to fabricate, layer by layer, a sinterable net shape of the object within the powder bed. The sinterable net shape can then be removed, debound as appropriate, and sintered into a final part."

粉末床は、活性化可能な結合剤を含む粉末造形材料で層ごとに充填されている。新しい各層の結合剤は、コンピュータ化された物体の三次元モデルに従って局所的に活性化されて、層ごとに粉末床内に焼結可能なネットシェイプの物体を製造する。続いて、焼結可能なネットシェイプを除去して、適切に脱脂し、最終部品へと焼結することができる。

"[0034] The post-processing station 106 may be any system or combination of systems useful for converting a green part formed into a desired net shape from a metal injection molding build material by the printer 102 into a final object. The post-processing station 106 may, for example, include a debinding station such as a chemical debinding station for dissolving binder materials in a solvent or the like, or more generally any debinding station configured to remove at least a portion of the binder system from the build material of the object 103. The post-processing station 106 may also or instead include a thermal sintering station for applying a thermal sintering cycle at a sintering temperature for the build material, or the powdered material in the build material, such as a sintering furnace configured to sinter the powdered material into a densified object. The components of the post-processing station 106 may be used in sequence to produce a final object. As another example, some contemporary injection molding materials are engineered for thermal debinding, which makes it possible to perform a combination of debinding and sintering steps with a single oven or similar device. In general, the thermal specifications of a sintering furnace will depend upon the powdered material, the binder system, the volume loading of the powdered material into the binder system, and other aspects of the green obj ect and the materials used to manufacture same. Commercially available sintering furnaces for thermally debound and sintered metal inj ection molding (MIM) parts will typically operate with an accuracy of +/- 5 degrees Celsius or better, and at temperatures of at least 600 degrees Celsius, or from about 200 degrees Celsius to about 1900 degrees Celsius for extended times. Any such furnace or similar heating device may be usefully employed as the post-processing station 106 as contemplated herein. Vacuum or pressure treatment may also or instead be used. In an aspect, after the object 103 is placed in the oven, beads of an identical or similar composition, with the addition of an unsinterable exterior coating, may be packed into the oven with the object to provide general mechanical support with a thermally matched shrinkage rate that will not form a bond to the object during sintering."

 後処理ステーション１０６は、プリンタ１０２によって、金属射出成形材料から所望のネットシェイプに形成されたグリーン体を最終目的物に変換するのに有用な任意のシステムまたはシステムの組み合わせであってもよい。後処理ステーション１０６は、例えば、溶媒等に結合剤材料を溶解させるための化学的脱脂ステーションのような脱脂ステーション、またはより一般的には、物体１０３の造形材料から結合剤システムの少なくとも一部を除去するように構成された任意の脱脂ステーションを含むことができる。また、後処理ステーション１０６は、造形材料または造形材料中の粉末材料に焼結温度で熱焼結サイクルを適用するための熱焼結ステーション、例えば粉末材料を焼結して高密度化された物体にするように構成された焼結炉を、代替的または付加的に含むことができる。後処理ステーション１０６の構成要素は、最終的な物体を生成するために順番に使用されてもよい。別の例として、一部の現代の射出成形材料は、熱脱脂用に設計されており、単一のオーブンまたは類似の装置で脱脂および焼結ステップの組み合わせを実施することができる。一般に、焼結炉の熱的仕様は、粉末材料、結合剤システム、粉末材料の結合剤システムへの体積負荷、およびグリーン体およびグリーン体を製造するために使用される材料の他の態様に依存する。熱的に脱脂され、焼結された金属射出成形（ＭＩＭ）部品用の市販の焼結炉は、通常、＋／－５℃またはそれ以上の精度で、少なくとも６００℃の温度で、または約２００℃～約１９００℃で、長時間にわたり作動する。そのような任意の炉または同様の加熱装置は、本明細書で意図されるような後処理ステーション１０６として有効に使用され得る。真空または圧力処理も、付加的または代替的に使用することができる。一態様では、物体１０３がオーブン内に配置された後、難焼結性の外部コーティングを有する同一または類似の組成のビーズを物体と共にオーブンに入れて、焼結中に物体への結合を形成しない熱的に一致した収縮速度を有する一般的な機械的支持を提供することができる。

粒子を造粒

WO2015157204
"2. The process according to Claim 1 , wherein the step of collecting the energy modified particles involves pelletizing the energy modified particles or placing the energy modified particles in an environment that preserves the surface treatment."

  前記エネルギー改変粒子を収集するステップは、前記エネルギー改変粒子を造粒すること、または前記エネルギー改変粒子を前記表面処理が保存される環境に置くことを伴う、請求項１に記載のプロセス。

EP2757859(JP)
"9. A method of manufacturing an electrically heating type catalyst device, comprising:
a step of producing a particle of a matrix comprising an Ni-Cr alloy (with a Cr content of 20 to 60 wt.%) or an MCrAlY alloy (M is at least one material selected from Fe, Co and Ni);
a step of producing a particle of a disperse phase comprising an oxide mineral having a laminated structure;
a step of forming a composite of the particle of the matrix and the particle of disperse phase and thereby producing a particle for thermal spraying; and
a step of thermal-spraying the particle for thermal spraying on a catalyst support and thereby forming a pair of electrodes, the catalyst support comprising a ceramics, on which a catalyst is supported, wherein
a ratio of area occupied by the disperse phase in a cross section of the electrode is 40 to 80%."

【請求項９】
  Ｎｉ－Ｃｒ合金（但し、Ｃｒ含有量は２０～６０質量％）又はＭＣｒＡｌＹ合金（但し、ＭはＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉのうち少なくとも一種）からなるマトリクスの粒子を造粒するステップと、
  層状構造を有する酸化物鉱物からなる分散相の粒子を造粒するステップと、
  前記マトリクスの粒子と前記分散相の粒子とを複合化し、溶射用粒子を造粒するステップと、
  触媒が担持されたセラミックスからなる担体上に、前記溶射用粒子を溶射し、一対の電極を形成するステップと、を備え、
  前記電極の断面における前記分散相の占める面積率を４０～８０％とする通電加熱式触媒装置の製造方法。

湿式混合する

WO2016138024
"1. A method for dispersing carbon nanostructures in a polymer comprising:
wet-mixing in a liquid medium a blend comprising said carbon nanostructures and a particulate solid;
drying said blend to form a preblend of the carbon nanostructures and the particulate suitable for adding to a polymer in a conventional compounding process."

 

  ポリマー中に炭素ナノ構造体を分散させる方法であって：
  前記炭素ナノ構造体及び微粒子固体を含むブレンドを液体媒体中で湿式混合すること；
  前記ブレンドを乾燥させて、通常の配合プロセスにおいてポリマーに添加するのに適した炭素ナノ構造体と微粒子とのプレブレンドを形成すること
  を含む方法。

から選択される1種以上

WO2015023001(JP)
"10. The silicone composition according to claim 8 or 9, the thermally conductive filler (B) being at least one or more types of powders and/or fibers selected from a group consisting of pure metals（＊複数）, alloys, metal oxides, metal hydroxides, metal nitrides, metal carbides, metal silicides, carbon, soft magnetic alloys, and ferrite."

前記（Ｂ）熱伝導性充填材が、純金属、合金、金属酸化物、金属水酸化物、金属窒化物、金属炭化物、金属ケイ化物、炭素、軟磁性合金及びフェライトからなる群から選ばれた、少なくとも１種以上の粉末及び／又はファイバーである、請求項８又は９に記載のシリコーン組成物。

WO2006032982
"6. A method according to any one of claims 1 to 5, wherein the converted oxide precursor material is selected from micron, sub- micron or nano-grain sized oxides, nitrides（＊複数）, carbides, oxynitrides, oxycarbides and carbonitrides of the oxide precursor materials, or elemental precursor materials, or combinations thereof."

変換されたマトリックス前駆体材料は、マトリックス前駆体材料のミクロン、サブミクロン又はナノ粒子サイズの酸化物、窒化物、炭化物、酸窒化物、酸炭化物及び炭窒化物、又は元素形態のマトリックス前駆体材料、又はそれらの組み合わせから選択される請求項１～５のいずれかに記載の方法。

WO2012054384
"10. The bimetallic tube of any one of the preceding claims, wherein the inner tube layer further comprises 0.01 wt.% to 5.0 wt.% of at least one inclusion chosen from an oxide, a carbide, a nitride（＊単数）, a carbonitride, and combinations thereof."

【請求項１０】
  前記内管層が、酸化物、炭化物、窒化物、炭窒化物、及びそれらの組み合わせから選択される少なくとも１種の内包物を０．０１重量％～５．０重量％更に含む、請求項１～９のいずれかに記載のバイメタル管。

金属元素単体

US10276393(JP)
"Also, in the present description, the term “metal film” means a film made of a conductive substance containing a metal atom (containing a metal element) (also referred to simply as a conductive film) and includes an elemental metal film made mainly of a metal atom (a film made of a metal element as a simple substance, that is, a film consisting mainly of a metal element), a conductive metal nitride film, a conductive metal oxide film, a conductive metal oxynitride film, a conductive metal oxycarbide film, a conductive metal composite film, a conductive metal alloy film, a conductive metal silicide film, a conductive metal carbide film, a conductive metal carbonitride film, and the like."

また、本明細書において「金属膜（メタル膜）」という用語は、金属原子を含む（金属元素を含む）導電性の物質で構成される膜（単に導体膜とも称する）を意味し、これには、主に金属原子のみで構成される金属単体膜（金属元素単体で構成される膜、すなわち、金属元素を主成分とする膜）、導電性の金属窒化膜（メタルナイトライド膜）、導電性の金属酸化膜（メタルオキサイド膜）、導電性の金属酸窒化膜（メタルオキシナイトライド膜）、導電性の金属酸炭化膜（メタルオキシカーバイド膜）、導電性の金属複合膜、導電性の金属合金膜、導電性の金属シリサイド膜（メタルシリサイド膜）、導電性の金属炭化膜（メタルカーバイド膜）、導電性の金属炭窒化膜（メタルカーボナイトライド膜）等が含まれる。

US2017216993(JP)
"[0028] Whether a metal solubility enhancer has a function of dissolving at least one metal element of accessory components existing at a content of more than 0.5% by mass with respect to the total mass of the titanium alloy material at a higher degree of solubility than that of titanium, can be checked by performing etching of simple titanium and simple metal elements of the accessory components, and determining the ratio of the respective etching rates thus measured. When the ratio of etching rates calculated by dividing the etching rate of at least one metal element of the accessory components by the etching rate of simple titanium is larger than 1, this indicates that the metal solubility enhancer has a function of dissolving at least metal element of the accessory components, which exists at a content of more than 0.5% by mass with respect to the total mass of the titanium alloy material, at a higher degree of solubility than that of titanium."

 金属溶解性向上剤が、チタン合金材料の全質量に対して０．５質量％より多い含有量で存在する副成分の金属元素の少なくとも１種を、チタンよりも高い溶解度で溶解させる機能を有することは、チタン単体、および副成分の金属元素単体のエッチングを行い、測定したそれぞれのエッチングレートの比より確認することができる。副成分の金属元素の少なくとも１種のエッチングレートをチタン単体のエッチングレートで除して算出したエッチングレート比が１より大きいときは、チタン合金材料の全質量に対して０．５質量％より多い含有量で存在する副成分の金属元素の少なくとも１種を、チタンよりも高い溶解度で溶解させる機能を有することを表す。

US2017090532(JP)
"[0054] As the metal material, a metal material constituted of just a metal element is favorable. As examples of a simple metal element in the metal material, an device of Group 1 of the periodic table, such as lithium, sodium, potassium, rubidium, and cesium; an device of Group 2 of the periodic table, such as magnesium, calcium, strontium, barium, etc.; an device of Group 3 of the periodic table, such as scandium, yttrium, a lanthanide device (lanthanum, cerium, etc.), an actinide device (actinium, etc.), etc.; an device of Group 4 of the periodic table, such as titanium, zirconium, hafnium, etc.; an device of Group 5 of the periodic table, such as vanadium, niobium, tantalum, etc.; an device of Group 6 of the periodic table, such as chromium, molybdenum, tungsten, etc.; an device of Group 7 of the periodic table, such as manganese, technetium, rhenium, etc.; an device of Group 8 of the periodic table, such as iron, ruthenium, osmium, etc.; an device of Group 9 of the periodic table, such as cobalt, rhodium, iridium, etc.; an device of Group 10 of the periodic table, such as nickel, palladium, platinum, etc.; an device of Group 11 of the periodic table, such as copper, silver, gold, etc.; an device of Group 12 of the periodic table, such as zinc, cadmium, mercury, etc.; an device of Group 13 of the periodic table, such as aluminum, gallium, indium, thallium, etc.; an device of Group 14 of the periodic table, such as tin, lead, etc.; an device of Group 15 of the periodic table, such as antimony, bismuth, etc., can be cited. On the other hand, as examples of an alloy, stainless steel, copper-nickel alloy, brass, nickel-chromium alloy, iron-nickel alloy, zinc-nickel alloy, gold-copper alloy, tin-lead alloy, silver-tin-lead alloy, zinc-nickel alloy, gold-copper alloy, tin-lead alloy, silver-tin-lead alloy, nickel-chromium-tin alloy, copper-manganese-nickel alloy, nickel-manganese-iron alloy, etc., can be cited."

 金属材料としては、金属元素のみからなる金属材料が好適である。金属元素単体よりなる金属材料における金属元素としては、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム等の周期表１族元素；マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム等の周期表２族元素；スカンジウム、イットリウム、ランタノイド元素（ランタン、セリウムなど）、アクチノイド元素（アクチニウムなど）等の周期表３族元素；チタン、ジルコニウム、ハフニウム等の周期表４族元素；バナジウム、ニオブ、タンタル等の周期表５族元素；クロム、モリブテン、タングステン等の周期表６族元素；マンガン、テクネチウム、レニウム等の周期表７族元素；鉄、ルテニウム、オスミウム等の周期表８族元素；コバルト、ロジウム、イリジウム等の周期表９族元素；ニッケル、パラジウム、白金等の周期表１０族元素；銅、銀、金等の周期表１１族元素；亜鉛、カドミウム、水銀等の周期表１２族元素；アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウム等の周期表１３族元素；スズ、鉛等の周期表１４族元素；アンチモン、ビスマス等の周期表１５族元素などが挙げられる。一方、合金としては、例えば、ステンレス、銅－ニッケル合金、真ちゅう、ニッケル－クロム合金、鉄－ニッケル合金、亜鉛－ニッケル合金、金－銅合金、スズ－鉛合金、銀－スズ－鉛合金、亜鉛－ニッケル合金、金－銅合金、スズ－鉛合金、銀－スズ－鉛合金、ニッケル－クロム－鉄合金、銅－マンガン－ニッケル合金、ニッケル－マンガン－鉄合金などが挙げられる。

族遷移金属

US9815926
"In one aspect, provided is an ethylene copolymer comprising 40 wt. % to 70 wt. % of units derived from ethylene and at least 30 wt. % of units derived from at least one α-olefin having 3 to 20 carbon atoms, wherein the copolymer has the following properties:

(a) a weight-average molecular weight (Mw), as measured by gel permeation chromatography (GPC), in the range of about 50,000 to about 200,000 g/mol;

(b) a melting point (Tm) in ° C., as measured by differential scanning calorimetry (DSC), that satisfies the relation:
Tm>3.4×E−180
where E is the weight % of units derived from ethylene in the copolymer;

(c) a ratio of Mw/Mn of about 1.8 to about 2.5;

(d) a content of Group 4 metals of no more than 5 ppm; and

(e) a ratio of wt ppm Group 4 metals/wt ppm Group 5 metals of at least 3."

 一態様では、40wt.%～70wt.%のエチレン由来の単位と、少なくとも30wt.%の、3～20個
の炭素原子を有する少なくとも1種のα-オレフィン由来の単位とを含むエチレンコポリマーであって、以下の特性：
(a)約50,000～約200,000g/モルの範囲の、ゲル浸透クロマトグラフィー(GPC)で測定した重量平均分子量(Mw)；
(b)下記関係を満たす、示差走査熱量分析(DSC)で測定した融点(Tm)(℃)：
      Tm＞3.4×E－180
（Eは、コポリマー中のエチレン由来の単位の重量%である）；
(c)約1.8～約2.5のMw／Mnの比；
(d)5ppm以下の第4族金属含量；及び
(e)少なくとも3の第4族金属(wt ppm)／第5族金属(wt ppm)の比
を有するエチレンコポリマーを提供する。

樹枝状組織

WO2010058188
"Fig. 4a shows a central region typical of the overall microstructure of the specimen. The microstructure comprises graphite flakes (black) , which appear to have a 'kish' form typical of hypereutectic cast irons, around which has formed a dendritic phase (dark grey) and an interdendritic phase (light grey) ."

図４ａは、サンプルの微細構造全体に特有な中心領域を示す。微細構造は、過共晶鋳鉄に特有な「キッシュ（ｋｉｓｈ）」形態を有するように見える片状黒鉛（黒）を含み、その過共晶鋳鉄の周囲に、形成された樹枝状相（濃い灰色）および樹枝状組織内相（薄い灰色）を有する。

WO9745218
"Certain metals and metal alloys exhibit dendritic crystal structures at ambient temperatures and are known as being capable of converting into a thixotropic state upon the application of heat and shearing.

During heating, the material is raised to and maintained at a temperature which is above its solidus temperature yet below its liquidus temperature. This results in the formation of semi-solid slurry. Shearing
Is applled and maintained so as to inhibit the development of dendritic shaped solid particles in the semi-solid material. As a result, the solid particles of the semi-solid slurry include what have generally been referred to as degenerate dendritic structures. Two patents, U.S. Patents Nos. 4,694,881 and 4,694,882, which are herein incorporated by reference, disclose methods of converting metallic matenals into their thixotropic semi-solid states.

U.S. Patent No. 4,694,881 specifically discloses a process where the material, in a solid form, is first fed into an extruder and then heated to a temperature above its liquidus temperature to completely liquefy the material. The material is then cooled to a temperature less than its liquidus temperature but greater than its solidus temperature. While being cooled to a temperature below its liquidus temperature, the material is subjected to a shearing action, the rate of which is sufficient to prevent complete development of the dendritic structures on the sotid particles of the semi-solid material."

或る種の金属および合金は大気温度にて樹枝状結晶組織を示し、また熱およびせん断作用（shearing）を加えることでチキソトロピー(thixotropic)状態に変換できることが知られている。

加熱時にこの材料は、固化温度（solidus temperature）よりは高いが液化温度（liquidus temperature）よりはまだ低い温度にまで昇温されて保持される。これにより半固体スラリーが形成される。せん断作用は半固体材料中に樹枝状固体粒子が展開するのを抑制する。この結果、半固体スラリーの固体粒子は減成樹枝状組織（degenerate dendritic structure）と一般に称される組織を含むことになる。参照することで本明細書に組み入れられる米国特許第４６９４８８１号および同第４６９４８８２号の２つの特許は、金属材料をそのチキソトロピー半固体状態に変換する方法を開示している。 

米国特許第４６９４８８１号は特に、固体形状の材料がまず押出機へ給送され、その後液化温度より高い温度まで加熱されてその材料を完全に液化させるような処理を開示している。この材料はその後、その材料の液化温度より低いが固化温度よりは高い温度にまで冷却される。液化温度より低い温度となるように冷却される間、その材料はせん断作用を受け、その速度（rate）は半固体材料の固体粒子における樹枝状組織の完全な展開を防止する速度とされる。

EP3335817
"[0004] As the molten metal or alloy cools a thermal gradient across the solid/liquid interface which is too low, or an incline of the interface compared to the horizontal which is too high, may lead to the formation of freckle grains. Freckle grains are formed due to interdendritic fluid flow, which may result in equiaxed phases surrounded by eutectic phases. Freckle grains are considered undesirable features and may have unacceptable weakness, particularly in the form of reduced fatigue strength."

溶融した状態の金属または合金が冷めるとき、固体／液体の界面を横切る温度勾配が低すぎ、あるいは界面の傾斜が水平と比べて大きすぎると、フレックル粒子の形成につながる可能性がある。フレックル粒子は、樹枝状組織間の流体の流れに起因して形成され、共晶相に囲まれた等軸相をもたらし得る。フレックル粒子は、望ましくない特徴と考えられ、特に疲労強度の低下の形で、許容できない脆弱性を有する可能性がある。

EP3293278
"[0013] Herewith it is disclosed a hypereutectic alloy composition that, upon solidification, goes through an AlNiAl3eutectic reaction, and involves the creation of a ternary eutectic comprised of the eutectic Si phase, the eutectic Al-NiAl3phase and the eutectic Al phase on slow cooling (as opposed to fast cooling of the die casting process), that resembles a "Chinese script" compacted, blocky morphology for the eutectic NiAl3phase, instead of an elongated needle-like morphology. This microstructural morphology is embedded in the eutectic that surrounds the primary silicon, outlining and partitioning the primary silicon particles, while providing a semi-continuous fracture path through the eutectics that imparts good machinability to a hypereutectic aluminum silicon alloy that normally is difficult to machine. Further, it is important that this alloy be substantially free of iron and manganese because if iron phases and manganese phases are in the microstructure, they clog interdendritic passageways and hinder feeding, decreasing machinability even when ten atmospheres of isostatic pressure is applied."

本発明は、凝固に際して、Ａｌ－ＮｉＡｌ_３共晶反応を経由し、（ダイカストプロセスの高速冷却とは対象的に）低速冷却で共晶Ｓｉ相、共晶Ａｌ－ＮｉＡｌ_３相、及び共晶Ａｌ相からなる三元共晶の生成を伴い、共晶ＮｉＡｌ_３相に関して、伸長された針状形態とは異なり、「漢字状（Ｃｈｉｎｅｓｅ  ｓｃｒｉｐｔ）」の圧縮ブロック状形態に類似する、過共晶合金組成を開示する。この微細構造形態は、初晶シリコン粒の輪郭を形成するとともに初晶シリコン粒を仕切りつつ初晶シリコンを取り囲む共晶内に埋め込まれ、一方、通常は機械加工が難しい過共晶アルミニウム－シリコン合金に優れた機械加工特性を付与する共晶を通じた半連続破壊経路を提供する。さらに、本発明の合金は、実質的に鉄及びマンガンを含まないことが重要であり、鉄相及びマンガン相が微細構造内にあると、それらが樹枝状組織内の通路を詰まらせフィード（給湯）を妨げ、１０気圧（１０１３ｋＰａ）の静水圧が印加されている場合でも機械加工特性が減少するためである。

WO2016018548
"It has been found that a forged support yoke can be used to minimize, or eliminate, these mechanical weaknesses. Specifically, forging can create a more homogenous microstructure (FIG. 4) and a support yoke having increased strength as compared to a similar die cast support yoke. More specifically, forging may break down the dendritic structure of the support yoke material. This may lead to more isotropic properties of the support yoke. Additionally, forging may introduce plastic deformation into the icrostructure. Such plastic deformation may provide higher precipitation nucleating sites leading to finer distribution of precipitates in the support yoke material. Moreover, precipitates of AlMgSi present in the microstructure of the forged support yoke may increase the mechanical properties, e.g., hardness and compressive strength, of the support yoke."

これらの機械的な弱点を最小化、または除去するのに、鍛造サポート・ヨークを使用できることが、判明している。具体的には、鍛造はより均質な微細構造（図４）、および、同様のダイキャスト・サポート・ヨークと比較して、より高い強度を持つサポート・ヨークを形成することができる。より具体的には、鍛造は、サポート・ヨーク材料の樹枝状組織を壊すことができる。これにより、サポート・ヨークの等方性がより高くなる可能性がある。さらに、鍛造により、微細構造が塑性変形するようになる可能性がある。そのような塑性変形は、サポート・ヨーク材料の中で析出物のより精細な分配に結びつく、より強く析出する核形成部位を与えることができる。さらに、鍛造サポート・ヨークの微細構造の中にあるＡｌＭｇＳｉの析出物は、サポート・ヨークの機械的性質（例えば硬度、圧縮強度）を増加させることができる。

拡大写真

WO2017023379
"[0064] FIGURE 24 shows a magnified view of the micrograph shown in Figure 23."

【図２４】図２３に示した顕微鏡写真の拡大写真を示す。

"[0052] FIGURE 12 shows SEM micrographs of some embodiments of single-layer or two-layer graphene on a substrate at various magnifications and using two different electrospinning recipes, as set forth in the figure. In both recipes, 7% nylon 6,6 was electrospun and graphene was transferred to the electrospun layer. Arrows in the figure demonstrate defects and/or areas where the graphene drapes."

【図１２】様々な拡大倍率で、図に記載したように２つの異なる静電紡糸処方を用いた基材上の単層または二層グラフェンのいくつかの実施形態のＳＥＭ顕微鏡写真を示す。両方の処方において、７％ナイロン６６を静電紡糸し、グラフェンを静電紡糸層に転移させた。図中の矢印は、欠陥および／またはグラフェンがドレープする領域を示す。

EP3248767
"FIG. 13 shows a low concentration of pre-preg resin on CALPRENE 540 adhesive, according to an example of the present disclosure. Spectra are shown for standard samples from dilutions of 1:200 (dotted lines, 2 spectra) and 1:500 (dashed line). After background correction, intensities for the adhesive (2800 cm<-1> to 3100 cm<-1> ) overlay to within expanded scale."

【図１３】本開示の実施例による、ＣＡＬＰＲＥＮＥ  ５４０接着剤上の低濃度のプリプレグ樹脂を示す。１：２００（点線、２つのスペクトル）及び１：５００（破線）の希釈液からの標準サンプルに関するスペクトルが示される。バックグラウンド補正後に、接着剤の強度（２８００ｃｍ^－１から３１００ｃｍ^－１）が５％以内に重なる。挿入図は、拡大倍率約５０倍の樹脂吸収の領域を示す。

EP3327481
"Z, the distance between the image plane IP and the sensor conjugated plane CP;
M , the magnification of the optical system 10."

Ｚは上記像面と上記センサ共役面との間の距離であり、
  Ｍは上記光学系の拡大倍率である。

US2013280923
"[0038] The aperture members 400 and 430 may magnify or reduce the image of the light passing through the aperture in any desired way. The aperture members may have magnification factor of 1:1, which is essentially no magnification, or may reduce the image in size by a factor of between about 1.1:1 and about 5:1, for example, about 2:1 or about 4:1. Reduction in size may be useful for some embodiments because the edges of the imaged energy field may be sharpened by the size reduction. Magnification by a factor between about 1:1.1 and about 1:5, for example about 1:2, may be useful in some embodiments to improve efficiency and throughput by increasing coverage area of the imaged energy field."

開孔部材４００および４３０は、開孔を通過する光の像を所望の方式で拡大または縮小することができる。開孔部材は、本質的に拡大されない１：１の拡大倍率を有することができ、または、像のサイズを、約１．１：１から約５：１の間の倍率、例えば約２：１または約４：１の倍率で縮小することができる。結像したエネルギーフィールドの縁がサイズの縮小によって鋭くなることがあるため、サイズの縮小は、いくつかの実施形態に対して有用であり得る。いくつかの実施形態では、結像したエネルギーフィールドがカバーする面積を増大させることによって効率およびスループットを向上させるのに、約１：１．１から約１：５の間の倍率、例えば約１：２の倍率の拡大が有用であり得る。

に課題

US2004117539
"[0005] The VMM regains control whenever a guest operation may affect the correct execution of the VMM or any of the non-executing VMs. Usually, the VMM examines such operations, determining if a problem exists before permitting the operation to proceed to the underlying physical machine or emulating the operation on the behalf of a guest. For example, the VMM may need to regain control when the guest accesses I/O devices, when it attempts to change machine configuration (e.g., by changing control register values), when it attempts to access certain regions of memory, and the like."

VMMは、ゲスト処理がVMMの正常な実行又は非実行VMMの何れかに影響を及ぼし得る際にはいつでも制御を取り戻す。通常、VMMはそのような処理を検査し、下にある物理マシンに処理が進むことを可能にするか、ゲストのために処理をエミュレートする前に課題が存在するかを判定する。例えば、ゲストが、Ｉ／Ｏ装置をアクセスするか、マシン構成を（例えば、制御レジスタ値を変更することによって）変更しようするか、又はメモリの特定の領域をアクセスしようとする場合などに、VMMは制御を取り戻す必要がある場合がある。

US2008104164
"[0001] Modern multimedia applications such as video processing, graphics processing and audio processing have considerably increased the performance requirements of consumer-based computing systems. These applications present particular challenges for mobile computing devices, which are subject to stringent power and space restraints."

動画処理、グラフィクス処理および音声処理といったマルチメディア・アプリケーションを実施するので、消費者用演算システムに求められる性能が近年非常に高くなっている。上記のマルチメディア・アプリケーションは、電力および空間について厳しい制限を持つ携帯用演算デバイスに関して、特に課題を抱えている。

WO2005064465
"[0027] In one embodiment, an interrupt is generated by definition block 309 using a message signaled interrupt (MSI), intraprocessor interrupt (IPI) or similar OS visible interrupt. In one embodiment, ACPI source language (ASL) code in definition block 309 may generate the OS visible interrupt. OS transparent interrupts such as system management interrupts (SMI) cause problems for an OS when used. Servicing an SMI may generate some delay while executing the interrupt service routine. This may cause errors upon return from the interrupt handler because the OS is unaware of the servicing of the SMI but detects discrepancies caused by the delay in executing the interrupt service routine such as gaps in time logs and similar problems."

一実施形態において、メッセージシグナル割り込み（ＭＳＩ）、プロセッサ間割り込み（ＩＰＩ）、又は類似のＯＳに可視的な割り込みを用いて、定義ブロック３０９によって１つの割り込みが生成される。一実施形態において、定義ブロック３０９におけるＡＣＰＩソース言語（ＡＳＬ）コードは、ＯＳに可視的な割り込みを生成してよい。システム管理割り込み（ＳＭＩ）のようなＯＳに透過的な割り込みは、使用された場合にＯＳに課題をもたらす。ＳＭＩをサービスすることは、割り込みサービスルーチンを実行している間にいくらかの遅延を生み得る。これは、割り込みハンドラから戻ったときにエラーをひき起こす場合がある。なぜならＯＳは、ＳＭＩのサービスを知らないが、タイムログのギャップ及び同様の問題のような、割り込みサービスルーチンの実行における遅延によってもたらされるずれを検出するからである。

WO2004030338
"Similarly, the hosts of Websites on which the ads are presented (referred to as "Website hosts" or "ad consumers") have the challenge of maximizing ad revenue without impairing their users' experience. Some Website hosts have chosen to place advertising revenues over the interests of users. One such Website is Overture.com", which hosts a so-called "search engine" service returning advertisements masquerading as "search results" in response to user queries. The Overture.com Website permits advertisers to pay to position an ad for their Website (or a target Website) higher up on the list of purported search results. If such schemes where the advertiser only pays if a user clicks on the ad (i.e., cost-per-click) are implemented, the advertiser lacks incentive to target their ads effectively, since a poorly targeted ad will not be clicked and therefore will not require payment. Consequently, high cost-per-click ads show up near or at the top, but do not necessarily translate into real revenue for the ad publisher because viewers don't click on them. Furthermore, ads that viewers would click on are further down the list, or not on the list at all, and so relevancy of ads is compromised."

同様に広告が提示されるウェブサイトのホスト（「ウェブサイトホスト」又は「広告消費者」と呼ばれる）にはユーザの経験を害することなく広告収入を最大限にするという課題がある。ユーザの関心より上に広告収入を位置付けることを選んだウェブサイトホストもいる。このようなウェブサイトが、ユーザの問い合わせに応えて「検索結果」を装う広告を返すいわゆる「サーチエンジン」サービスをホストしている「Ｏｖｅｒｔｕｒｅ．ｃｏｍ」である。Ｏｖｅｒｔｕｒｅ．ｃｏｍのウェブサイトは、広告主が検索結果と言われているもののリストのより上の方に自分のウェブサイト（つまり、ターゲットウェブサイト）の広告を位置させるために支払うことができるようにしている。ユーザが広告をクリックした場合にだけ広告主が支払いをする（つまりクリックあたりのコスト）このような方式が実現される場合、目標の設定の仕方がまずい広告はクリックされず、したがって支払いを必要としないため、広告主は広告の目標を効果的に設定する動機を失ってしまう。その結果、クリックあたりのコストが高い広告が一番上の近く又は一番上に表示されるが、視聴者はそれらをクリックしないため、必ずしも広告出版者にとっての本物の収入にはならない。さらに視聴者がクリックする広告はリストのさらに下の方にある、あるいは全くリストに記載されていないため、広告の妥当性は損なわれる。

WO20070109923
"[0004] When a TFTP server receives requests from clients, simple negotiations are conducted in which the TFTP server may select appropriate option values as responses. After the negotiation, TFTP sessions are created and the files are transferred according to the selected options of the sessions. However, TFTP option selection presents problems in the area of optimizing and propagation of these options in different network environments for performance enhancement. The effectiveness of the TFTP options is highly dependent on the specific network environments. Some affecting factors on performance include, but are not limited to: network topology, switches and their configurations, network drivers, and implementation of the TFTP clients."

 

ＴＦＴＰサーバがクライアントから要求を受信すると、簡易ネゴシエーションが行われ、このとき、ＴＦＴＰサーバは、適切なオプション値を、応答として選択しうる。ネゴシエーション後、ＴＦＴＰセッションが作成され、ファイルは、そのセッションの選択されたオプションに応じて転送される。しかし、ＴＦＴＰオプションの選択は、性能向上のために異なるネットワーク環境におけるこれらのオプションの最適化及び伝播の分野において課題がある。ＴＦＴＰオプションの有効性は、特定のネットワーク環境に非常に依存する。性能に影響を与える幾つかの要因としては、以下に限定されないが、ネットワークトポロジー、スイッチ及びその構成設定、ネットワークドライバ、及びＴＦＴＰクライアントのインプレメンテーションが挙げられる。

WO2006116659
"With proliferation of general-purpose computers, there has been an increase in demand for performing video conferencing through personal or business computers. Establishing such a conference, however, creates significant challenges in how to transfer data between participants. Prior solutions require large amount of data to be exchanged, which consumes a lot of computing resources as well as a lot of bandwidth."

汎用コンピュータの普及に伴い、パーソナルコンピュータ又はビジネスコンピュータを介してテレビ会議を行なうことに対する要求が大きくなってきた。しかし、そのような会議を確立するには、参加者間のデータ転送方法において大きな課題がある。従来の解決策では大量のデータの交換を必要とし、それにより多くの計算資源及び多くの帯域幅が消費される。

WO2006103469
"But, there is still a second problem with this modified formulation. As the illumination changes, the RGBs in an image are distorted in a non-rigid fashion and so our distance measure depends on the light. To see this, suppose I and ID denote the image RGBs under two lights where D is a 3 x 3 diagonal matrix effecting lighting change. Let ω and Dω denote the correct illuminant under the two lights (we assume these vectors are in our representative set of RGBs). Ideally, we would like the distance between I and ω and ID and Dω to be the same. This is not the case for the formalism so far. If this is not true it means that the error associated with the correct answer varies with illumination, even when the reflectances in a scene remain constant."

しかし、この修正式には第２の課題がある。照明が変化すると、画像のＲＧＢが非固定式に変形するため、距離の測定は光次第となる。すなわち、ＩとＩＤが２つの光の下での画像ＲＧＢを示し、Ｄは光の変化をもたらす３×３対角行列だと仮定する。ωとＤωが２つの光の下での正しいイルミナントを示すと仮定する（これらのベクトルが代表的ＲＧＢ群のものだと想定する）。Ｉとω間の距離とＩＤとＤω間の距離が等しいことが理想的である。しかし、公式において、これは当てはまらない。これが誤りだとすると、正しい答えに伴う誤差は、たとえ景色の反射率が一定でもイルミナントにより変化するということになる。

"To circumvent this problem, for every illuminant ω = [rg b\ let us define a normalised image L: R_L = [RΛ...Ri/r... R_N/r]^T , GL = [GJq...GJQY , B_L= [B,/b...B_N/b]^T . It is clear that in L the estimated white point is now α[1 1 1]^τ and the distance to the correct answer is independent of the light colour. This is the motivation for the final formalisation of the constrained Minkowski norm:"

この課題に取り組むために、全てのイルミナントω＝[ｒｇｂ]^Ｔについて、規準化画像Ｌを次のように定義する：Ｒ_Ｌ＝[Ｒ_１/ｒ…Ｒ_１/ｒ…Ｒ_Ｎ/ｒ]^Ｔ、Ｇ_Ｌ＝[Ｇ_１/ｇ…Ｇ_Ｎ/ｇ]^Ｔ、Ｂ_Ｌ＝[Ｂ_１/ｂ…Ｂ_Ｎ/ｂ]^Ｔ。Ｌにおける推定白色点がα[１１１]^Ｔであり、正解の距離は、光の色から独立していることが明らかである。これがモチベーションとなって、制約つきミンコフスキーノルムの最終式に到達することになる。

表面に凹凸

WO2014100656
"[0183] However, it is possible, as necessary, for the seal 2 to have a Fresnel shape, a concave lens shape, a convex lens or dome shape other than a hemi-spheroidal lens or dome, a shape having unevenness in its surface, a flat shape, or another desired shape. These shapes can be formed via a desired shape in the cavity of the compression molding device or roller or pressing surface of the laminator. A layer of the composition according to the present invention may also optionally be present between the lens shape or other shape of the seal 2 and the LED substrate."

但し、必要に応じて、封止体２は、フレネル形状、凹レンズ形状、半球状のレンズ又はドーム以外の凸レンズ形状、表面に凹凸を有する形状、平面形状等の任意の形状とすることができる。これらの形状は、圧縮成形装置のキャビティ又はラミネーターのロールあるいは押付面の任意の形状によって形成することができる。また、これら封止体２に示されるレンズ形状等とＬＥＤ基板の間に、本発明の組成物からなる層が存在してもよい。

EP3465793
"U.S. Pat. No. 8,541,778 (Seki et al.) describes a diffraction grating having a transparent supporting substrate; and a cured resin layer which is stacked on the transparent supporting substrate and which has concavities and convexities formed on a surface thereof, wherein when a Fourier-transformed image is obtained by performing two-dimensional fast Fourier transform processing on a concavity and convexity analysis image obtained by analyzing a shape of the concavities and convexities formed on the surface of the cured resin layer by use of an atomic force microscope, the Fourier-transformed image shows a circular or annular pattern."

米国特許第８５４１７７８号（Ｓｅｋｉら）は、透明支持基板、及び、透明支持基板上に積層され、表面に凹凸が形成された硬化樹脂層を備える回折格子であって、硬化樹脂層の表面に形成されている凹凸の形状を原子間力顕微鏡を用いて解析して得られる凹凸解析画像に２次元高速フーリエ変換処理を施してフーリエ変換像を得た場合において、フーリエ変換像が、円状又は円環状の模様を示す、回折格子を記述している。

WO2016179368
"[0073] Fig. 2A is a side view of an example handle body 200 and an alignment peg 202 of a cleaning apparatus 102, according to an example embodiment of the present disclosure. The handle body 200 includes a first end 204 and a second end 206. A pair of gripping arms 208 extends upward from the first end 204 of the handle body 200. The pair of gripping aims 208 may be textured or include additional gripping members (not pictured) to allow for improved grip and manipulation of the cleaning apparatus 102. A pair of cleaning arms 210 extends downward from the second end 206 of the handle body 200. The handle body 200, the pair of cleaning arms 210, and the pair of gripping arms 208 may be made of a flexible material (e.g., polyethylene). For example, the handle body 200, the pair of cleaning arms 210, and the pair of gripping arms 208 may be made of the same material, in a single mold, or multiple materials from several molds. The construction may include one or more materials including, polyethylene, silicon, thermoplastic, or the like, and may also be latex- free. Additionally, the pair of gripping arms 208 may be made of a different material than the pair of cleaning arms 210. For example, the pair of cleaning arms 210 may be mad e of metal, such as stainless steel, or the like. The pair of cleaning arras 210 is pivotally connected to the pair of gripping arms 208 by a pivot pin 212 enclosed within the handle body 200. Tn an example embodiment, the pair of cleaning amis 210 and the pair gripping arms 208 may be molded as one piece that meet at a pivot point. In an example embodiment, the pair of cleaning aims 210 and the pair of gripping arms 208 may be coupled in spring tension at a pivot point. For example, the pair of cleaning arms 210 may be made of a metal wire that is coiled to form a spring (not pictured) at a pivot point and that continues into the pair of gripping anus 208. The wire portion that continues into the pair of gripping arms 208 may be coated with a softer material to allow for easier and more comfortable handling by the clinician."

図２Ａは、本開示の例示的な実施形態による、クリーニング装置１０２の例示的な把持体２００及び位置合わせペグ２０２の側面図である。把持体２００は、第１の端部２０４及び第２の端部２０６を有する。一対のグリップアーム２０８が、把持体２００の第１の端部２０４から上向きに延出している。この一対のグリップアーム２０８は、クリーニング装置１０２の把持性及び操作性を向上させるために、その表面に凹凸が形成されるか、または追加的な把持部材（図示せず）を含み得る。また、一対のクリーニングアーム２１０が、把持体２００の第２の端部２０６から下向きに延出している。把持体２００、一対のクリーニングアーム２１０、及び一対のグリップアーム２０８は、フレキシブル材料（例えば、ポリエチレン）から作製され得る。例えば、把持体２００、一対のクリーニングアーム２１０、及び一対のグリップアーム２０８は、単一の金型を用いて互いに同一の材料から作製してもよいし、または複数の金型を用いて互いに異なる材料から作製してもよい。上記構造体は、例えば、ポリエチレン、シリコーン、熱可塑性プラスチックなどの１または複数の材料を含み得、また、ラテックスフリーであり得る。加えて、一対のグリップアーム２０８は、一対のクリーニングアーム２１０とは異なる材料から作製され得る。例えば、一対のクリーニングアーム２１０は、例えばステンレス鋼などの金属から作製され得る。一対のクリーニングアーム２１０は、把持体２００内に配置された枢軸ピン２１２によって、一対のグリップアーム２０８に枢動可能に連結されている。例示的な実施形態では、一対のクリーニングアーム２１０、及び一対のグリップアーム２０８は、枢支点で互いに連結された一体的な部品として成形され得る。例示的な実施形態では、一対のクリーニングアーム２１０、及び一対のグリップアーム２０８は、枢支点において、ばね張力が加えられた状態で互いに連結される。例えば、一対のクリーニングアーム２１０は、ばね（図示しない）を形成するべく枢支点にらせん状に巻かれ、かつ一対のグリップアーム２０８に連続する金属ワイヤから作製され得る。金属ワイヤにおける一対のグリップアーム２０８に連続する部分は、臨床医による把持をより容易かつより快適にするために柔らかい材料で被覆され得る。

酸炭窒化物

EP3540014
"[0045] Non-limiting examples of inorganic high index dielectric particles and inorganic low index particles include SiO2, TiO2, Al2O3, ZrO2, WO3, VO5, ITO, Ta2O5, CeO2, Y2O3, ZnS, ZnO, In2O3, La2O3, MgO, Nd2O3, Pr6O11, Fe2O3, Fe3O4, SiO, SnO2, FeOx, MgF2, AlF3, CeF3, LaF3, LiF, CaF2, TiC, TiN, cermets, diamond-like carbon, metal carbides, metal nitrides, metal borides, metal carbonitrides, metal oxycarbides, metal oxynitrides, metal oxycarbonitrides, boron carbides, and combinations of them."

無機高屈折率誘電体粒子及び無機低屈折率粒子の非限定的例としては、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２、ＷＯ_３、ＶＯ_５、ＩＴＯ、Ｔａ_２Ｏ_５、ＣｅＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３、ＺｎＳ、ＺｎＯ、Ｉｎ_２Ｏ_３、Ｌａ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、Ｎｄ_２Ｏ_３、Ｐｒ_６Ｏ_１１、Ｆｅ_２Ｏ_３、Ｆｅ_３Ｏ_４、ＳｉＯ、ＳｎＯ_２、ＦｅＯｘ、ＭｇＦ_２、ＡｌＦ_３、ＣｅＦ_３、ＬａＦ_３、ＬｉＦ、ＣａＦ_２、ＴｉＣ、ＴｉＮ、サーメット、ダイヤモンドライクカーボン、金属炭化物、金属窒化物、金属ホウ化物、金属炭窒化物、金属酸炭化物、金属酸窒化物、金属酸炭窒化物、炭化ホウ素、及びそれらの組み合わせが挙げられる。

積算値

US2020020925(JP)
"[0045] The average particle diameter (D50) of the zeolite in the present exemplary embodiment is preferably in the range of 0.5 to 3 μm and more preferably in the range of 0.5 to 2 μm. Here, the particle diameter (average particle diameter) means a particle diameter (median diameter: D50) at a cumulative value of 50% in a particle size distribution (in terms of volume) by a laser diffraction scattering method."

本実施形態におけるゼオライトの平均粒径（Ｄ_５０）は０．５～３μｍの範囲にあることが好ましく、０．５～２μｍの範囲にあることがより好ましい。なお、この粒径（平均粒径）は、レーザ回折散乱法による粒度分布（体積基準）における積算値５０％での粒径（メジアン径：Ｄ_５０）を意味する。

US2020035999(JP)
"[0055] The average particle size of the LSX particles means a particle size (volume average particle size) with which an accumulated volume value is 50% in a particle size distribution measured by the laser diffraction/scattering method. As the measurement apparatus, it is possible to use, for example, an “LA-750” manufactured by HORIBA, Ltd. (HORIBA)."

ＬＳＸ粒子の平均粒径とは、レーザー回折散乱法で測定される粒度分布において、体積積算値が５０％となる粒径（体積平均粒径）を意味する。測定装置には、例えば、株式会社堀場製作所（ＨＯＲＩＢＡ）製「ＬＡ－７５０」を用いることができる。

US2019367746(JP)
"[0053] The average particle diameter of the plate-like particles of inorganic compound as described above can be measured by a known method, but in the secondary particles of the plate-like particles of inorganic compound according to the present embodiment, the average particle diameter means a particle diameter at 50% integrated value in the particle size distribution determined by a laser diffraction or scattering method."

 なお、上記のような板状無機化合物微粒子の平均粒径は、公知の方法により測定することが可能であるが、本実施形態にかかる板状無機化合物微粒子の二次粒子においては、レーザ回折・散乱法によって求めた粒度分布における積算値５０％での粒径を意味する。

EP3591693(JP)
"[0067] A median particle size of the plate-shaped silver microparticles being the component (C1) may be 0.3 to 15 µm. With the median particle size of the plate-shaped silver microparticles being within this range, their dispersibility in the resin component can be improved. Further, the median particle size of the plate-shaped silver microparticles is within this range, thereby making it possible to reduce nozzle clogging and a strain of a chip during the assembly of a semiconductor chip. Here, the median particle size refers to a 50% integrated value (50% particle size) in a volume-based particle size distribution curve that is obtained through measurement with a laser diffraction particle size analyzer. That is, this median particle size is different from the above-described average particle size of short sides in that the median particle size is calculated in consideration also of their long sides."

この（Ｃ１）成分のプレート型銀微粒子は、中心粒子径が０．３～１５μｍであってもよい。プレート型銀微粒子の中心粒子径が、この範囲にあることで、樹脂成分への分散性を向上できる。さらに、プレート型銀微粒子の中心粒子径が、この範囲にあることで、ノズルの詰まり、半導体素子の組立て時のチップの歪などを制御できる。ここで、中心粒子径とは、レーザー回折式粒度分布測定装置で測定して得られた体積基準の粒度分布曲線における５０％積算値（５０％粒子径）を指す。すなわち、この中心粒子径は、上記短辺における平均粒子径とは、長辺も合わせて考慮して算出している点で異なるものである。

US2020024023(JP)
"[0044] The average particle diameter of the positive electrode active material means a volume average particle diameter measured by the laser diffraction method, which means a median diameter at which the cumulative volume is 50% in the particle diameter distribution. The average particle diameter of the positive electrode active material can be measured using, for example, a laser diffraction scattering particle diameter distribution analyzer (manufactured by HORIBA, Ltd.)."

正極活物質の平均粒径とは、レーザ回折法によって測定される体積平均粒径であって、粒子径分布において体積積算値が５０％となるメジアン径を意味する。正極活物質の平均粒径は、例えば、レーザ回折散乱式粒度分布測定装置（株式会社堀場製作所製）を用いて測定できる。

EP3078034
"[0015] The average particle diameter of the microparticles or the nanoparticles defined in the present specification and claims may be a primary particle diameter or a secondary particle diameter. In the case where the fine particles are agglomerated to form secondary particles in the production of the electrical insulation layer, the average particle diameter of the fine particles is preferably the secondary particle diameter. In the case where the fine particles are not agglomerated so as to be in the form of primary particles in the production of the electronically insulating layer, the average particle diameter of the fine particles is preferably the primary particle diameter.

本明細書および特許請求の範囲で規定する、マイクロ粒子およびナノ粒子等の微粒子の平均粒子径は、一次粒子径であってもよいし、二次粒子径であってもよい。前記微粒子の平均粒子径は、前記電気絶縁層を製造する際に当該微粒子が凝集した二次粒子を形成している場合には二次粒子径であることが好ましく、前記電気絶縁層を製造する際に当該微粒子が凝集していない一次粒子である場合には一次粒子径であることが好ましい。

[0016] The average particle diameter of the microparticles is preferably 0.5µm to 40µm, more preferably 0.7µm to 30µm, and still more preferably 0.8µm to 20µm.

前記マイクロ粒子の平均粒子径は、０．５μｍ～４０μｍが好ましく、０．７μｍ～３０μｍがより好ましく、０．８μｍ～２０μｍが更に好ましい。

[0017] When the average particle diameter is 0.5µm to 40µm, it is preferable that the mechanical strength of the electronically insulating layer becomes excellent, and also, the porosity can be increased so as to reliably improve the ion conductivity.

前記平均粒子径が０．５μｍ～４０μｍであると、電気絶縁層の機械的強度が優れるとともに、空孔率を高めて容易にイオン伝導度を向上できるため、好ましい。

[0018] In the present specification and claims, "average particle diameter (average particle size)" refers to the particle diameter (particle size) of a 50% volumetric integrated value in a particle distribution of the fine particles as determined by a laser diffraction scattering method."
  
本明細書及び特許請求の範囲において、「平均粒子径（平均粒径）」とは、レーザー回折・散乱法によって求めた前記微粒子の粒度分布において、体積積算値５０％での粒子径（粒径）を意味する。

結合相

EP3603857
"1. A diamond-coated cemented carbide cutting tool in which a WC-based cemented carbide body containing 3 to 15 mass% of Co is coated with a diamond film,
wherein, in a cross section of the diamond-coated cemented carbide cutting tool in a diamond film thickness direction,
(1) an average particle size of WC particles constituting the WC-based cemented carbide body is 0.5 to 0.9 µm,
(2) a maximum height difference (Rz) of concave and convex of an interface of the WC-based cemented carbide body contacting the diamond film is 0.5 to 1.0 µm, a maximum distance (Δ) between adjacent concave and convex of the WC-based cemented carbide body at the interface is 0.5 to 1.5 µm, and a length (Ye) of the diamond film in the thickness direction in a region where a binder phase of the WC-based cemented carbide body is removed is 0.5 to 2.0 µm,
(3) when a sum of areas occupied by individual WC particles contacting the diamond film at the interface is defined as 100 area%, a sum of areas of WC particles, which satisfies a maximum value (L1) of vertex-to-vertex distances of the WC particles at a body interface being 0.4 to 0.8 µm, a minimum value (L2) of a diameter of an inscribed-circle inscribed in the WC particle or distances between tangents of opposing faces being 0.2 to 0.4 µm, and (L1)/(L2) being 1.5 to 2.5, is 70 area% or more,
(4) an average grain size of diamond crystals in a region of 0.5 to 1.5 µm from the WC-based cemented carbide body interface toward the diamond film is 0.1 to 0.3 µm, and
(5) the diamond-coated cemented carbide cutting tool comprises columnar crystals, which contact the top of the diamond crystals and constitute the diamond film, the columnar crystals satisfy at least one of: a ratio of crystals, which has a growth direction shifted in 10 degrees or less from the diamond film thickness direction, being 90% or more; and an orientation ratio of <110> being 30 to 70%."

Ｃｏを３～１５質量％含むＷＣ基超硬合金基体にダイヤモンド皮膜を被覆形成したダイヤモンド被覆超硬合金切削工具であって、
  当該ダイヤモンド被覆超硬合金切削工具のダイヤモンド皮膜厚さ方向の切断面において、
（１）前記基体を構成するＷＣ粒子の平均粒径が０．５～０．９μｍであり、
（２）前記ダイヤモンド皮膜に接する前記基体の界面の凹凸の最大高低差（Ｒ_ｚ）が０．５～１．０μｍであり、該界面における隣り合う前記基体の凹凸間の最大距離（Δ）が０．５～１．５μｍであり、かつ基体の結合相が除去された領域のダイヤモンド皮膜の厚さ方向の長さ（Ｙ_ｅ）が０．５～２．０μｍであり、
（３）前記界面における前記ダイヤモンド皮膜に接する個々のＷＣ粒子の占める面積の和を１００面積％とするとき、基体界面のＷＣ粒子の頂点間距離の最大値（Ｌ_１）が０．４～０．８μｍであって、ＷＣ粒子に内接する内接円の直径あるいは対向面の接線間の距離の最小値（Ｌ_２）が０．２～０．４μｍ、（Ｌ_１）/（Ｌ_２）が１．５～２．５であるＷＣ粒子の面積和が７０面積％以上であり、  
（４）前記基体界面からダイヤモンド皮膜に向かって０．５～１．５μｍの領域におけるダイヤモンド結晶の平均粒径が０．１～０．３μｍであって、
（５）前記ダイヤモンド結晶の上に接して、その成長方向がダイヤモンド皮膜の厚さ方向に対し１０度以内の角度のずれである割合が９０％以上または＜１１０＞配向率が３０～７０％の少なくとも一方であるダイヤモンド皮膜を構成する柱状晶を有することを特徴とする、ダイヤモンド被覆超硬合金切削工具。

US2019160540
"[0002] Unlike traditional manufacturing that relies on subtractive techniques (e.g., cutting, drilling) to remove material from bulk shapes to arrive at a final shape, additive manufacturing builds shapes through precisely adding and consolidating layers of material according to a three-dimensional (3D) digital model. Depending on the underlying material used, various consolidation techniques are available to additively manufacture a desired structure, such as powder bed fusion, direct energy deposition (welding, electron-beam and laser processing), photo-polymerization, material jetting, binder jetting, and extrusion."

バルク形状から材料を取り除いて最終形状に至る減法型の技法（例えば切削や削孔）に依存する従来型の製造とは異なり、付加製造は、３次元（３Ｄ）のデジタルモデルに従って材料の層を精密に付加して固結することを通じて形状を構築する。下層に使用されている材料に応じて、粉末床溶融結合、直接エネルギー堆積（溶接、電子ビーム及びレーザ処理）、光重合、材料噴射、結合剤噴射、及び押出といった、所望の構造を付加的に製造するための様々な固結技法が利用可能である。

"[0026] During solidification, nucleation and growth transformation occurs within the metallic material. Nucleation involves clusters of atoms from the molten material bonding together and forming tiny seed crystals. The tiny seed crystals originate at locations in the material that are referred to herein as nucleation sites and continue to grow in the form of dendrites, which are tree-like structures made up of crystals. The formation of dendrites occurs because crystals grow into a thermal gradient termed a mushy zone consisting of both liquid and solid phases. In some instances, heterogeneous nucleation occurs during solidification with nucleation sites forming on impurity surfaces or particles, such as relative to the substrate or prior layer, insoluble detached impurities, or other structural materials that lower the critical free energy required for atoms to form stable nuclei crystals. The crystals of dendrites increase in size by adding more atoms until growth is limited by other dendrites growing in the molten material or the dendrites encounter the liquid at a temperature above the local melting point temperature."

固化の最中、金属材料内では、核生成及び成長による変態（ｔｒａｎｓｆｏｒｍａｔｉｏｎ）が生じる。核生成は、互いに結合して微小種結晶を形成している溶融材料からの原子クラスタを含む。微小種結晶は、本明細書で核生成部位と呼ばれる、材料内の箇所において発生し、結晶体からなる樹木のような構造である樹枝状結晶の形状で成長し続ける。樹枝状結晶の形成は、結晶体が、液相と固相の両方からなる、凝固遷移層（ｍｕｓｈｙ  ｚｏｎｅ）と呼ばれる温度勾配へと成長することによって生じる。ある例では、固化中に、例えば、基板もしくは先行する層に対してといったように、不純物面または不純物粒子上に、不溶性の分離不純物上に、または、原子が安定な結晶核を形成するのに必要な臨界自由エネルギーを低下させる他の構造材料上に、核生成部位が形成され、不均一核生成が生じる。樹枝状結晶の結晶体の大きさは、溶融材料内で成長している他の樹枝状結晶によって成長が制限されるか、または樹枝状結晶が局所的な融点を超える温度で液体に遭遇するまで、より多くの原子を加えることによって増大する。

US2018318922
"[1627] For some applications, especially when the accuracy required is not excessive, the inventor has seen that is very recommendable for geometries needing build-up to use a powder projection system. In this case the powder is projected in the areas where build up is desired, and generation of the body of the manufactured piece proceeds through the plastic deformation of the particulates due to the impact. The binding force at this stage strongly depends on the momentum at the impact so projection speed is quite determinant, as is deformability of the projected particulates, which can be increased by raising their temperature at the moment of the impact (pre-heating them before projection, projecting with warm/hot air, . . . another further solution consists on having a much smaller binding force of the particulates to the surface which is being generated, but then use a stronger binding source. An example of such case is the usage of small kinetic energy projection, or polarization of the powder and the sticking of it to the generated surface trough electrostatic binding, then curing the powder with a stronger binding in the interesting areas (chemical, UV, . . . ) and finally removing the powder which has not been strongly bond with compressed air, sudden manufactured piece polarity change, . . . For some applications requiring high density of the metallic green body, it is interesting to have quite some plastification during positioning of the powder before the secondary curing or binding takes place."

[0798] いくつかの利用において、特に求められる高精度さが過剰でない場合、発明者は、望まれた形状を築くために粉末噴射システムを用いることを強く勧めている。この場合、粉末を造形したい箇所に噴射する。そして衝撃による粒子の塑性変形を通じて、製造部品の本体の成形が行われる。この段階における結合力は、瞬間的な衝撃に強く左右されるため、に噴射スピードは、衝撃の瞬間に温度(噴射前に予熱を行う、熱風と共に噴射するなど、強い結合要素を要する表面への微粒子の小さな結合力の使用から成るその他の解決策など)を上昇させることができる噴射された粒子の変形性同様、かなり重要な要素である。こうした場合の一例として、運動エネルギー噴射の使用や、粉末の極性化および電気性結合による生成表面への固着、その後狙った域へのより強い結合を伴う粉末の硬化(化学物質、UVなど)、さらに圧縮空気による、強く結合されなかった粉末の除去、急に製造された部品の極性変化など。緻密な金属性グリーン体を要するいくつかの使用においては、二次硬化または二次接合を行う前の粉末の配置決めの間、かなりの可塑化を有することがよい。