US2022149190(DENSO CORP [JP])
A peripheral withstand structure such as a guard ring is formed in the semiconductor substrate 10 corresponding to the peripheral region 10 B.
周辺領域10Bに対応する半導体基板10内には、ガードリング等の周辺耐圧構造が形成されている。
Further, a plurality of small signal pads 28 are provided on the semiconductor substrate 10 corresponding to the peripheral region 10 B.
さらに、周辺領域10Bに対応する半導体基板10上には、複数の小信号パッド28が設けられている。
Examples of the type of the small signal pad 28 include a gate pad for inputting a gate signal, a temperature sense pad for outputting a temperature sense signal, and a current sense pad for outputting a current sense signal.
小信号パッド28の種類としては、例えばゲート信号を入力するためのゲートパッド、温度センス信号を出力するための温度センスパッド及び電流センス信号を出力するための電流センスパッドが挙げられる。
US11929400(FUJI ELECTRIC CO LTD [JP])
[0068] In the edge termination region 20 , a voltage withstanding structure such as a junction termination extension (JTE) structure is disposed (refer to FIG. 3 ).
【0055】
エッジ終端領域20には、接合終端拡張(JTE:Junction Termination Extension)構造などの耐圧構造が配置される(図3参照)。
The JTE structure is
JTE構造は、
a voltage withstanding structure in which,
from a center-side (side thereof nearest the center of the semiconductor substrate 30 ) thereof to end-sides (sides thereof nearest the ends of the semiconductor substrate 30 ) thereof,
内側(半導体基板30の中央側)から外側(半導体基板30の端部側)へ離れるにしたがって
plural p-type regions (in FIG. 3 , reference numerals 22 , 23 ) having differing impurity concentrations are disposed in descending order of impurity concentration, in a substantially rectangular concentric pattern surrounding a periphery of the active region 10 and centered around a center of the active region, in a plan view.
不純物濃度の低いp型領域が配置されるように、不純物濃度の異なる複数のp型領域(図3の符号22,23)を活性領域10の周囲を囲む略矩形状の平面形状で、活性領域10の中央を基準とした同心円状に配置した
耐圧構造である。