白点

US10367025(PANASONIC IP MAN CO LTD [JP])
[0107] In the MOS solid-state imaging device according to the first embodiment,
【００９９】
  第１の実施形態に係るＭＯＳ型の固体撮像装置によれば、

the isolation region, which is in contact with the n-type semiconductor region forming the accumulation diode region (the FD), is a p-type diffusion isolation region.
蓄積ダイオード部（ＦＤ部）を構成するｎ型半導体領域と接する素子分離領域が、ｐ型の拡散素子分離領域によって形成されている。

This reduces leakage currents from the FD, thereby reducing dark currents and white spots.
このため、ＦＤ部からのリーク電流が抑制されて、暗電流及び白点の発生を抑制することができる。