誘電体酸化物被膜

US9508492
Manganese dioxide is known and widely used as a solid electrolyte in electrolyte capacitors.
【０００１】
  二酸化マンガンは、既知であるとともに電解コンデンサ内の固体電解質として広く使用されている。

Such capacitors are conventionally formed by first anodizing a valve-metal anode (e.g., tantalum) to form a dielectric oxide coating, and thereafter immersing the oxide-coated anode in an aqueous solution of manganese nitrate.
従来、このようなコンデンサは、最初に（タンタルなどの）バルブ金属陽極を陽極酸化して誘電体酸化物被覆を形成し、その後、この酸化物被覆した陽極を硝酸マンガンの水溶液に浸漬することにより形成される。

After a sufficient period of time, the wet anode is heated to cause pyrolytic decomposition of the manganese nitrate to manganese dioxide.
十分に時間を置いた後、この濡れた陽極を加熱して、硝酸マンガンを二酸化マンガンに熱分解させる。

The capacitor element is also typically coated with graphite and silver layers, and then encapsulated with a resin.
常は、コンデンサ素子も黒鉛及び銀層で被覆され、その後樹脂を封入される。

Unfortunately, one problem with conventional manganese oxide capacitors is that the encapsulating resin (e.g., epoxy resin) is often unstable in extreme environments, i.e., high temperature (e.g., above about 175° C.) and/or high voltage (e.g., above about 35 volts).
通残念ながら、従来の酸化マンガンコンデンサの１つの問題点は、極限環境、すなわち（約１７５℃を超えるような）高温及び／又は（約３５ボルトを超えるような）高電圧環境において、多くの場合、（エポキシ樹脂などの）封入樹脂が不安定になる点である。

Attempts to remove the resin, however, can adversely impact electrical performance by allowing moisture to contact the capacitor element.
しかしながら、樹脂を除去しようと試みれば、コンデンサ素子に水分が接触できるようになることにより電気的性能に悪影響が及ぶ恐れがある。

WO2013112383
[0006] Thin films have a variety of important applications, such as nanotechnology and fabrication of semiconductor devices.
【０００６】
  薄膜はナノテクノロジーや半導体デバイスの製造等の多様で重要な用途を有する。

Examples of such applications include, conductive films, high-refractive index optical coatings, corrosion-protection coatings, photocatalytic self-cleaning glass coatings, biocompatible coatings, dielectric capacitor layers and gate dielectric insulating films in field-effect transistors (FET), capacitor electrodes, gate electrodes, adhesive diffusion barriers and integrated circuits.
そのような用途の例として、導電性膜、高屈折率の光学被膜、防食被膜、光分解自浄ガラス被膜、生体適合性被膜、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）における誘電体コンデンサ層及びゲート誘電体絶縁膜、コンデンサ電極、ゲート電極、接着性拡散バリア並びに集積回路が挙げられる。

Thin films are also used in microelectronics applications, such as the high-κ dielectric oxide for dynamic random access memory (DRAM) applications and the ferroelectric perovskites used in infra-red detectors and non-volatile ferroelectric random access memories (NV- FeRAMs).
薄膜は、またダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）用途のための高κ誘電体酸化物、並びに赤外線検出器及び非揮発性強誘電体ランダムアクセスメモリ（ＮＶ－ＦｅＲＡＭ）で使用される強誘電体ペロブスカイト等の超小型電子技術用途でも使用される。

The continual decrease in the size of microelectronics components has increased the need for the use of such thin films.
超小型電子部品の絶え間ない小型化によって、上記のような薄膜の使用に対する需要が増加してきている。