交互に積層

US10564423(MAGIC LEAP INC [US])
[1977] The stacked waveguide assembly 178 can include multiple waveguides ( 182 , 184 , 186 , 188 , 190 ) and multiple lenses ( 192 , 194 , 196 , 198 ).
[0604] 積層導波路組立体１７８は、複数の導波路（１８２、１８４、１８６、１８８、１９０）と複数のレンズ（１９２、１９４、１９６、１９８）を有していてもよい。

In some embodiments, the lenses ( 192 , 194 , 196 , 198 ) are negative lenses.
いくつかの実施形態では、レンズ（１９２、１９４、１９６、１９８）は負レンズである。

As shown in FIG. 26A, the waveguides and negative lenses can be arranged in an alternating stacked configuration.
図２６Ａに示すように、導波路と負レンズを交互に積層した構成に配置してもよい。

The stacked waveguide assembly 178 also includes a plurality of light sources ( 200 , 202 , 204 , 206 , 208 ). 
積層導波路組立体１７８は、複数の光源（２００、２０２、２０４、２０６、２０８）も含む。

US2023005717(LAM RES CORP [US])
 In various embodiments, one or more layers may be between the patterned mask 932 and the second SiN layer 928 .
種々の実施形態において、パターニングされたマスク９３２と第２のＳｉＮ層９２８との間に１つ以上の層が設けられてもよい。

Various embodiments may have additional alternating SiN layers and SiO2 layers.
種々の実施形態において、交互に積層されたＳｉＮ層およびＳｉＯ₂層をさらに有してもよい。

Other embodiments may have layers of other materials.
他の実施形態において、他の材料の層を有してもよい。

In various embodiments, the stack 904 has silicon containing layers.
種々の実施形態において、スタック９０４は、シリコン含有層を有する。

In this embodiment the patterned mask 932 is a hardmask, such as polysilicon.
この実施形態において、パターニングされたマスク９３２は、ポリシリコンなどのハードマスクである。

US10690528(SFC FLUIDICS INC [US])
[0005] The next example is U.S. Pat. No. 7,067,351.
【０００４】
  次の例は、特許文献２である。

This patent describes “A method of forming nanolaminate structures having alternating conductor layers and insulator layers”.
この特許では、「導体層と絶縁層とが交互に積層されたナノ積層構造の形成方法」について記載されている。

The scale and fabrication of this method are quite different than the present invention.
この方法の規模と製造は、本発明とは非常に異なる。

In addition, this filing does not specify the use of flow past the electrodes for electrochemical sensing, a key aspect of the present invention.
また、この出願では、本発明の重要な側面である電気化学検出用の電極を過ぎる流れの利用については詳細に述べられていない。

EP4048442(UNIV UTAH RES FOUND [US])
In another example, as illustrated in FIG. 3, an electronic device 300 can include a first electrode 304, a second electrode 306, and a channel 308,
【００５７】
  別の一実施例として、図３に示した電子デバイス３００は、第１電極３０４、第２電極３０６、及びチャネル画成部３０８を備え、

wherein each of the first electrode 304, the second electrode 306, and the channel 308 are adjacent to a substrate 302.
それら第１電極３０４、第２電極３０６、及びチャネル画成部３０８はいずれも基板３０２に隣接して形成されている。

The electronic device 300
電子デバイス３００は、

can include a first electrode 304 including alternating layers of coated aptamers 313 and 317 and coated electrically-conductive solids 311 and 315. 
コーティング成膜されたアプタマーの層３１３及び３１７とコーティング成膜された導電性固体物質の層３１１及び３１５とが交互に積層して成る交互層を備えた第１電極３０４を備えている。

US2015283397(CIRCUIT THERAPEUTICS INC [US])
[0079] Vertical-cavity surface-emitting lasers (or “VCSEL”s) have the optical cavity axis along the direction of current flow rather than perpendicular to the current flow as in conventional laser diodes.
【００６９】
  垂直共振器面発光レーザー（または「ＶＣＳＥＬ」）は、従来のレーザーダイオードのように、電流の流れに対して垂直ではなく、電流の流れの方向に沿って、光共振器軸を有する。

With such a configuration, the active region length is very short compared with the lateral dimensions so that the radiation emerges from the surface of the cavity rather than from its edge.
このような構成では、放射が、その端面からではなく、共振器の表面から射出されるように、活性領域長が、横方向の寸法と比較して極めて短い。

The reflectors at the ends of the cavity are dielectric mirrors made from alternating high and low refractive index quarter-wave thick multilayer.
共振器の末端における反射材は、高屈折率層と低屈折率層とが交互に積層する４分の１波長の厚い多層構造から作製された、誘電体による鏡である。

VCSELs allow for monolithic optical structures to be produced.
ＶＣＳＥＬは、モノリシックの光学構造の作製を可能とする。

US10573388(WESTERN DIGITAL TECH INC [US])
[0054] FIG. 3 is a perspective view of a portion of one example embodiment of a monolithic three dimensional memory array that can comprise memory structure 126 , which includes a plurality memory cells.
【００２７】
  図３は、複数のメモリセルを含むメモリ構造１２６を含み得るモノリシック三次元メモリアレイの一実施形態の一部の斜視図である。

For example, FIG. 3 shows a portion of one block of memory.
たとえば、図３は、メモリの１ブロックの一部を示す。

The structure depicted includes a set of bit lines BL positioned above a stack of alternating dielectric layers and conductive layers. 
図示されている構造は、誘電体層と導電層が交互に積層された積層体の上方に配置された１組のビット線ＢＬを含んでいる。

静電チャック、吸着

US2020194289(INTEVAC INC [US])
[0069] As noted, in some embodiments the carrier 150 has substrate holder 154 ′which comprises an electrostatic chuck 157 .
【００５０】
  前述の通り、いくつかの実施形態では、キャリア１５０は、静電チャック１５７を含む基板ホルダー１５４’を有している。

In such embodiments, the method
そのような実施形態では、本方法は、

proceeds to having the end effector place the wafer onto the wafer holder 304 in an orientation having the device side of the wafer facing the wafer holder 304 and the backside of the wafer facing away from the holder 304 .
ウェハのデバイス面がウェハホルダー３０４と対面し且つウェハの裏面がホルダー３０４から離れる方向を向く姿勢で該ウェハがウェハホルダー３０４上に置かれるようにエンドエフェクタを作動させて進行する。

Then, when the carrier enters the loadlock 305 , the electrostatic chuck is energized so as to chuck the wafer to the substrate holder 154 ′ by the wafer's backside.
次いで、キャリアがロードロック３０５に入ると静電チャックが通電され、ウェハがその裏側にて基板ホルダー１５４’に吸着される。

US10903097(AXCELIS TECH INC [US])
[0042] FIG. 3, for example, illustrates a backside 162 of the thermal chuck 130 (e.g., an ESC),
【００４２】
  図３は、例えば、サーマルチャック１３０（例：ＥＳＣ）の背面１６２を示す。

wherein a plurality of interfaces 164 A- 164 C (e.g., mechanical and/or electrical interfaces) are provided for the thermal chuck.
図３の例では、複数のインターフェース１６４Ａ～１６４Ｃ（例：機械的インターフェースおよび／または電気的インターフェース）が、当該サーマルチャックのために設けられている。

For example, a first interface 164 A is provided for high voltage electrostatic electrodes (not shown) configured to electrostatically attract the workpiece to the thermal chuck 130 . 
例えば、第１インターフェース１６４Ａは、高電圧静電電極（不図示）のために設けられている。当該高電圧静電電極は、ワークピースをサーマルチャック１３０に静電的に吸着する（attract）ように構成されている。

US11164743(QROMIS INC [US])
[0043] The presence of the conductive layer 114 is useful during electrostatic chucking of the engineered substrate 100 to semiconductor processing tools, for example tools with electrostatic discharge (ESD) chucks.
【００２４】
  [0044]導電層１１４の存在は、半導体処理ツール、たとえば、静電放電（ＥＳＤ）チャックを有するツールへの加工基板１００の静電チャック中に有用である。

The conductive layer 114 enables rapid dechucking after processing in the semiconductor processing tools.
導電層１１４は、半導体処理ツールでの処理後の迅速なチャック解除を可能にする。

Thus, embodiments of the present invention provide substrate structures that can be processed in manners utilized with conventional silicon wafers.
したがって、本発明の実施形態は、従来のシリコンウェハで利用される方式で処理され得る基板構造を提供する。

One of ordinary skill in the art would recognize many variations, modifications, and alternatives.
当業者なら、多くの変形形態、修正形態、および代替形態を認識されよう。

US10423228(UNIV NORTHWESTERN [US])
[0071] As one having ordinary skill in the art would recognize, the present disclosure may be implemented on a variety of electrostatic devices to lower the driving voltage and keep the same desired haptic effects.
【００５６】
当業者であれば認識するように、本開示は、種々の静電デバイス上で、駆動電圧を下げても、同じ所望のハプティック効果を維持するように実施することができる。

Examples of such devices are electrostatic chucks, electro-adhesion based devices (robots, material handling, etc.)
そのようなデバイスの例は静電チャック、電気吸着を利用するデバイス（ロボット、マテリアルハンドリング等）である。

In one embodiment, the touch surface is a rigid surface. In another embodiment, the touch surface is a flexible surface including a flat, curved, bent, morphing or other flexible surface.
一実施形態において、タッチ面は硬質面である。別の実施形態において、タッチ面は、平面、曲面、湾曲、モーフィング又は他の可撓性表面を含む、可撓性表面である。

Further, as the haptic electrodes do not need to be directly connected to the haptic signal, one can stack electrodes/nonconductive substrate over and over to attain an extremely large separation between the bottom electrodes and the most outer ones.
さらに、ハプティック電極がハプティック信号に直接接続される必要がないので、底部電極と最も外側にある電極との間の極めて大きい分離を達成するために、電極／非導電性基板を何度も積重することができる。

疑似コロケーション

US2022210823(IDAC HOLDINGS INC [US])
Representative Procedures for UCI on a CG Transmission
【０１２８】
  ＣＧ送信でのＵＣＩについての代表的な手続き

[0190] For a CG transmission, the WTRU 102 may include CG-UCI.
ＣＧ送信の場合、ＷＴＲＵ１０２は、ＣＧ－ＵＣＩを含むことができる。

The CG-UCI may enable a gNB and/or Access Point, for example to properly decode the CG.
ＣＧ－ＵＣＩは、ｇＮＢおよび／またはアクセスポイントが、例えば、ＣＧを適正に復号するのを可能にすることができる。

For example, the CG-UCI may include any of:
例えば、ＣＧ－ＵＣＩは、とりわけ、以下のうちのいずれかを含むことができる。

(1) a WTRU-ID; (2) a Transport Block Size (TBS);
（１）ＷＴＲＵ－ＩＤ、（２）トランスポートブロックサイズ（ＴＢＳ）、

(3) a resource allocation (for example, a CG may be configured with one or more sets of possible resources, and the CG-UCI may indicate what resources, what set of resources or what sets of resources are used (e.g., actually used). In certain examples, a CG may enable transmission on multiple interlaces and the CG-UCI may indicate the one or more interlaces used by the WTRU 102 );
（３）リソース割り当て（例えば、ＣＧは、考え得るリソースの１つまたは複数のセットで構成されてよく、ＣＧ－ＵＣＩは、どのリソースか、リソースのどのセットか、またはリソースのどのセットが使用されるのか（例えば、実際に使用されるのか）を示すことができる。一定の例において、ＣＧは、多数のインターレース上での送信を可能にすることができ、ＣＧ－ＵＣＩは、ＷＴＲＵ１０２によって使用される１つまたは複数のインターレースを示すことができる）、

(4) a Modulation and Coding Scheme (MCS);
（４）変調およびコーディングスキーム（ＭＣＳ）、

(5) a number of antenna ports; (6) a pre-coding matrix;
（５）アンテナポートの数、（６）プリコーディング行列、

(7) a type of LBT used to acquire the channel, which may indicate the LBT category and/or the CAPC used;
（７）使用されるＬＢＴカテゴリおよび／またはＣＡＰＣを示すことができる、チャネルを取得するために使用されるＬＢＴのタイプ、

(8) a Transmission Configuration Indication (TCI) state, which may include a Quasi-colocation assumption;
（８）疑似コロケーション想定を含むことができる送信構成表示（ＴＣＩ）状態、

(9) one or more beam used for the transmission, which may include analog and/or digital (e.g. Transmitted Precoding Matrix Indicator (TPMI)) beam information;
（９）アナログおよび／またはデジタル（例えば、送信プリコーディング行列インジケータ（ＴＰＭＩ））ビーム情報を含むことができる、送信のために使用される１つまたは複数のビーム、

(10) priority of the transmission, which may include reliability and/or latency requirements; and/or (11) CBG related information, among others.
 （１０）信頼性および／またはレイテンシ要件を含むことができる送信の優先度、並びに／または（１１）ＣＢＧ関連情報。

US10103797(Apple Inc)
Embodiments of the present disclosure describe provision of resource element (RE) mapping and quasi co-location (QCL) information related to an interfering signal to a user equipment. The UE may use this information to estimate a channel on which the interfering signal is transmitted. This estimation may then be used by the receiver for interference mitigation.

3. The apparatus of claim 1, wherein the indicator is a quasi co-location indicator to indicate whether antenna ports 7-14 associated with a PDSCH of the interfering cell are quasi co-located, with respect to Doppler shift, Doppler spread, average delay, and/or delay spread, with antenna ports 0-3 associated with a CRS of the interfering cell.

US10785606(Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB)
(Ab)
In certain embodiments, a method for use in a network node comprises sending a control information message to at least one wireless device that is in idle mode. The message comprises a mapping that maps a quasi co-location (QCL) assumption to a multicast transmission or multicast channel. For example, in certain embodiments, the multicast transmission or multicast channel is associated with a temporary multicast group indicator (TMGI), and the mapping maps the QCL assumption to the TMGI. The control information message causes the at least one wireless device to use the QCL assumption to decode the multicast transmission or multicast channel while in idle mode.

Quasi Co-Location (QCL)

According to the LTE terminology, it is said that two antenna ports are quasi co-located (QCL) with respect to a certain channel property X when such channel property X may be assumed to be the same for both ports by the UE. Conversely, it is said that two antenna ports are not quasi co-located (QCL) with respect to a certain channel property X when such channel property X shall not be assumed to be the same for both ports by the UE. UEs may exploit knowledge of the QCL assumptions in a number of ways. For example, the complexity of channel estimation algorithms may be reduced by avoiding individual estimation of channel properties that are quasi co-located between different antenna ports. Another advantage is the possibility of extracting channel properties from certain ports which allow accurate estimation and applying them to other quasi co-located ports that do not allow equally good estimation. An example of QCL is described in the 3GPP TS 36.213 specification.

 

WO2021108653(QUALCOMM INC [US])
[0002] The present disclosure relates generally to wireless communications, and more specifically to using a demodulation reference signal (DMRS) of a data transmission as a quasi-colocation (QCL) reference signal source for another data transmission.

 

＊コロケーション：「サーバや回線接続装置などを共同の場所に設置する事」（コロケーションとは、ITトレンド）（であれば、colocationはOKなのかも知れないが, collocationとの綴りは（語源的には近そうだが）多分間違い）

 

グループベースビーム報告

US2021306060(NTT DOCOMO INC [JP])
[0076] When a combination of the L1-RSRP and the L1-RSRQ/SINR is configured as the beam selection index to the UE,
【００４８】
  ＵＥがＬ１－ＲＳＲＰ及びＬ１－ＲＳＲＱ／ＳＩＮＲの組み合わせをビーム選択の指標として設定される場合であって、

and when a group-based beam report is configured to disabled by a higher layer signaling,
上位レイヤシグナリングによってグループベースビーム報告が無効（disabled）に設定される場合には、

the UE may include different nrofReportedRS CRIs/SSBRIs in one report for each report configuration to report.
ＵＥは、各レポート設定のために、nrofReportedRS個の異なるＣＲＩ／ＳＳＢＲＩを１つのレポートに含めて報告してもよい。

[0077] The UE may first determine M best candidate RSs (candidate beams) based on the L1-RSRP.
【００４９】
  ＵＥは、まずＬ１－ＲＳＲＰに基づいて、Ｍ個の最良の候補ＲＳ（候補ビーム）を決定してもよい。

In this regard, a value of M may be configured by a higher layer signaling, or may be defined by a specification.
ここで、当該Ｍの値は、上位レイヤシグナリングによって設定されてもよいし、仕様によって定められてもよい。

In addition, M may be assumed as a value equal to or more than nrofReportedRS.
なお、ＭはnrofReportedRS以上の値と想定してもよい。

Subsequently, the UE may determine nrofReportedRS measurement results to report from a result of the determined M candidate RSs based on the L1-RSRQ/SINR.
その後、ＵＥは、Ｌ１－ＲＳＲＱ／ＳＩＮＲに基づいて、決定したＭ個の候補ＲＳの結果から、報告するnrofReportedRS個の測定結果を決定してもよい。

US10924175(APPLE INC [US])
[0122] For L1-RSRP reporting, if the higher layer parameter nrofReportedRS is configured to be one, the reported L1-RSRP value can be defined by a 7-bit value in the range [−140, −44] dBm with 1 dB step size, if the higher layer parameter nrofReportedRS is configured to be larger than one, or if the higher layer parameter group-based-beam-reporting for group based beam reporting is configured as ‘ON’, the UE 400 shall use the differential RSRP (e.g., L1-RSRP) based reporting, where the largest value of L1-RSRP uses a 7-bit value in the range [−140, −44] dBm with 1 dB step size, and the differential L1-RSRP uses a 4-bit value. The differential L1-RSRP value can be computed with 2 dB step size with a reference to the largest L1-RSRP value which is part of the same L1-RSRP reporting instance. The mapping between the reported L1-RSRP value and the measured quantity as described further, for example, in TS 38.133.

US2021194658(QUALCOMM INC [US])
[0010] With group-based beam reporting, the UE may report a representative beam (e.g., one CRI and/or SSBRI) having at least one measurement value that is comparatively the “best” (e.g., highest, largest, etc.) relative to other measurement values corresponding to other beams. For example, the UE may report a layer 1 (L1) reference signal receive power (RSRP) value and/or L1 signal-to-interference-plus-noise (SINR) value measured from at least one CSI-RS and/or SSB received on the representative beam. In some aspects, the UE may use up to a first number of bits (e.g., seven bits) to report the measurement value corresponding to the representative beam.

1. A method of wireless communication at a user equipment (UE), comprising:
determining at least one operational mode associated with communication with a base station on a joint channel that includes two or more beam pairs between the UE and the base station;
determining at least one resource associated with the communication with the base station on the joint channel based on the at least one operational mode; and
transmitting, to the base station,（＊句の挿入）a group-based report associated with the joint channel, the group-based report including information indicating the at least one resource.

US11368962(INTEL IP CORP [US])
[0031] After measurement, the UE can determine and/or report which Tx beams are suitable for communications to the TRP. Further, the UE can send reporting content that includes a Tx beam index or beam pair link (BPL) index and the RSRP. The overhead for beam state reporting could be high, considering the large number of beams. In order to reduce this overhead, group based beam reporting has been proposed which have two options. A first option/approach is to use a receive (Rx) beam set based reporting (Alt 1 ), in which different Tx beams reported for the same set can be simultaneously received by the UE. A second solution/approach is Rx antenna group/antenna panel based reporting (Alt 2 ), where different Tx beams reported from different panels can be simultaneously received by the UE.

フローチャート図面

US20170363949A(GOOGLE INC [US])

US11328842(BOEING CO [US])

 

US10821653(BOEING CO)

US10766617(INTEL CORP [US])

US9613423(GOOGLE INC [US])

US9823744(GOOGLE INC [US])

US9407837(GOOGLE INC [US])

US9442570(MOTOROLA MOBILITY LLC [US])

US9358975(GOOGLE INC [US])

US8423207(BOEING CO [US])

US7353114(GOOGLE INC [US])

US8447144(GOOGLE INC [US])

US8260040(TYZX INC [US])

可用帯域

US11153645
[0060] FIG. 8 depicts an example process that may be implemented by power adaptation logic for a quality mode.
【００４３】
  図８は、品質モードの電力適応論理によって実装することができる例示的なプロセスを示している。

For example, example process 900 that may be implemented by the power adaptation logic 604 (show in FIG. 5) for a quality mode, which may provide a video quality given the remaining battery level and the available bandwidth.
例えば、例示的なプロセス９００は、ビデオ品質に所与の残りのバッテリレベルおよび可用帯域幅を提供することができる、品質モードに対する電力適応論理６０４（図５に示した）によって実装されてもよい。

At 902 and 904 , respectively, the bandwidth statistics and the power statistics for a current complexity level (CL) may be updated.
９０２と９０４においてそれぞれ、現在の複雑度レベル（ＣＬ）に対する帯域幅統計および電力統計を更新されてもよい。

At 906 , the power consumption (PC) may be estimated for a complexity level or complexity levels for the remaining video playback.
９０６において、残りのビデオ再生に対する１または複数の複雑度レベルに対して、電力消費（ＰＣ）が推定されてもよい。

US2013195052
[0061] Common reasons for alignment and aggregation may include, without limitation: network usage, network optimization, spectral efficiency, reduced processing burden on the population of client devices, etc.
【００５３】
  整合及び集約の共通の理由としては、ネットワーク使用法、ネットワーク最適化、スペクトル効率、クライアント機器などの母集団に対する処理負荷の低減などを挙げることができるが、これらに限定されない。

For example, in one implementation, a reference carrier that is within close proximity to available bandwidth can incorporate one or more carrier extensions/segments, thereby improving overall network bandwidth.
例えば、一実行例では、可用帯域直近にある基準搬送波は１つ以上の搬送波拡張部／セグメントを組み込むことができ、その結果、全体的なネットワーク帯域幅が改善される。

US2021059526
[0073] In the second measurement for HBBC, the same scenario with the reader antennas inside the liquid phantom is measured.
【００６５】
  ＨＢＢＣの第２の測定では、液体ファントム内のリーダーアンテナを使用した同じシナリオが測定される。

The reader antennas are in direct contact with the medium.
リーダーアンテナは、媒体と直接接触している。

As expected, the high-frequency components are attenuated due to the direct contact with the lossy medium.
期待通り、高周波成分は、損失性媒体との直接接触により減衰する。

However, the low-frequency band (galvanic coupling) is dominant for the frequencies below 30 MHZ in which the backscatter signal is significant.
しかし、後方散乱信号が大きい３０ＭＨｚ未満の周波数では、低周波帯域（ガルバニ結合）が支配的である。

Therefore, the galvanic part is useful for low frequencies.
したがって、ガルバニ部分は低周波に役立つ。

The available bandwidth is limited in the lower frequencies.
低周波では、可用帯域が制限される。

The bandwidth would be enough for HBBC connectivity with low rate requirements about 30% of the transmitter frequency. 
帯域幅は、送信機周波数の約３０％の低速要件のＨＢＢＣ接続に十分である。