US2021047730(APPLIED MATERIALS INC [US])
[0020] During 3D NAND processing, stacks of placeholder layers and dielectric materials may form the inter-electrode dielectric or inter-poly dielectric (“IPD”) layers, which may include alternating layers of oxide and nitride or oxide and polysilicon, as some examples.
【0016】
3D NAND処理中、プレースホルダ層および誘電体材料の重なりは、いくつかの例として、酸化物および窒化物または酸化物および多結晶シリコンの交互層を含むことができる、内部電極誘電体または内部ポリ誘電体(IPD)層を形成することができる。
These placeholder layers may have a variety of operations performed to place structures before fully removing the material and replacing it with metal.
これらのプレースホルダ層は、材料を完全に取り除き、金属と交換する前に、構造を配置するために実施される様々な動作を有することができる。
The IPD layers are often formed overlying a conductor layer, such as polysilicon, for example.
IPD層はしばしば、例えば、ポリシリコンなどの導体層に重ねて形成されている。
US10989523(BOEING CO [US])
[0042] As another alternative that may provide a smarter strain indicator, the geometric pattern 12 may have sets of grooves 14 laid down at angles relative to each other with different groove widths WG to independently monitor different levels or types of strain occurring in the structural component.
【0028】
より高機能なひずみインジケータを提供可能な他の代替例として、幾何学的パターン12は、構造コンポーネントに生じる複数の異なるレベル又はタイプのひずみを独立して監視するために、複数の異なる溝幅WGで互いに対して複数の角度を付けて配置された複数の組の溝14を有していてもよい。
For example, the geometric patterns 12 C, 12 E may be combined into a single geometric pattern 12 on the structural component.
例えば、幾何学的パターン12C、12Eを組み合わせて、構造コンポーネントにおける単一の幾何学的パターン12にしてもよい。
The circular geometric pattern 12 C may be created with the groove width WG being within the range responsive to ultraviolet EM energy
円形の幾何学的パターン12Cは、紫外線域のEMエネルギーに影響する範囲内の溝幅WGで形成してもよく、
and the geometric pattern 12 E created overlying the geometric pattern 12 C with the groove width WG being within the range responsive to mid infrared EM energy.
幾何学的パターン12Eは、中赤外線域のEMエネルギーに影響する範囲内の溝幅WGで、幾何学的パターン12Cに重ねて形成してもよい。
US2022011602(SIGHTGLASS VISION INC [US])
[0120] Scattering area 1230 includes scattering centers as described above.
【0107】
散乱区域1230は、上で記載したような散乱中心を含む。
In addition, scattering area 1235 includes lenslets 1235 arranged in rings around aperture 1210 .
加えて、散乱区域1235は、開口部1210の周りに環状に配置される小レンズ1235を含む。
The lenslets introduce defocus to portions of a wavefront that would otherwise be focused onto the user's retina.
小レンズは、さもなければユーザの網膜上に合焦されることになる波面の部分にデフォーカスをもたらす。
Scattering centers are included at the locations of lenslets 1235 .
散乱中心は、小レンズ1235の場所に含まれる。
For example, scattering centers can be formed on a surface of each lenslet 1235 , on the opposite lens surface but overlapping with the same lateral positions as lenslets 1235 ,
たとえば、散乱中心は、各小レンズ1235の表面上に形成され、対向するレンズ表面上だが小レンズ1235と同じ横方向位置に重ねて形成され、
and/or included within the bulk of lens 1200 overlapping laterally with lenslets 1235 .
および/または、小レンズ1235と横方向に重なるレンズ1200のバルク内に含まれ得る。