US11244800(AXCELIS TECH INC [US])
[0003] In the manufacture of semiconductor devices, ion implantation is used to dope semiconductors with impurities.
【0003】
[背景技術]
半導体デバイスの製造においては、不純物を半導体にドープするためにイオン注入が用いられる。
Ion implantation systems are often utilized to dope a workpiece, such as a semiconductor wafer, with ions from an ion beam,
イオン注入システムは、半導体ウェハなどのワークピースへ、イオンビームからのイオンをドープするために利用されることが多い。
in order to either produce n- or p-type material doping, or to form passivation layers during fabrication of an integrated circuit.
これにより、n型またはp型の材料ドーピングを生じさせること、または、集積回路の製造時にパッシベーションを形成することができる。
US11652156(IBM [US])
[0060] Epitaxially grown silicon and silicon germanium can be doped by adding n-type dopants (e.g., P or As) or p-type dopants (e.g., Ga, B, BF2 , or Al).
【0035】
n型ドーパント(例えば、PもしくはAs)またはp型ドーパント(例えば、Ga、B、BF2、もしくはAl)を添加することによってエピタキシャル成長シリコンおよびシリコンゲルマニウムにドープすることができる。
US2021273625(SKYWORKS SOLUTIONS INC [US])
[0062] Aluminum nitride doped with scandium nitride (ScN) used as a piezoelectric material in BAW resonators has been found to improve operating characteristics of the BAW resonators as compared to similar BAW resonators utilizing undoped AlN for their piezoelectric layers.
【0046】
BAW共振器において圧電材料として使用される窒化スカンジウム(ScN)がドープされた窒化アルミニウムが当該BAW共振器の動作特性を、圧電層に対してドープなしAlNを利用する同様のBAW共振器と比較して改善することがわかっている。
Without being bound to a particular theory, it is believed that the electropositive characteristic of Sc may contribute to the improved operating characteristics of BAW resonators utilizing AlN doped with Sc for their piezoelectric layers.
特定の理論に拘束されるわけではないが、Scの電気陽性特性が、圧電層に対してScがドープされたAlNを利用するBAW共振器の動作特性の改善に寄与し得ると考えられる。
Accordingly, doping AlN with elements even more electropositive than Sc may result in piezoelectric materials superior to Sc-doped AlN for use in BAW resonators.
したがって、Scよりもさらに電気陽性の高い元素をAlNにドープすることにより、BAW共振器における使用のためにScドープAlNよりも優れた圧電材料を得ることができる。