入射光

US2021104647(REALD SPARK LLC [US])
[0152] As illustrated by FIG. 15C, then various passive optical nanostructures 300 , 400 , 500 , 600 are sequentially stacked on top of the LED 110 using any of the methods described above.
【０１３２】
  図１５Ｃに示されるように、次に、様々な受動光学ナノ構造３００、４００、５００、６００が、上記の方法のいずれかを使用して、ＬＥＤ１１０の上に順次積み重ねられる。

The nano-black structure 850 acts to block light emitted from the LED 110 at wide angles to help provide a more directed light output.
ナノブラック構造８５０は、ＬＥＤ１１０から広角で放射される光を遮断するように作用して、より指向性のある光出力を提供するのを助ける。

The nano-black structures also suppress the reflection of ambient light incident light on the display so that display contrast is improved.
ナノブラック構造はまた、ディスプレイへの周囲光の入射光の反射を抑制し、ディスプレイのコントラストを向上させる。

Further cross talk between adjacent LEDs may be substantially reduced, increasing image fidelity in a display application.
隣接するＬＥＤ間のさらなるクロストークは大幅に減少し、ディスプレイアプリケーションでの画像の忠実度が向上する。

US10488014(3M INNOVATIVE PROPERTIES CO [US])
[0015] Asymmetric turning film 210 may be any suitable thickness and may be made from any suitable material.
【００１４】
  非対称形回転フィルム２１０は、任意の適した厚さとすることができ、任意の適した材料から作ることができる。

In some embodiments, asymmetric turning film 210 
いくつかの実施形態では、非対称形回転フィルム２１０は、

will be formed from a polymeric material, such as

polycarbonate, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, poly(methyl methacrylate) and copolymers and blends of the same.
ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ（メタクリル酸メチル）、並びにこれらのコポリマー及びブレンド

などのポリマー材料から形成される。

In some embodiments, asymmetric turning film 210 may be optically transparent or have low haze and high clarity to avoid undesirably scattering incident light. 
いくつかの実施形態では、非対称形回転フィルム２１０は、入射光が望ましくなく散乱することを防止するために、光学的に透過性とすることができ、又は低いヘイズ及び高い透明度を有することができる。

US11296137(SENSE PHOTONICS INC [US])
[0040] Sensitivity-enhanced CMOS image sensors
【００３７】
  感度増強ＣＭＯＳイメージセンサは、

may be designed to improve sensitivity（＊無冠詞）of CMOS image sensors by

forming subwavelength diffractive light trapping structures, such as inverted pyramidal array (IPA) structures, which refract sufficiently normally incident light at an angle such that it undergoes total internal reflection from the deep trench isolation (DTI) structures that separate each pixel from its neighboring pixels.
各画素を隣接画素から分離する深溝分離（ＤＴＩ）構造からの全反射を受けるような角度で垂直入射光線を十分に屈折させる、逆ピラミッドアレイ（ＩＰＡ）構造等のサブ波長回折光閉じ込め構造を形成する

ことにより、ＣＭＯＳイメージセンサの感度を向上させるように設計可能である。

This light travels a longer path in the silicon as compared with similarly normally incident light without the diffractive light trapping structures.
この光は、回折光閉じ込め構造を使わずに同様に垂直入射する光と比較して、シリコン内でより長距離の経路を伝達する。

The longer path can increase the probability of absorption and thus the sensitivity of the device.
経路が長くなると吸収しやすくなるので、デバイスの感度を高めることができる。

The DTI structures may prevent photons impinging above one pixel to generate charges which will be collected in adjacent pixels.
このＤＴＩ構造は、光子が１画素よりも多く衝突して、隣接画素で収集される電荷を生成することを防止できる。

[0041] Such conventional devices
【００３８】
  このような従来型デバイスは、

may include photodetector devices having a current responsivity that is proportional to the optical power of the incident photons, such that the incident optical power is converted to a proportional current. 
入射光強度を比例電流へと変換するように、電流応答性が入射光子の光強度に比例する光検出器デバイスを含むことができる。

US11297258(QUALCOMM INC [US])
[0040] The pixel array 312 may include a plurality of pixels 340 arranged in a predetermined number of rows and columns (e.g., M rows and N columns).
【００２８】
  ピクセルアレイ312は、所定の数の行および列(たとえば、M行およびN列)に配列された複数のピクセル340を含み得る。

Each pixel 340 may represents a single photoelectric charge detecting element of the pixel array 312 .
各ピクセル340は、ピクセルアレイ312の単一の光電電荷検出素子を表し得る。

Each of the pixels may each include a photosensitive element, for example a photogate, photoconductor, photodiode, or other photodetector, overlying a substrate for accumulating photo-generated charge in an underlying portion of the substrate.
ピクセルの各々は、各々、基板の下にある部分において光生成電荷を蓄積するための基板の上にある光感知素子、たとえば、フォトゲート、光導電体、フォトダイオード、または他の光検出器を含み得る。

The pixel array 312 may, in some implementations, include one or more filters positioned to filter incoming light, for example, an infrared cut-off filter or a color filter.
ピクセルアレイ312は、いくつかの実装形態では、入射光をフィルタリングするために配置された1つまたは複数のフィルタ、たとえば、赤外線カットフィルタまたはカラーフィルタを含み得る。

The photosensitive element of a CMOS pixel may be one of a depleted p-n junction photodiode or a field-induced depletion region beneath a photogate.
CMOSピクセルの光感知素子は、空乏型p-n接合フォトダイオード、またはフォトゲートの下の電界誘起空乏領域のうちの1つであり得る。