飛程

US2019096989(JP)
[0092] Note that the acceleration energy E of the helium ions irradiation is calculated from a desired average range Rp of helium ions (referred to as calculation value E) by use of the above fitting expression,
なお、上記のフィッティング式を用いて所望のヘリウムイオンの平均飛程Ｒｐからヘリウムイオン照射の加速エネルギーＥを算出（算出値Ｅと称する）し、

and in a case where the helium ions are implanted into the silicon substrate at the calculation value E of the acceleration energy,
この加速エネルギーの算出値Ｅでヘリウムイオンをシリコン基板に注入した場合における、

a relation between an actual acceleration energy E′ and an average range Rp′ (peak position of helium ions) actually obtained by a secondary ion mass spectrometry (SIMS) or the like
実際の加速エネルギーＥ'と実際に二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）等によって得られた平均飛程Ｒｐ'（ヘリウムイオンピーク位置）との関係は、

may be considered as follows.
 以下のように考えればよい。

With respect to the calculation value E of the acceleration energy, when the actual acceleration energy is within a range of about E±10%,
加速エネルギーの算出値Ｅに対して、実際の加速エネルギーＥ'がＥ±１０％程度の範囲にあれば、

the actual average range Rp′ also falls in a range of about ±10% with respect to the desired average range Rp to be within a range of a measurement error.
実際の平均飛程Ｒｐ'も所望の平均飛程Ｒｐに対して±１０％程度の範囲に収まり、測定誤差の範囲内となる。

Therefore, an effect by variations of the actual average range Rp′ from the desired average range Rp on electrical characteristics of IGBTs, diodes and so on is sufficiently small to a negligible extent.
そのため、実際の平均飛程Ｒｐ'の所望の平均飛程Ｒｐからのバラつきが、ＩＧＢＴやダイオード等の電気的特性へ与える影響は、無視できる程度に十分小さい。

[0099] In the cross-section, the emitter region 12 of N+ type and the base region 14 of P− type are formed on an upper surface side of each mesa portion 94 in the transistor section 70 in order from the upper surface 21 side of the semiconductor substrate 10.
当該断面において、トランジスタ部７０の各メサ部９４の上面側には、Ｎ＋型のエミッタ領域１２およびＰ－型のベース領域１４が、半導体基板１０の上面２１側から順番に形成される。

The accumulation region 16 of N+ type may be formed under the base region 14.
ベース領域１４の下には、Ｎ＋型の蓄積領域１６が更に形成されていてもよい。

US2016056144(JP)
1. A manufacturing method of a semiconductor device comprising:

depositing a thin film semiconductor layer on a semiconductor substrate with an insulating film therebetween, the insulating film having been formed on a surface of the semiconductor substrate;
【請求項１】
  半導体基板の表面上に形成された絶縁膜を介して薄膜半導体層を堆積する工程と、

ion-implanting first impurity ions into the thin film semiconductor layer under a condition where a range of the first impurity ions becomes smaller than a film thickness of the thin film semiconductor layer when being deposited; and
前記薄膜半導体層に第１不純物イオンを前記薄膜半導体層の前記堆積時の膜厚よりも前記第１不純物イオンの飛程が小さくなる条件でイオン注入する工程と、

selectively ion-implanting second impurity ions into the thin film semiconductor layer with a dose quantity more than a dose quantity of the first impurity ions, wherein
前記薄膜半導体層に第２不純物イオンを前記第１不純物イオンのドーズ量よりも高いドーズ量で選択的にイオン注入する工程と、を含み、

a diode for detecting temperature is formed by a region into which the first impurity ions have been implanted and a region into which the second impurity ions have been implanted in the thin film semiconductor layer.
前記薄膜半導体層中の前記第１不純物イオンが注入された領域と前記第２不純物イオンが注入された領域とによって温度検出用のダイオードを形成する

ことを特徴とする半導体装置の製造方法。