抵抗、オーム

US2023014082(HARVARD COLLEGE [US])
The TIA may comprise an impedance component having a resistance of at least 10 MΩ, at least 100 MΩ, or between 10 MΩ and 1 GΩ,
ＴＩＡは、少なくとも１０ＭΩ、少なくとも１００ＭΩ、または１０ＭΩ～１ＧΩの間の抵抗を有するインピーダンス素子を含んでもよく、

wherein an output voltage of the TIA is proportional to a voltage across the impedance component. 
ＴＩＡの出力電圧は、インピーダンス素子の両端電圧に比例する。

US2023245873(LAM RES CORP [US])
[0066] As discussed above, problems may arise when the RF direct drive circuit is operating in a power mode with non-plasma conditions.
【００６１】
  上述したように、ＲＦダイレクトドライブ回路が非プラズマ状態の電力モードで動作している時に、問題が発生する場合がある。

At 2 MHz, internal resistance may be equal to 16.25 mΩ for a 4 channel design and the switch may have a drain to source resistance RDS (On) equal to 65 mΩ.
２ＭＨｚでは、内部抵抗は４チャンネル設計で１６．２５ｍΩに等しく、スイッチは６５ｍΩのドレイン－ソース間抵抗Ｒ_DS（Ｏｎ）を有し得る。

At 13 MHz, internal resistance（＊無冠詞単数）may be equal to 60 mΩ for a 4 channel design and the switches may have a drain to source resistance RDS (On) of 240 mΩ.
１３ＭＨｚでは、内部抵抗は４チャンネル設計で６０ｍΩに等しく、スイッチは２４０ｍΩのドレイン－ソース間抵抗Ｒ_DS（Ｏｎ）を有し得る。

US11575349(SKYWORKS SOLUTIONS INC [US])
[0110] When the amplification path 130 is operated in the foregoing manner, its impedance Z is relatively low (e.g., about 3 to 5Ω);
【００９３】
  増幅経路１３０が上記態様で動作する場合、そのインピーダンスＺは比較的低い（例えば約３～５Ω）。

and thus, impedance transformation typically needs to occur to match with impedance associated with a downstream component.
それゆえ、インピーダンス変換を、下流側コンポーネントに関連付けられたインピーダンスに整合するように行う必要がある。

In the example of FIG. 6 , a band switch 138 (depicted as being part of a band switch system 118 ) that receives the output of the amplification path 130 is typically configured as a 50Ω load.
図６の例において、増幅経路１３０の出力を受ける帯域スイッチ１３８（帯域スイッチシステム１１８の一部として描かれる）は典型的に、５０Ω負荷として構成される。

Accordingly, and assuming that the impedance (Z) presented by the amplification path 130 is about 4Ω, an impedance transformation of about 13:1 (50:4) needs to be implemented. 
したがって、増幅経路１３０によって代表されるインピーダンス（Ｚ）が約４Ωであると仮定すれば、約１３：１（５０：４）のインピーダンス変換を実装する必要がある。