磁化固定層

US9231194(INTEL CORP [US])
[0038] An Example includes an apparatus comprising:
【００２９】
  一例は、

a magnetic tunnel junction (MTJ) including a free magnetic layer, a fixed magnetic layer, and a tunnel barrier between the free and fixed layers; the tunnel barrier directly contacting a first side of the free layer;
磁化自由層、磁化固定層、および自由層と固定層との間のトンネル障壁を含む磁気トンネル接合（ＭＴＪ）と、

and an oxide layer directly contacting a second side of the free layer;
自由層の第２の面に直に接触する酸化物層とを備え、

wherein the tunnel barrier includes an oxide and has a first resistance-area (RA) product and the oxide layer has a second RA product that is lower than the first RA product.
トンネル障壁は、自由層の第１の面に接触し、トンネル障壁は、酸化物を含み、第１面積抵抗（ＲＡ）生成物を有し、酸化物層は、第１ＲＡ生成物より低い第２ＲＡ生成物を有する、装置を含む。

EP2738770(SEAGATE TECHNOLOGY LLC [US])
[0029] FIGS. 2A and 2B respectively show magnetic stacks 130 and 150 each capable of being used in the data storage device 100 of FIG. 1 .
【０００９】
  図２Ａおよび図２Ｂは、各々図１のデータ記憶装置１００において使用可能な磁気スタック１３０および１５０をそれぞれ示す。

As shown in FIG. 2A , The magnetic stack 130 is constructed with a fixed magnetization pinning layer 134 contacting a fixed magnetization reference layer 136 opposite a non-magnetic barrier layer 138 from a magnetically free layer 140.
図２Ａにおいて示されるように、磁気スタック１３０は、非磁気バリア層１３８の磁気自由層１４０とは反対側に設けられる固定された磁化基準層１３６に接触する固定された磁化固定層１３４で構成される。

As the free layer 140 responds to an external data bit while the reference layer 136 maintains a fixed magnetization due to the exchange coupling with the pinning layer 134,
基準層１３６が固定層１３４との交換結合によって固定磁化を維持している間は自由層１４０が外部データビットに応答するので、

an external data bit can be read as a logic state.
外部データビットを論理状態として読出すことができる。

While not providing a fixed or free magnetization, seed 142 and cap 144 layers can be positioned on a single, or opposite sides of the stack 130 in various embodiments.
固定されたまたは自由な磁化をもたらさないが、様々な実施例においてシード層１４２およびキャップ１４４層をスタック１３０の一方側または両側に配置し得る。

US8866207
[0003] MRAM is a type of solid state memory that uses tunneling magnetoresistance (MR) to store information.
【０００２】
  ＭＲＡＭは、情報を蓄えるためにトンネル磁気抵抗（ＭＲ）を用いる一種の固体メモリである。

MRAM is made up of an electrically connected array of magnetoresistive memory elements, referred to as magnetic tunnel junctions (MTJs).
ＭＲＡＭは、磁気トンネル接合（ＭＴＪ）と呼ばれる磁気抵抗メモリ素子を電気的に接続したアレイから構成される。

Each MTJ includes a magnetic free layer having a magnetization direction that is variable, and a magnetic fixed layer having a magnetization direction that is invariable.
各ＭＴＪは、磁化方向が可変の磁化自由層、および磁化方向が不変の磁化固定層を含む。

The free layer and fixed layer are separated by an insulating non-magnetic tunnel barrier.
自由層および固定層は、絶縁性の非磁性トンネル・バリアによって分離される。

An MTJ stores information by switching the magnetization state of the free layer.
ＭＴＪは、自由層の磁化状態を切り替えることによって情報を蓄える。

When the magnetization direction of the free layer is parallel to the magnetization direction of the fixed layer, the MTJ is in a low resistance state.
自由層の磁化方向が固定層の磁化方向と平行な場合、ＭＴＪは、低抵抗状態にある。

When the magnetization direction of the free layer is anti-parallel to the magnetization direction of the fixed layer, the MTJ is in a high resistance state.
自由層の磁化方向が固定層の磁化方向に反平行な場合、ＭＴＪは、高抵抗状態にある。

The difference in resistance of the MTJ may be used to indicate a logical ‘1’ or ‘0’, thereby storing a bit of information.
ＭＴＪの抵抗の差を、論理的な「１」または「０」を示すために用いることができ、それによって、１ビットの情報を蓄えることができる。

The MR of an MTJ determines the difference in resistance between the high and low resistance states.
ＭＴＪのＭＲは、高抵抗状態と低抵抗状態間の抵抗の差を決定する。

A relatively high difference between the high and low resistance states facilitates read operations in the MRAM.
高抵抗状態と低抵抗状態間の差が比較的高いことが、ＭＲＡＭにおける読み出し動作を容易にする。