2023年9月4日のブログ記事一覧-Renaissancejapan

フリーメーソン（分派）

2023-09-04 22:48:02 | 秘密結社　フリーメーソン、イルミナティ、世界権力・陰謀・都市伝説、など、

分派

今日、フリーメーソンにはGLNF二つの大きな流れがある。

一つは「正規派」といわれるアングロ・サクソン系のもので、（神への信仰義務があり、世界のメーソンの90%を占める）、

もう一つは「リベラル派」あるいは「ラテン系」と呼ばれ、フランスで主流となっているものである。

世界中にメーソンは700万から1千万人いると見られ、うちイギリスに約百万人、フランスに7万人、アメリカに400万人である。　フランスにはおよそ10の分派がある。

フランス大東社（GODF）
16,rue　Cadet,75009　Paris

1773年創立。男性のみ。　会員数37,000人、ロッジ数700
グランドマスター：ジルベール・アベルジェル

フランス・グランド・ロッジ（GLF）
8,rue　Puteaux,75017　Paris

会員数23,000人、ロッジ数550
1738年創立。男性のみ。　「宇宙の偉大なる建築師」への言及あり。
グランドマスター：ジャン＝ルイ・マンディノー

フランス国民・グランド・ロッジ（GLNF）
65,rue　boulevard　Bineau,92220　Neuilly-sur-Seine

会員数15,000人、ロッジ数400以上
1913年大東社から分裂。ロンドンの許可を受けたフランス唯一の「正規」分派で
神への絶対的信仰が必要。男性のみ。
グランドマスター：Ｍ．シャルボニオー

オペラ・フランス国民・グランド・ロッジ（GLNFｰOpera）

会員数数千人、ロッジ数40
1958年にGLNFから分離、男女混成

人権（DH）
5,rue　JulesーBreton,75103　Paris

会員数11,000人、ロッジ数400
1894年に大東社から分離、男女混成

フランス女性グランド・ロッジ人権（GLFDF）
4,cite du Couvent,75011 Paris

会員数9千人、ロッジ数250
1952年創立。　女性のみ。

（出所）

フリーメーソン
https://blog.goo.ne.jp/renaissancejapan/e/a6473d150793ed855d2092bca83217e0

より引用

ウクライナ、汚職巡り国防相更迭　欧米支援維持に危機感

2023-09-04 20:39:05 | NATO・ＥＵ・ウクライナ・ロシア・中国・中東情勢

　　　　　　　解任が発表されたレズニコフ氏（4月）=ロイター

【ウィーン=田中孝幸】ウクライナのゼレンスキー大統領は3日、レズニコフ国防相を交代させると発表した。軍で相次いだ汚職事件の監督責任を取らせた形だ。

欧米からの軍事支援の調達を主導してきた大統領側近の更迭には、軍部の腐敗対策が進まず、西側の支援が停滞しかねないことへの危機感がにじむ。

「国防省には新しいやり方と軍や社会との新たな関係が必要だ」。ゼレンスキー氏は3日の動画メッセージでレズニコフ氏の更迭理由を説明した。同氏は4日、国会議長に辞表を提出した。

ゼレンスキー氏は後任の国防相に国有財産基金のウメロフ総裁を指名した。近く議会で承認される見通しだ。

41歳のウメロフ氏は大統領の命を受け、2022年から同基金のトップとして汚職まみれだった組織の改革で成果を上げてきた。

同氏は14年にロシアに併合された南部クリミア半島の先住民族タタール系の政治家としても知られる。

ウクライナ軍の大規模な反攻開始から3カ月たっての国防相への登用には、クリミア半島の奪回に向けた意志を示す狙いもある。

ウクライナは「汚職大国」として知られてきた。22年のロシアの侵攻開始後も軍関連の汚職事件が絶えなかった。

トランスペアレンシー・インターナショナル（TI）がまとめた同年の世界の「腐敗認識指数」でもウクライナは180カ国・地域で116位と前年から大きな変化はなかった。

レズニコフ氏は21年から国防相を務め、同省や軍の汚職疑惑の報道に「中傷だ」などと反論してきた。同氏には過去にも引責辞任の観測が浮上したが、欧米からの数十億ドル規模の軍事支援の獲得への貢献もあり、ゼレンスキー氏が続投させてきた経緯がある。

このタイミングで更迭に踏み切った背景には、成人男性の徴兵逃れや軍需物資の調達に関わる不正など、戦況を左右しかねない腐敗がまん延していることへのゼレンスキー氏の焦りがある。

ゼレンスキー氏が汚職根絶を繰り返し呼びかけたにもかかわらず、今夏には徴兵免除と引き換えに軍関係者が賄賂を受け取った事例が相次ぎ露見した。8月に全州で徴兵事務を担う軍事委員会のトップを解任したが、汚職件数があまりにも多く捜査機関の手が回らない状態になっていた。

サリバン米大統領補佐官（国家安全保障担当）は1日、訪米したウクライナ司法機関の代表団と会談し、汚職対策の徹底を念押しした。ゼレンスキー氏が速やかに目に見える行動をとらなければ、市民の反発が高まり、西側諸国の支援機運も後退する恐れがあった。

ウクライナの裁判所は2日、過去にゼレンスキー氏の後援者として知られた新興財閥のイーホル・コロモイスキー氏に詐欺と資金洗浄の疑いで身柄拘束を命じた。これに続くレズニコフ氏の更迭劇も、欧米が求める汚職との戦いの一環ととらえられている。

【関連記事】

日経記事　　2023.09.04より引用

フリーメーソン人名録（基本年代順）概要

2023-09-04 14:21:38 | 秘密結社　フリーメーソン、イルミナティ、世界権力・陰謀・都市伝説、など、

王侯貴族・政治家・閣僚・軍人・民族解放・独立運動の闘士

・フリードリヒ大王（プロイセン）
・フリードリヒ＝ヴィルヘルムⅠ世（プロイセン）
・レオポルトⅠ世（ベルギー）
・ジョージ・ワシントン（アメリカ大統領）
・ジョージ４世（英）
・ジョージ6世　（英）
・エドワード7世（英）
・エドワード8世（英）
・ラファイエット侯爵（仏軍人、アメリカ独立戦争を援助）
・ジョゼフ・ボナパルト（ナポレオンの兄）
・ベンジャミン・フランクリン（アメリカ大統領）
・デヴィッド・クロケット（米・開拓者）
・フランクリン・ルーズヴェルト（アメリカ大統領）
・ジュゼッペ・ガリバルディ（イタリア統一運動に活躍）
・ウィンストン・チャーチル（イギリス大統領）
・ハリー・トールマン（アメリカ大統領）
・セオドア・ルーズベルト（アメリカ大統領）
・リンドン・ジョンソン（アメリカ大統領）
・シモン・ボリーバル（ラテンアメリカ独立の指導者）
・ジェラルド・フォード（アメリカ大統領）
・サルバドール・アジェンデ（チリ大統領）
・アブド・アルカーディル（アルジェリア民族運動の父）
・オマール・ボンゴ（ガボン大統領）
・エドヴァルト・ベネシュ（チェコ大統領）
・ジョッフル元帥（仏）
・ウェリントン（英）
・ミラボー伯爵（仏・革命家）
・ジュール・フェリー（仏・教育相）
・アンリ・エマニュエリ（仏・社会党第一書記）
・ロラン・デュマ（仏外相）
・ピエール・ジョックス（仏・国防相）
・アンリ・エマニュエリ（仏・社会党第一書記）
・ロラン・デュマ（仏外相）
・ピエール・ジョックス（仏・国防相）
・シャルル・エルニュ（仏・国防相）
・西周（日）
・津田真道（日）

哲学者・文学者

・モンテスキュー
・ヴォルテール
・カザノヴァ
・ラクロ
・サド侯爵
・メーストル伯爵（仏・作家）
・ルジェドリール（仏国歌ラ・マルセイエーズ作者）
・レッシング・ゲーテ
・ヘルダー
・アレグザンダー・ポープ（英・詩人、哲学者）
・ロバート・バーンズ（英・詩人）
・ウォルター
・スコット
・リチャード・シェリダン（英・劇作家）
・ヴィットリオ・アルフィエーリ（伊・劇作家）
・スタンダール
・エミール・リトレ（仏語大辞典の編纂者）
・マラルメ
・ジュール・ヴェルヌ
・プルードン（仏・無政府主義の創始者）
・オスカー・ワイルド
・ビンセンテ・ブラスコイバーニェス（スペイン作家）
・プーシキン
・ハイネ
・マーク・トウェイン
・コナン・ドイル
・一夫リング
・ジョｒジュ・デュメジル（仏・歴史家）
・フレデリック・トリスタン（仏・作家）

大作曲家・ジャズメン

・ハイドン
・ベートーヴェン
・モーツアルト
・ケルビーニ
・リスト
・シベリウス
・マイヤベーア
・カウント・ベイシー
・デューク・エリントン
・ライオネル・ハンプトン
・ルイ・アームストロング

芸術家

・バルトレディ（仏・自由の女神像の彫刻家）
・セシル・B・デミル（米・映画監督）
・オリヴァー・ハーディ（米・俳優）
・クラーク・ゲーブル　（米・俳優）
・ジョン・ウェイン　　（米・俳優）
・シャガール（仏・画家）
・ファン・グリス（スペイン画家）

学者・発明家・企業家

・アレクサンダー・フレミング（英・医師、ペニシリン発見）
・エドワード・ジェンナー（英・医師，種痘法発見）
・ザムエル・ハーネマン（独・ホメオパシー創始者）
・モンゴルフィエ兄弟（仏・熱気球発明）
・ジョン・マカダム（英・マカダム式舗装の発明者）
・ジョージ・M・プルマン（米・鉄道寝台業者）
・エドウィン・おルドリン（米・宇宙飛行士、アポロで初の月面着陸）
・Ｗ．Ｐ．クライスラー（米・自動車会社創立）
・ヘンリー・フォード（米・自動車会社創立）
・アンドレ・シトロエン（仏・自動車会社創立）
・サミュエル・コルト　(米・リボルバー式拳銃発明）
・オヴィッド・ドクロリー（ベルギー・生活学校教育法を提唱した心理学者）
・アンリ・デュナン（スイス・国際赤十字社創立）
・K.C．ジレット（米・替え刃式安全剃刀考案）
・チャールズ・リンドバーグ（米・飛行機家）

（出所）

フリーメーソン
https://blog.goo.ne.jp/renaissancejapan/e/a6473d150793ed855d2092bca83217e0

より引用

ジャパン・ハンドラーズ　カリフォルニア大学バークレー校　ー1

2023-09-04 09:46:55 | ジャパン・ハンドラーズ

リベラルな校風

カリフォルニア大学は、１００のキャンパスを持っているアメリカ西海岸の州立大学です。　

その中で、最も歴史が古いのがカリフォルニア大学バークレー校で、ＵＣバークレーともいわれます。
バークレー校はリベラルの気風でも有名です。

その他に、カリフォルニア大学にはＵＣＬＡといわれるカリフォルニア校、海洋学と軍事ハイテク研究や環太平洋国家研究で有名なＵＣサンディエゴ校、「青色ダイオード訴訟」で有名になった中村修二教授が所属するＵＣサンタバーバラ校などがあります。

ＵＣバークレーでの日本研究は、１９５８年、日本研究センターの設立によって始まっています。これは同大学の東アジア研究所の一組織で、所長は、歴史学のアンドリュー・バーシェイ教授です。

バーシェイ教授は、『南原繁（なんばらしげる）と長谷川如是閑（はせがわにょぜかん）』（1955年）の著者であり、丸山真男（まるやままさお）研究もてがけています。

政治分野では、Ｔ・Ｊ・ペンペル（バークレー校東アジア研究所所長）、ロバート・スカラピーノ名誉教授がいます。

若手では安全保障と経済規制改革が専門の「第五世代」のスティーブ・ヴォーゲルが所属しています。　経済分野では、日本企業の系列構造についての詳細な研究がめにとまります。

このうちなどのグローバリズムによる影響について論じています。

しかし何といっても、ＵＣバークレー校のに日本研究者といえば、やはりチャルマーズ・ジョンソン（日本政策研究所所長）の名前を外すわけにはありません。その著作で、一連のアメリカ帝国の内幕を徹底的に暴いたジョンソンは日本研究者の一人です。

次世代の窒化ガリウム半導体、24年EV採用で普及へ

2023-09-04 08:56:21 | エレクトロニクス・自動車・通信・半導体・電子部品・素材産業

　　　　　　　　　　　　　　　　独インフィニオンが開発したGaN基板

電圧を制御するパワー半導体で強度が高い化合物を使った次世代品の研究開発が進む。有力候補の1つが窒化ガリウム（GaN）半導体だ。

シリコン単体を使った従来品と比べ電力ロスが小さく、大電力を消費する電気自動車（EV）やデータセンターへ利用が期待される。

普及には高価格が壁だが、2024年以降にGaN半導体を採用したEVが発売される計画があり、量産化で利用が広がる可能性がある。

パワー半導体は電気を流したり止めたりするスイッチの役割。同じ製品内でも部品によって対応する電圧や電流の大きさが異なるため、電圧や電気を変換する目的で使われる。

性能向上はEVの航続距離の延長や工場の省エネなどにつながる。GaN半導体は一部のEVに採用されている炭化ケイ素（SiC）半導体の次の世代に当たる。

GaN半導体は熱伝導率が大きく放熱性に優れている。スイッチの切り替え時に発生する電力ロスが従来品の半分以下であり、発熱量が小さい特徴がある。EVやデータセンター、小型電源などへの活用が期待されている。

一方で高電圧・高電流に弱く、鉄道や発電所などの用途には向いていない。量産化が進んでいないためSiCと比べて高額な点も課題だ。

基板技術に強み

パワー半導体は化学メーカーが開発した「基板」にトランジスタなどの素子を組み合わせて電子回路を積んだ「デバイス」を製造。

これを「システム」で制御する仕組み。このうち日本勢が強いのが基板技術だ。特許庁によると、00〜19年に世界で出願された関連特許の4割を日本勢が占めた。

GaN基板は三菱ケミカルグループが日本製鋼所と共同で従来より製品寿命を延ばす新たな製造法を開発した。23年度下期からサンプル出荷を開始し、24年度にも量産に乗り出す。住友化学も24年度に量産体制を整える予定だ。

デバイスではロームが22年3月にGaN製パワー半導体の量産を始めた。23年4月に新製品を発売して商品群を増やし、データセンターやACアダプター、通信基地局などへの利用を見込む。

東芝は24年度に新製品の市場投入を計画する。ルネサスエレクトロニクスはニデックとEV向け駆動装置の開発で協力しており、GaNデバイスへの参入を検討している。

GaNデバイスには大きく2つの構造があり、現在主流の「横型GaN」はシリコンなどで製造した基板の上にGaN結晶を形成し、横方向に素早く電流を流す仕組み。加工に手間がかかるGaN素材を表面だけに使うため比較的実現しやすく、ロームや東芝が手掛けている。

一方でGaNの基板上にGaNを積むのが「縦型GaN」だ。全てGaN素材なので技術とコストの両面で事業化のハードルは高いが、より高電圧に耐えられる。EVで用いる電圧が800〜900ボルト帯になると、横型では耐えられない可能性がある。

国内では主に化学メーカーが開発している。豊田合成も大阪大学などと基板からデバイスまで一貫して開発している。

パワー半導体を制御するシステムは独ボッシュや中国勢が開発に力を入れている。国内企業ではロームが3月、GaNデバイスの動きを制御するIC（集積回路）技術を開発した。

電流・電圧の制御にかかる時間を従来の4分の1にあたる2ナノ（ナノは10億分の1）秒まで短縮。必要な部品も減らし回路の小型化に成功した。

世界市場、28年に2900億円に

次世代パワー半導体として有力候補のGaNが普及する起爆剤になりそうなのがEVだ。

パワー半導体分野で数十社と連携している名古屋大学の山本真義教授は「24年にもGaNを搭載したEVが発売される。その時はテスラ並みのインパクトがあるだろう」とみる。

米テスラは17年、EVの「Model 3」にスイスSTマイクロエレクトロニクスのSiCパワー半導体を採用した。これを契機にSiC製品の量産と低コスト化が進み、他の用途にも一気に普及した。

24年に発売するEVの具体的な車種名やメーカー名は非公開だが、車載充電器（オンボードチャージャー）にGaN製のパワー半導体が使われ、海外メーカーが24年以降に発売する複数の車種にも搭載が決まっているもようだ。

車載充電器は冷却水が循環していない駐車時に稼働するため、発熱を抑える目的でGaNを使う利点があるとみられる。

仏調査会社のヨールによると、GaNパワー半導体の世界の市場規模は22年時点で約2億ドル（約290億円）だった。28年には10倍の約20億ドルまで膨らむ見通しだ。

日本勢、デバイス開発で後れ

日本勢はGaN製の基板開発で先行する一方、デバイスでは海外勢に後れをとる。日本はパワー半導体のデバイス全体で2割程度のシェアだが、GaN製品に限ると1%以下だ。

独インフィニオンは3月、米大手ガンシステムズの買収を発表。24年に20億ユーロ（約3180億円）を投じてマレーシアの工場を稼働させるなど先行する。

名古屋大の山本教授は、「日本はデバイス各社が自前主義で研究開発を進めた結果、基板技術からデバイスへの応用が進まなかった」と指摘する。

パナソニックホールディングスは20年、半導体事業を台湾の新唐科技（ヌヴォトンテクノロジー）に売却した。

現在は基板開発にのみ関わっており、デバイスはGaN関連技術を海外企業にライセンス提供するにとどまる。基板技術を持つ住友化学は海外のデバイスメーカーとの取引を増やしている。

今後高い成長が見込めるGaNだが、政治リスクが浮上している。中国商務省と税関総署は7月、ガリウム関連の製品を輸出規制の対象にすると発表した。

8月から中国の輸出業者は当局の許可がない限り輸出できなくなった。米国が主導して先端半導体の輸出など対中規制を強めてきたことへの対抗措置とみられる。

米地質調査所によると、中国のガリウム生産量は世界の98%を占める。現在は目立った影響はないが、日本の半導体戦略に響くおそれがある。

（向野崚）

［日経ヴェリタス2023年9月3日号］より引用

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