部品寿命、処理、processとtreat

US11338940
[0052] FIG. 2 is a schematic representation of a part reliability determination system 100 , according to an exemplary aspect of the present disclosure.
【００４６】
  図２は、本開示の例示的な態様による、部品信頼性判定システム１００の概略図である。

The part reliability determination system 100 includes a parts database 102 that is in communication with a part life distribution control unit 104 , and a part life prediction control unit 106 , such as through one or more wired or wireless connections.
部品信頼性判定システム１００は、１つ以上の有線または無線接続などを介して部品寿命分布制御ユニット１０４および部品寿命予測制御ユニット１０６と通信する部品データベース１０２を含む。

The part life distribution control unit 104 and the part life prediction control unit 106 are also in communication with one another, such as through one or more wired or wireless connections.
部品寿命分布制御ユニット１０４および部品寿命予測制御ユニット１０６はまた、１つ以上の有線または無線接続などを介して互いに通信する。

US10103737
[0114] In embodiments wherein recuperative heat exchanger 50 is included, control（＊無冠詞）of temperature（＊無冠詞）at parameter check point 13 can be particularly important.
【０１４８】
  伝熱式熱交換器５０が含まれる実施形態において、パラメータチェック部位１３における温度の制御は、特に重要である場合がある。

By maintaining the temperature at parameter check point 13 at or substantially near a steady state value,
パラメータチェック部位１３における温度を定常時の値に、または実質的にそれに近い値に、維持することにより、

the temperature profiles in the recuperative heat exchanger 50 can remain substantially constant as well.
伝熱式熱交換器５０における温度プロファイルをも実質的に一定に保つことができる。

At a minimum, such（＊＝the、そのもの；such a: 同様の）control scheme is
少なくとも、そのような制御スキームは、

beneficial because of the reduction or elimination of thermal cycling of the piping, heat exchangers, and other high temperature equipment utilized in the system, which in turn can significantly increase component lifetimes.
システムで利用される配管、熱交換器、及び他の高温装置の熱循環を低下または消失させ、そして、部品寿命を著しく増加させることができるため、有益である。

US11077512
[0001] The present invention is directed to heat treated（＊表面的、無変形）articles, and methods of manufacturing heat treated articles that are formed, at least in part, by additive manufacturing.
【０００１】
  本発明は、熱処理された物品、および少なくとも部分的に、付加製造によって形成される熱処理された物品を製造する方法を対象とする。

More particularly, aspects of the present invention
より具体的には、本発明の態様は、

relate to components and articles, such as

components of turbines, having heat treatment to fill cracks formed during thermal treatment and for enhanced performance, extended part life and reduced scrap amounts.
熱的処理中に形成された亀裂を充填し、性能を向上させ、部品寿命を延ばし、スクラップ量を低減するための熱処理を有する、タービンの構成要素

などの構成要素および物品に関する。

 

＊処理（processとteat、treatとprocess；物体に対し；なんとなく仮説；Merriam-Webster Unabridged参照(*)） 

treat:　表面的、化学的、変形しない、有用な状態にする

1) to subject to some action, act upon with some agent*
2) to subject (as a natural or manufactured article) to some process to improve the appearance, taste, usefulness, or some other quality : process*

物質を酸で処理：treat a substance with sulfuric acid*
汚水を処理：treat wastewater*
基板の表面を処理：treat the surface of a substrate

process:　抜本的、物理的、変形、有用な別の物に変える

1) to subject to a particular method, system, or technique of preparation, handling, or other treatment designed to effect a particular result: put through a special process

家畜を処理：processing cattle by slaughtering them*
牛乳を処理：processed the milk by pasteurizing it*
穀物を処理：processing grain by milling*
綿を処理：processing cotton by spinning*
基板、ウェハを処理：process a substrate/a wafer
死去の受け入れ、受容、心の整理：while they process this tremendous loss（ジェフ・ベック氏死亡のニュースより；Twitter, Jan. 12, 2023）

 

US10553465（＊蒸着による回路形成；既出）
[0057] FIG. 1 illustrates a substrate processing system 100 , which is an example of the PECVD system used to process a wafer（＊変形する）101 .
【００５６】
  図１は、ウエハ１０１を処理するために使用されるＰＥＣＶＤシステムの一例である基板処理システム１００を示している。

The substrate processing system 100 includes a plasma chamber 102 having a lower chamber portion 102 b and an upper chamber portion 102 a .
基板処理システム１００は、下部チャンバ部分１０２ｂと上部チャンバ部分１０２ａとを有するプラズマチャンバ１０２を含む。

A center column is configured to support a pedestal 140 , which in one embodiment includes a powered lower electrode. 
中心の柱が、台座１４０を支持するように構成され、台座１４０は、一実施形態では、通電される下部電極を含む。

US10712289
[0052] As also shown in FIG. 5, a wafer may be placed in process tool A, 500 , which processes the wafer（＊変形する）.
【００４８】
  さらに図５に示すように、ウェーハは、ウェーハを処理するプロセスツールＡ、５００に配置されてもよい。

The process step performed on the wafer by process tool A may be the first of a multi-step process.
プロセスツールＡによってウェーハに実行されるプロセスステップは、第１の多ステッププロセスであり得る。

The wafer may then be placed in process tool B, 502 , which processes the wafer.
次にウェーハは、ウェーハを処理するプロセスツールＢ、５０２に配置されてもよい。

The process step performed on the wafer by process tool B may the second of the same multi-step process.
プロセスツールＢによってウェーハに実行されるプロセスステップは、同じ多ステッププロセスのうち第２のプロセスであり得る。

In this manner, the first process step and the second process step may be consecutive process steps that are performed one after the other to form at least a portion of the same device on the wafer. 
このように、第１のプロセスステップと第２のプロセスステップは、ウェーハ上の同じデバイスの少なくとも一部分を形成するために相前後して実行される連続したプロセスステップであってよい。

US10991550
[0037] FIG. 1A illustrates a reactor system 100 A, which may be used to deposit films over substrates, such as those formed in CVD (e.g., PECVD) or atomic layer deposition (ALD) processes.
【００３７】
  図１Ａは、反応器システム１００Ａを示しており、これは、ＣＶＤ（たとえば、ＰＥＣＶＤ）または原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスで形成されたものなど、基板上に膜を堆積するために使用されてよい。

Deposition of films is preferably implemented in a PECVD system.
膜の堆積は、好ましくは、ＰＥＣＶＤシステムで実施される。

As shown in the configuration of FIG. 1A, RF power is delivered to the pedestal 140 , though in other embodiments power may be delivered in other ways, such as through a showerhead.
図１Ａの構成に示されるように、ＲＦ電力は、ペデスタル１４０に供給されるが、他の実施形態では、電力は、シャワーヘッドを介するなど、他の手法で供給されてよい。

These reactors may utilize two or more heaters, and the common terminal configurations may be used in this example reactor to control the temperatures for uniformity or custom settings.
これらの反応器は、２つ以上のヒータを利用してよく、この例示的な反応器では、共通のターミナル構成を使用して、均一性またはカスタム設定のために温度を制御してよい。

More particularly, FIG. 1A illustrates a substrate processing system 100 A, which is used to process a wafer（＊変形する） 101 .
より具体的には、図１Ａは、ウェーハ１０１を処理するために使用される基板処理システム１００Ａを示す。

US9006690
[0002] Ion implanters are used to treat silicon wafers（＊変形しない）by bombardment of the wafers with an ion beam.
【０００２】
  イオン注入装置は、イオンビームをウェハへ衝突させることで、シリコンウェーハを処理するために使用されます。

One use of such beam treatment is to
そのようなビーム処理の１つの用途は、

selectively implant the wafers with impurities of a specified dopant material, at a predetermined energy level, and in controlled concentration, to produce a semiconductor material during fabrication of a integrated circuits.
集積回路の製造中に半導体材料を生成するために、所定のエネルギーレベルで、かつ制御された濃度で、特定のドーパント材料の不純物を、選択的にウェハを（＊に）注入（＊不純物を注入）することである。