反射鏡（VCSEL）

US2008197369(CREE INC)
[0050] The n-type layer may also be processed by disposing materials on one or more of its surfaces.
００４２】
  ｎ型層は、１つまたは複数のその表面上に材料を堆積させることによって加工することもできる。

FIG. 2e shows a semiconductor device 200 with a reflective element 220 disposed on the modified surface 218 of n-type layer 204.
【図２ｅは、反射要素２２０がｎ型層２０４の変更された表面２１８上に配設された半導体デバイス２００を示す。

As will be understood by the discussion below, if a light emitting diode (LED) is being fabricated, this reflective element 220 helps increase the useful light extraction of the device 200.
以下の説明によって理解されるように、発光ダイオード（ＬＥＤ）が製作されている場合、この反射要素２２０は、デバイス２００の有用な光
取出しを増大させる助けになる。

Reflective element 220 can comprise a mirror, a distributed Bragg reflector (DBR), and other types of reflectors. Reflective element 220 is shown formed on n-type layer 204. 
反射要素２２０は、ミラー、分布ブラッグ反射鏡（distributed Bragg reflector：ＤＢＲ）、および他のタイプの反射鏡を備えることができる
。