WO2013123094
"50%, an effect thought primarily to be the result of reduced apoptosis. <50>This study did not address the effects of IGFI gene transfer on LV remodeling after MI. Adenovirus mediated gene transfer of IGFI has been shown to reduce hypoxia-induced myocyte apoptosis in vitro, and, in a rat ischemia reperfusion model, prior injection of adenovirus encoding IGFI reduced infarct size approximately 50% (p<0.003), although the transgene was expressed in only about 15% of the ischemic region, consistent with a regional paracrine effect. The effect of expressing IGFI in the globally failing heart has not been explored."
梗塞範囲が５０％低減された（主としてアポトーシス低減の結果であると考えられる効果）５０。この研究は、ＭＩ後のＬＶリモデリングに対するＩＧＦＩ遺伝子導入の効果に取り組まなかった。ＩＧＦＩのアデノウイルス媒介遺伝子導入は、低酸素誘導筋細胞アポトーシスをｉｎ ｖｉｔｒｏで低減させることが示され、そしてラット虚血再灌流モデルにおいてＩＧＦＩをコードするアデノウイルスの事前注射は、梗塞サイズをおおよそ５０％低減させた（ｐ＜０．００３）が、導入遺伝子は、局所パラクリン効果と一致して、虚血領域の約１５％でしか発現されなかった。全体的に不全している心臓においてＩＧＦＩを発現する効果は、調べられていない。
WO2009158132
"[0027] The dressing assembly 118 may include closing bolster 126 and over-drape 180. The closing bolster 126 may be formed in many ways and has the effect of developing a closing force 120 when placed under reduced pressure. System 100 may further provide a compressive force 122, and at the same time, manifold reduced pressure to the linear wound 102 for reduced-pressure treatment.
[0028] In the illustrative embodiment of Figure 1, closing bolster 126 is formed with a pivotable frame 130. "
医療用品アセンブリ１１８は、閉合クッション１２６とオーバードレープ１８０を具える。クッション１２６は様々な方法で作ることができ、減圧下に置かれたときに閉合力１２０を発現する効果を有する。システム１００は更に、圧縮力１２２を提供し、同時に減圧療法用として減圧を線状創傷１０２に配分する。
【００２０】
図１に示す実施例においては、クッション１２６に、回動可能なフレーム１３０が形成されている。
US2019043910(JP)
"[0456] The lens module 901 includes an actuator 902, a lens barrel 903, and a lens 904. A lens 904-1, a lens 904-2, and a lens 904-3 are incorporated inside the lens barrel 903, and the lens barrel 903 holds the lenses 904-1 to 904-3. The lens barrel 903 is enclosed in the actuator 902."
レンズモジュール９０１は、アクチュエータ９０２、レンズバレル９０３、レンズ９０４から構成されている。レンズバレル９０３の内側には、レンズ９０４－１、レンズ９０４－２、レンズ９０４－３が組み込まれ、レンズバレル９０３は、それらのレンズ９０４－１乃至９０４－３を保持する構成とされている。レンズバレル９０３は、アクチュエータ９０２に内包されている。
encapsulate, include
DBG (dicing before grinding) singulation process
"... During front-end production ... electronic circuits ... are formed on the surface of a silicon wafer ... in back-end production, the wafer backside is thinned and the wafer is singulated by dicing（＊ダイシングにより個片化）. The chips are then encapsulated in a package that will be delivered to end-users." (Silicon wafer thinning, the singulation process, and die strength, DISCO Technical Review Feb. 2016)
US2018012803
"FIG. 1 is a top plan view of four adjacent integrated device cells that have been singulated by a sawing process."
"For example, FIG. 1 is a top plan view of adjacent integrated device cells 13, 13a that have been singulated by a dual cut sawing process with both cuts from the same side. As shown in FIG. 1, for example, a metallic strip 15 having an overall strip width W can be disposed about the periphery（＊周辺、周縁）of the device cells 13, 13a overlapping with the saw streets. A strip width w3 can represent the lateral width of metal remaining on each side of the saw cut after singulation, although of course that width can differ on either side. When the second saw cut passes the exposed metal ends of the metal strip 15, the metal ends can be ripped outwardly from the device cells 13, 13a to form a stringer 35 as shown in FIG. 1. The stringer 35 can be undesirable, as it can fall down onto the circuitry of the device cells 13, 13a and can short out or otherwise damage the device cells 13, 13a. In some embodiments, the stringer 35 can be especially undesirable when the stringer 35 has a length of 90 microns or more, or 100 microns or more. Relatively long stringers 35 (e.g., stringers having a length of 100 microns or more) can increase the chance that the stringer 35 makes contact with the circuitry of the device cells 13, 13a."
WO2014121388
"14. The apparatus of claim 13 in which the imaging devices back-illuminated, is free of micro lenses and color filters and is the most superficial layer of the pixels, other than a molecular passivation layer of no more than a few nanometers."
【請求項１４】
裏面照射型の撮像装置が、ミクロレンズ及びカラーフィルターを含まず、数ナノメートルに過ぎない分子のパッシベーション層以外の、ピクセルの最浅層部である、請求項１３に記載の機器。
"The imaging device includes a photosensitive layer. The photosensitive layer includes a coating of quantum dots or other fluorescent or luminescent particles on a silicon CMOS readout array. The photosensitive layer emits electrons that are to be read by the CMOS circuit. The photosensitive particles have activation wavelengths in the emission band, but not in the excitation band, of selected fluorescent or luminescent probes. The device is to receive backside illumination."
撮像装置は、感光層を含む。感光層は、シリコンＣＭＯＳ読み出しアレイ上の、量子ドット、又は他の蛍光若しくは発光粒子のコーティングを含む。感光層は、ＣＭＯＳ回路によって読み込まれることになる電子を発する。感光性粒子は、選択された蛍光又は発光プローブの、励起バンドにおいてではなく、発光バンドにおいて活性化波長を有する。装置は、裏面照射を受けることになる。
"Figure 56 is a sectional side view of a back-illuminated image sensor."
【図５６】裏面照射型画像センサーの側断面図である。
US2019157323(JP)
"[0070] Single photon avalanche diode (SPAD) technology realizes a photodiode having a one photon level reading sensitivity by performing electron multiplication.
[0071] In a SPAD, since a high voltage of ±about tens of V is required to cause multiplication, an implantation design of impurity is difficult, and it is difficult to achieve noise reduction, improvement of photoelectric conversion efficiency, or the like with miniaturization. For this reason, as shown in FIG. 1, there is a technology of solving a problem of lateral electric field mitigation to create a deep depletion layer by setting a SPAD photodiode as a back-surface irradiation type, providing one anode electrode 1130 on a back surface side, and applying a high voltage thereto. In a configuration shown in FIG. 1, a multiplication region which is a high electric field is formed between a high-concentration P-type layer (a second semiconductor layer) 1170 which is in contact with a P-type photoelectric conversion unit 1160 and a cathode N-type layer (a first semiconductor layer) 1180. The N-type layer 1180 is connected to a cathode electrode 1100. An electrode 1102 is connected to a front side of the cathode electrode 1100."
電子増倍をすることにより１光子レベルの読み出し感度を持ったフォトダイオードを実現するＳＰＡＤ(Ｓｉｎｇｌｅ Ｐｈｏｔｏｎ Ａｖａｌａｎｃｈｅ Ｄｉｏｄｅ)の技術がある。ＳＰＡＤでは、増倍を起こすために±数１０Ｖ程度の高電圧が必要であるため、不純物の注入設計が難しく、微細化と、ノイズの低減もしくは光電変換効率の向上などを両立することが難しい。このため、図１に示すように、ＳＰＡＤフォトダイオードを裏面照射型とし、一方のアノード電極１１３０を裏面側に設け、高電圧を印加することで横方向電界緩和の問題を解決しつつ、深い空乏層を作り出せるようにする技術がある。図１に示す構成では、Ｐ型の光電変換部１１６０と接する高濃度のＰ型層（第２半導体層）１１７０とカソードのＮ型層（第１半導体層）１１８０との間で高電界になる増倍領域を形成している。カソード電極１１００にはＮ型層１１８０が接続されている。カソード電極１１００の表側には電極１１０２が接続されている。
電車連結部分の蛇腹部に子供が落ち、蛇腹が破れて線路に落下。
