受光強度

US10709505
[0184] In other examples, the human stone detection technique includes evaluating multiple wavelength ranges.
【０１７３】
  他の例では、ヒト結石検出技術は、複数の波長範囲を評価する段階を含む。

For instance, a ratio of a received intensity in a first wavelength range and a second wavelength range can be used for human stone detection.
例えば、第１の波長範囲の受光強度と第２の波長範囲の受光強度の比は、ヒト結石検出に使用することができる。

EP2678070
where z' n = received light intensity at wavelength n after attenuation and scattering;
上式では、ｉ_ｎ＝減衰および散乱後の波長ｎにおける受光強度；

I0-n is the transmitted light intensity at wavelength n incident to the measured medium;
Ｉ_ｏ－ｎは測定される媒体に入射する波長ｎで伝送される光強度；

e is the natural log exponential term;
ｅは自然対数の指数項(natural log exponential term)；

ε is the extinction coefficient for the measured medium (p = polycarbonate, b = blood);
εは測定される媒体の吸光係数（ｐ＝ポリカーボネート、ｂ＝血液）；

X is the molar concentration of the measured medium (p = polycarbonate, b = blood);
Ｘは測定される媒体のモル濃度（ｐ＝ポリカーボネート、ｂ＝血液）；

and d is the distance through the measured medium (pt = transmitting polycarbonate, b = blood, pr = receiving polycarbonate).
ｄは測定される媒体全体の距離（ｐｔ＝伝送するポリカーボネート、ｂ＝血液、ｐｒ＝受け取るポリカーボネート）となる。

US11137331
[0003] An optical fire detector may project a beam of light and may measure a received intensity of the light to distinguish between air without smoke (e.g., which does not reflect or scatter the light) and air with smoke (e.g., which does reflect and scatter the light).
【０００２】
  光学式火災検知器は、光線を投射することができ、且つ受光強度を測定して煙のない（例えば、光を反射も散乱もさせない）空気と煙のある（例えば、光を反射及び散乱させる）空気とを区別することができる。

Based on the received intensity exceeding a threshold amount, the optical fire detector may provide an alert.
受光強度が閾値量を超えることに基づき、光学式火災検知器は警報を与えることができる。

A carbon dioxide fire detector may detect a level of carbon dioxide ambient in air and determine that the level of carbon dioxide exceeds a threshold indicative of a fire within a proximity of the carbon dioxide fire detector.
二酸化炭素式火災検知器は、周囲空気中の二酸化炭素レベルを検出して、二酸化炭素レベルが二酸化炭素式火災検知器付近の火災を示す閾値を超えると判定する。

US10830574
[0083] By evaluating an analog output signal from the detector 31 , for example, the intensity maximum can be determined.
【００６５】
  例えば、検知器３１からのアナログ出力信号を評価することで、最大強度は決定され得る。

Once the nominal distance NA has been reached, the received light intensity is at the maximum and the switch sensor 20 can output the switching signal s 2 .
公称距離ＮＡに到達すると、受光強度は最大になり、スイッチセンサ２０は切替信号ｓ２を出力し得る。

チャネル領域

US10763209（＊既出）
[0026] FIG. 1B is a cross-sectional view of a monolithic MOS antifuse with void-accelerated breakdown, in accordance with an embodiment.
[0017] 図１Ｂは、一実施形態による、ボイドにより破壊を加速させたモノリシックＭＯＳ型アンチヒューズの断面図である。

The cross-sectional view is applicable to both planar and non-planar (e.g., fin) MOS antifuse structures.
この断面図は、平面型と非平面（例えば、フィン）型の両方のＭＯＳ型アンチヒューズ構造に適用可能である。

Structural differences between planar and non-planar embodiments would（＊仮定法；図示したならば）be more apparent along an axis out of the plane illustrated in FIG. 1B, but are not illustrated
平面型と非平面型の実施形態の構造的差異は、図１Ｂに示す平面から延出する軸に沿って、より顕著となるが、図示はしておらず、

as embodiments herein are independent of such features and therefore equally applicable to planar and non-planar technologies.
なぜなら、本明細書における実施形態は、そのような特徴に依存することなく、平面型と非平面型の技術に同じように適用可能であるからである。

[0027] MOS antifuse 100 includes a semiconductor channel region 108 disposed over substrate 105 .
[0018] ＭＯＳ型アンチヒューズ１００は、基板１０５の上に配置された半導体チャネル領域１０８を含む。

Substrate 105 may be any substrate suitable for forming an IC, such as, but not limited to, a semiconductor substrate, semiconductor-on-insulator (SOI) substrate, or an insulator substrate (e.g., sapphire), the like, and/or combinations thereof.
基板１０５は、ＩＣを形成するのに適した任意の基板であってよく、半導体基板、半導体・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）基板、または絶縁体基板（例えば、サファイア）など、および／またはそれらの組み合わせとすることができるが、ただし、これらに限定されない。

In one exemplary embodiment, substrate 105 includes a substantially monocrystalline semiconductor, such as, but not limited to, silicon.
例示的な一実施形態では、基板１０５は、限定するものではないがシリコンのような、略単結晶の半導体を含む。

Exemplary semiconductor compositions also include group IV systems, such as silicon, germanium, or an alloy thereof group III-V systems, such as GaAs, InP, InGaAs, and the like; or group III-N systems, such as GaN.
さらに、典型例となる半導体組成として、シリコン、ゲルマニウム、またはその合金のようなＩＶ族系；ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓなどのようなＩＩＩ−Ｖ族系；またはＧａＮのようなＩＩＩ族−Ｎ系が含まれる。

[0028] A semiconductor source region 110 A, and semiconductor drain region 110 B are disposed on opposite sides of channel region 108 and have a conductivity type opposite that of channel region 108 .
[0019] チャネル領域１０８の相対する両側に、半導体ソース領域１１０Ａと半導体ドレイン領域１１０Ｂが配置されており、これらは、チャネル領域１０８の導電型とは反対の導電型を有する。

Channel region 108 may be substantially undoped (i.e., not intentionally doped relative to substrate 105 ).
チャネル領域１０８は、略アンドープであり得る（すなわち、基板１０５に対して意図的にはドープされていない）。

However, in the exemplary embodiment, channel region 108 has a nominal doping level of a certain conductivity type (e.g., p-type) while source, drain regions 110 , 111 have a nominal doping level of the complementary conductivity type (e.g., n-type).
しかしながら、例示的な実施形態では、チャネル領域１０８は、ある特定の導電型（例えば、ｐ型）のわずかな（ｎｏｍｉｎａｌ）ドーピングレベルを有する一方、ソース領域、ドレイン領域１１０Ａ、１１０Ｂは、相補的な導電型（例えば、ｎ型）のわずかなドーピングレベルを有する。

A source contact 114 A interfaces with source region 110 A, while a drain contact 114 B interfaces with drain region 110 B.
ソースコンタクト１１４Ａは、ソース領域１１０Ａと界面接触しており、ドレインコンタクト１１４Ｂは、ドレイン領域１１０Ｂと界面接触している。

Any contact metallization known to be compatible (e.g., provides good ohmic behavior) with the composition of semiconductor source, drain regions 110 A, 110 B may be utilized.
半導体ソース領域１１０Ａ、ドレイン領域１１０Ｂの組成に適合する（例えば、良好なオーミック挙動が得られる）ことが知られている任意のコンタクト・メタライゼーションを用いることができる。

[0029] Contact metallization is surrounded by dielectric material 115 , 125 .
[0020] コンタクト・メタライゼーションは、誘電体材料１１５、１２５で取り囲まれている。

Isolation dielectric 115 and intervening spacer dielectric 125 may be any known dielectric materials,
絶縁誘電体１１５および介在スペーサ誘電体１２５は、任意の周知の誘電体材料であってよく、

such as, but not limited to, silicon oxides (SiO), silicon nitrides (SiN), silicon oxynitrides (SiON), silicon carbonitrides (SiCN), or low-k materials (e.g., carbon doped silicon dioxide (SiOC), porous dielectrics, etc.).
酸化ケイ素（ＳｉＯ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、炭窒化シリコン（ＳｉＣＮ）、またはＬｏｗ−ｋ材料（例えば、炭素ドープ二酸化シリコン（ＳｉＯＣ）、多孔質誘電体など）とすることができるが、ただし、これらに限定されない。

Spacer dielectric 125 is of a nominal thickness, for example, 20 nm, or less, in advanced CMOS technology.
スペーサ誘電体１２５は、先進ＣＭＯＳ技術では、例えば２０ｎｍまたはそれ未満の、わずかな厚さのものである。

Isolation dielectric 115 may be any thickness to accommodate planarization with source, drain contacts 114 A, 114 B.
絶縁誘電体１１５は、ソースコンタクト１１４Ａ、ドレインコンタクト１１４Ｂとの平坦化に適応した任意の厚さとすることができる。

[0030] Disposed over channel region 108 is a gate dielectric 120 .
【００２１】
  チャネル領域１０８の上には、ゲート誘電体１２０が配置されている。