酸素欠陥

US7827852(GEN ELECTRIC [US])
[0040] In one embodiment, the oxygen deficiency (δ) in the host metal oxide WO3-δ can be from about 0 to about 0.5.
【００３０】
  一実施形態では、ホストの金属酸化物ＷＯ_3-δ中の酸素欠陥（δ）は約０～約０．５であることができる。

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[0064] The oxygen deficiency state of the gas sensing layer may be one of the parameters affecting the response of the gas sensing layer. 
【００５４】
  ガス感知層の酸素欠陥状態はガス感知層の応答に影響するパラメーターの１つであり得る。

FIG. 6 is a table 600 of the effect of oxygen deficiency state (δ) of a Re doped host tungsten oxide film that constitutes the gas sensing layer, when the analyte is NOx .
図６は、被分析物がＮＯ_xであるときの、ガス感知層を構成するＲｅをドープしたホスト酸化タングステン膜の酸素欠陥状態（δ）の影響の表６００である。

US11557333(TAHOE RES LTD [IE])
Non-volatile types of memory may also include other types of byte or block addressable non-volatile memory such as, but not limited to,
不揮発性タイプのメモリは、以下に限定されないが、

multi-threshold level NAND flash memory, NOR flash memory, single or multi-level phase change memory (PCM),
閾値レベルのＮＡＮＤフラッシュメモリ、ＮＯＲフラッシュメモリ、単一またはマルチレベルの相変化メモリ（ＰＣＭ）、

resistive memory, nanowire memory, ferroelectric transistor random access memory (FeTRAM), anti-ferroelectric memory,
多抵抗メモリ、ナノワイヤメモリ、強誘電体トランジスタランダムアクセスメモリ（ＦｅＴＲＡＭ）、反強誘電体メモリ、

resistive memory including a metal oxide base, an oxygen vacancy base and a conductive bridge random access memory (CB-RAM),
金属酸化物系、酸素欠陥系、および導電性ブリッジランダムアクセスメモリ（ＣＢ－ＲＡＭ）を含む抵抗メモリ、

a spintronic magnetic junction memory, a magnetic tunneling junction (MTJ) memory, a domain wall (DW) and spin orbit transfer (SOT) memory, a thyristor based memory,
スピントロニック磁気接合メモリ、磁気トンネル接合（ＭＴＪ）メモリ、磁壁（ＤＷ）スピン軌道トランスファ（ＳＯＴ）メモリ、サイリスタベースのメモリ、

a magnetoresistive random access memory (MRAM) that incorporates memristor technology, spin transfer torque MRAM (STT-MRAM),
メモリスタ技術を内蔵した磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）、スピントランスファトルクＭＲＡＭ（ＳＴＴ－ＭＲＡＭ）、

or a combination of any of the above.
または上記のいずれかの組み合わせ

などの他のタイプのバイトアドレス指定可能またはブロックアドレス指定可能な不揮発性メモリを含んでもよい。

EP3701186(CORNING INC [US])
While glass cores and claddings having a low hydroxyl content (e.g., hydroxyl content of less than 300 ppm)
ヒドロキシル含量が低い（例えばヒドロキシル含量が３００ｐｐｍ未満の）ガラスコア及びクラッドは、

have increased transmissivity at higher wavelengths (e.g., wavelengths in the visible range, near infrared (NIR) range, and infrared range),
比較的高い波長（例えば可視範囲、近赤外（ＮＩＲ）範囲、及び赤外範囲内の波長）における透過率が増大するものの、

they also incur increased absorption losses at wavelengths in the UV range because lowering the hydroxyl content in the glass increases the number and/or size of oxygen deficiency centers in the glass. 
ガラス中のヒドロキシル含量を低減することによってガラス中の酸素欠陥中心の個数及び／又はサイズが増大するため、ＵＶ範囲内の波長における吸収損失の増大も被る。

As used herein, "oxygen deficiency center" refers to formation of broken bonds of silica having an oxygen vacancy.
本明細書中で使用される場合、「酸素欠陥中心（ｏｘｙｇｅｎ  ｄｅｆｉｃｉｅｎｃｙ  ｃｅｎｔｅｒ）」は、酸素空孔を有するシリカの破損した結合の形成を指す。

破壊

US8816543(BOEING CO [US])
Indeed, as compared to the known, brittle ceramic magnets that cause flywheel rotor failure due to their inability to change dimensionally,
実際、寸法を変化させることができないことによりフライホイールロータ破壊を引き起こす既知の脆弱なセラミック磁石に比べて、

the magnets according to variations of the present disclosure are designed and tailored to predictably radially expand at high circumferential velocities at a rate of from about 1% to about 50%,
本開示の変形形態による磁石は、高い周速時に約１％から約５０％の率で予測可能に半径方向に伸張するように設計および調整され、

while changing dimensionally in a longitudinal direction by an amount of from about 0% to about less than 1%.
一方、寸法が長手方向で約０％から約１％未満の量だけ変化する。

US7140847
The valve body itself serves various functions.
【００１４】
  弁体自体が様々な機能を果たしている。

One function is to support the weight of the TMP through connection to the chamber.
１つの機能は、ＴＭＰの重量を、室への接続を通して支えることである。

Another function is to provide a vacuum seal to both the TMP and chamber, which entails precise machining and the use of special-material vacuum seals.
別の機能は、ＴＭＰと室の両方に真空シールを提供することであるが、これには、精密機械加工と特別な材料の真空シールの使用が必要である。

A third function is to have sufficient strength to withstand the torque that can be generated in the event of catastrophic rotor destruction.
３番目の機能は、ロータ破壊という最悪の事態が起きた場合に発生する恐れがあるトルクに耐える十分な強度を有することである。

US10421147(GEN ELECTRIC [US])
Due to the relatively low Rockwell hardness of the typical materials of the blade shrouds and the interlocking notch, the interlocks may wear,
ブレードシュラウドおよびインターロッキング切り欠きの典型的な材料の比較的低いロックウェル硬度に起因して、連結部が摩耗する場合があり、

resulting in gaps opening between the blade shrouds, thereby allowing the airfoils to twist and further deform, and even to possibly vibrate during operation
その結果、ブレードシュラウド間に隙間開口が生じ、それにより、エーロフォイルは、ねじれて更に変形し得るとともに、更には場合により動作中に振動し得る。

which is highly undesirable as such imparts additional higher stresses on the blades which can quickly lead to blade breakage and consequent failure of the turbine.
これは、そのようなことによりブレードに付加的な更に高い応力が付与され、それにより、ブレード破壊が急速に引き起こされて、結果としてタービンが破損する可能性があるため、非常に望ましくない。

US2021354397(BOEING CO [US])
[0132] In one or more examples, the adhesion mechanism 304 is also configured to selectively disengage or release the adhesion force, under direction from the controller 250 , such that the support powder 104 is detached from the surface 306 .
【０１０３】
  1つ又は複数の例では、接着機構304はまた、支持粉末104が表面306から分離されるように、コントローラー250からの指示の下で、接着力を選択的に解放又はリリースするように構成される。

Alternatively, or in addition to, in one or more examples, the recoater 206 includes an ejection mechanism 308 .
あるいは、又はそれに加えて、1つ又は複数の例では、リコータ206は、放出機構308を含む。

In one or more examples, the ejection mechanism 308 is located in or is a part of the roller 210 .
1つ又は複数の例では、放出機構308は、ローラー210内に配置されているか、又はローラー210の一部である。

The ejection mechanism 308 is configured to generate an ejection force that has a component perpendicular to the surface 306 and that acts in a radially outward direction, under direction from the controller 250 .
放出機構308は、表面306に垂直な成分を有し、コントローラー250からの指示の下で半径方向外向きに作用する放出力を生成するように構成される。

The ejection force overcomes and locally breaks the adhesion force between the surface 306 and the support powder 104 to selectively detach the support powder 104 from the surface 306 .
放出力は、表面306と支持粉末104との間の接着力に打ち勝ち、局所的に破壊して、支持粉末104を表面306から選択的に分離する。

US2023047989(DOW GLOBAL TECHNOLOGIES LLC [US])
The shear rate inside rotor-stator 13 preferably is maintained at less than 1000 sec−1 to avoid breaking the encapsulation of the PCM microspheres.
ロータステータ１３内のせん断速度は、好ましくは、ＰＣＭミクロスフェアの封入の破壊を避けるために、１０００秒^－１未満に維持される。

The completed coating composition is then discharged for packaging, storage, transportation and/or usage.
次いで、完成したコーティング組成物を、包装、貯蔵、輸送、及び／又は使用のために排出する。

リフレクトアレイ

US2023077482(METAWAVE CORP [US])
(Ab)
Examples disclosed herein relate to a reflectarray antenna for enhanced wireless communication coverage area.
本明細書において開示されている例は、改善された無線通信カバレージエリア用のリフレクトアレイアンテナに関する。

A reflectarray antenna for enhanced wireless communication applications includes
改善された無線通信用途用のリフレクトアレイアンテナは、

an array of reflectarray cells that includes

a first plurality of conductive elements configured to radiate reflected radio frequency (RF) beams with a first phase shift in a first linear polarization
第１直線偏波において第１位相シフトを有する反射高周波（ＲＦ）ビームを放射するように構成された第１の複数の導電性要素と、

and a second plurality of conductive elements arranged orthogonally to the first plurality of conductive elements
第１の複数の導電性要素に対して直交するように構成された、

and configured to radiate reflected RF beams with a second phase shift that is substantially equivalent to that of the first phase shift in a second linear polarization that is orthogonal to the first linear polarization.
及び第１直線偏波に直交する第２直線偏波において第１位相シフトのものに実質的に等価である第２位相シフトを有する反射ＲＦビームを放射するように構成された第２の複数の導電性要素と、

を含むリフレクトアレイセルのアレイを含む。

Other examples disclosed herein relate to a method of designing a reflectarray antenna and a method of performing pattern synthesis of a reflectarray antenna.
本明細書において開示されているその他の例は、リフレクトアレイアンテナを設計する方法と、リフレクトアレイアンテナのパターン合成を実行する方法と、に関する。

US8049173(RAYTHEON CO [US])
[0029] FIG. 3A is a schematic diagram of an exemplary optical system 300 that may be suitable for the beam director 120 in FIG. 1.
【００２１】
  図３Ａは、図１におけるビームディレクター１２０に適している、例示的な光学システム３００の概略図である。

The optical system 300 may include a secondary reflective element 340 and a primary reflective element 330 .
光学システム３００は、二次反射エレメント３４０と一次反射エレメント３３０とを含んでいてもよい。

The terms “primary” and “secondary” are consistent with common terminology for optical telescopes.
用語“一次”および“二次”は、光学望遠鏡に対する共通用語と一致している。

The secondary reflective element 340 may be a passive reflect-array which, although physically flat, may have a negative optical power as indicated by the dashed curved surface 345 . 
二次反射エレメント３４０は、パッシブリフレクトアレイであってもよく、パッシブリフレクトアレイは、物理的に平坦であるが、破線の曲面３４５によって示されるように、負の屈折力を有する。

US7112775(AGILENT TECHNOLOGIES INC [US])
Electrical mechanisms such as phased arrays or reflectarrays are especially well-suited for the tasks of focusing a coherent beam, steering a coherent beam, and sequencing a coherent beam through a set of orthogonal transverse spatial modes.
干渉ビームの合焦、干渉ビームの操縦、及び干渉ビームの一組の直交横空間モードを介した配列の各作業には、フェーズドアレイやリフレクトアレイなどの電気的メカニズムが特に適している。

The signals that control the receive beam controller include mode-forming signals as indicated in FIG. 1.
図１に示されているように、この受信ビームコントローラ３８を制御する信号には、モード形成信号が含まれている。