US11554189(BLUEWAVE TECH INC [US])
[0045] Reference will be made to the attached Figures on which the same reference numerals are used throughout to indicate the same or similar components.
【0023】
同じまたは同様の部品を示すのに同じ参照番号を用いた図面を参照する。
With reference to the attached Figures, which show certain embodiments of the subject invention, it can be seen that certain embodiments of a plasma treatment device 10 of the subject invention
本発明の実施形態を示す図面を参照すると、本発明のプラズマ処理装置10の実施形態は、
include a housing 50 that contains a treatment chamber 100 having the ability to be variable in size, as determined by the amount of negative pressure obtained in the treatment chamber
処理チャンバの負圧の量によって決められる、サイズ可変の処理チャンバ100を含む筐体50を有する。
that deforms the bag or configuration of a conformable wall 102 , which can form the treatment chamber.
処理チャンバ100を形成するバッグまたはコンフォーマブルウォール102の構成は変形する。
There can further be at least one effluent chamber 3 .
さらに、少なくとも1つの排出チャンバ3がある。
Further, there can be at least one primary effluent chamber 1 and/or at least one secondary effluent chamber 2 .
また、少なくとも1つの第1の排出チャンバ1および/または少なくとも1つの第2の排出チャンバ2がある。
Other embodiments utilize a conformable bag into which an item can be placed for treatment.
その他の実施形態では、処理のために物品の配置されるコンフォーマブルバッグを用いる。
A conformable bag can, but is not required to be, within a housing 50 .
コンフォーマブルバッグは、必須ではないが、筐体50内に配置される。
US10177024(LAM RES CORP [US])
[0002] Semiconductor substrate processing apparatuses are used to process semiconductor substrates by techniques including
etching, physical vapor deposition (PVD), chemical vapor deposition (CVD), plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD), atomic layer deposition (ALD), plasma-enhanced atomic layer deposition (PEALD), pulsed deposition layer (PDL), plasma-enhanced pulsed deposition layer (PEPDL) processing, and resist removal.
エッチング、物理蒸着(PVD)、化学気相成長(CVD)、プラズマ支援式化学気相成長(PECVD)、原子層堆積(ALD)、プラズマ支援式原子層堆積(PEALD)、パルス堆積層(PDL)、プラズマ支援式パルス堆積層(PEPDL)処理、及びレジスト除去
などの技術によって半導体基板を処理するために、半導体基板処理装置が使用される。
One type of semiconductor substrate processing apparatus is a plasma processing apparatus that includes a reaction chamber containing upper and lower electrodes
半導体基板処理装置の一種は、上部電極と下部電極とを収容した反応チャンバを含むプラズマ処理装置であり、
wherein a radio frequency (RF) power is applied between the electrodes to excite a process gas into plasma for processing semiconductor substrates in the reaction chamber.
プロセスガスを励起させてプラズマ状態にして反応チャンバ内で半導体基板を処理するために、電極間に高周波(RF)電力が印加される。
US9870917(LAM RES CORP [US])
[0003] Plasma processing apparatuses(*複数形)
【0003】
プラズマ処理装置は、
can be used to process semiconductor substrates by techniques including
etching, physical vapor deposition (PVD), chemical vapor deposition (CVD), plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), atomic layer deposition (ALD), plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD), pulsed deposition layer (PDL), plasma enhanced pulsed deposition layer (PEPDL) processing, and resist removal.
エッチング、物理気相堆積法(PVD)、化学気相堆積法(CVD)、プラズマ強化化学気相堆積法(PECVD)、原子層堆積法(ALD)、プラズマ強化原子層堆積法(PEALD)、パルス堆積層(PDL)、プラズマ強化パルス堆積層
(PEPDL)処理、およびレジスト除去
を含む技術によって、半導体基板を処理するのに用いられうる。
US11581206(APPLIED MATERIALS INC [US])
[0098] FIG. 10 A is a schematic, cross-sectional view of a plasma processing apparatus 1000 that comprises one or more sensor modules, such as those described herein according to an embodiment.
【0071】
図10Aは、実施形態による、本明細書に記載されたような1つ又は複数のセンサモジュールを備えるプラズマ処理装置1000の概略断面図である。
The plasma processing apparatus 1000 may be a plasma etch chamber, a plasma enhanced chemical vapor deposition chamber, a physical vapor deposition chamber, a plasma treatment chamber, an ion implantation chamber, or other suitable vacuum processing chamber.
プラズマ処理装置1000は、プラズマエッチングチャンバ、プラズマ化学気相堆積チャンバ、物理的気相堆積チャンバ、プラズマ処理チャンバ、イオン注入チャンバ、又は他の適切な真空処理チャンバでありうる。
US11415538(APPLIED MATERIALS INC [US])
[0090] Referring now to FIG. 9A, a schematic, cross-sectional view of a plasma processing apparatus 900 that comprises one or more sensor assemblies, such as those described herein, is shown, in accordance with an embodiment.
【0071】
ここで図9Aを参照すると、実施形態による、本明細書に記載されるような1つ又は複数のセンサアセンブリを備えるプラズマ処理装置900の概略断面図が示されている。
The plasma processing apparatus 900 may be a plasma etch chamber, a plasma enhanced chemical vapor deposition chamber, a physical vapor deposition chamber, a plasma treatment chamber, an ion implantation chamber, or other suitable vacuum processing chamber.
プラズマ処理装置900は、プラズマエッチングチャンバ、プラズマ化学気相堆積チャンバ、物理的気相堆積チャンバ、プラズマ処理チャンバ、イオン注入チャンバ、又は他の適切な真空処理チャンバでありうる。
US2020376749(BOEING CO [US])
[0032] Referring to FIGS. 1A, 2A, 4, 5, and 6, a method 600 for additive manufacturing includes treating the additive manufacturing powder particles 410 with plasma radiation 150 ( FIG. 6, Block 610 ).
【0022】
図1A、2A、4、5および6を参照すると、付加製造のための方法600は、プラズマ放射150で付加製造粉末粒子410を処理することを含む(図6、ブロック610)。
The additive manufacturing powder particles 410 are
付加製造粉末粒子410は、
treated in any suitable plasma treatment apparatus 300 with a gas 330 selected depending on the types of functional groups 170 (e.g., on the type of laser energy/directed energy beam of the additive manufacturing process as described above) to be produced on the surfaces 110 of the individual manufacturing powder particles 100 .
個々の製造粉末粒子100の表面110に生成される官能基170のタイプ(例えば、レーザエネルギー/上述の付加製造プロセスの指向性エネルギービームのタイプ)に応じて選択されたガス330によって、任意の好適なプラズマ処理装置300内で処理される。